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公开(公告)号：CN119325278A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202410810371.X
申请日：2024-06-21
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及半导体器件和显示装置。课题在于改善包括氧化物半导体的半导体器件的可靠性。半导体器件包括：第一绝缘层；所述第一绝缘层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；所述氧化物半导体层之上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层之上的栅极布线；和所述栅极布线之上的第二绝缘层，所述氧化物半导体层具有朝向第一方向排列的第一区域、第二区域及第三区域，所述第一区域与所述栅极绝缘层及所述栅极布线重叠，所述第三区域与所述第二绝缘层相接，从所述第二区域的上表面到所述第二绝缘层的上表面为止的距离比从所述第三区域的上表面到所述第二绝缘层的上表面为止的距离长。
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公开(公告)号：CN119137750A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202380038114.2
申请日：2023-04-12
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明提供半导体装置(10)，其包括绝缘表面之上的包含铝的氧化金属层(130)及氧化金属层之上的氧化物半导体层(140)，氧化物半导体层包括：与氧化金属层相接的第一结晶区域(144)；和与第一结晶区域相接且在氧化物半导体层的剖视观察下具有比第一结晶区域大的面积的第二结晶区域(145)，第一结晶区域与第二结晶区域的晶体结构及晶体取向中的至少一者不同。也可以是，氧化物半导体层包含包括铟在内的两种以上的金属，在氧化物半导体层中，铟相对于两种以上的金属的比率为50％以上。
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公开(公告)号：CN118943145A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410503778.8
申请日：2024-04-25
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12 , H10K59/121 , H10K59/123 , H10K59/131
Abstract: 本发明涉及半导体装置。课题在于实现具有高迁移率的半导体装置。半导体装置包括：栅电极；前述栅电极之上的栅极绝缘层；前述栅极绝缘层之上的以铝为主成分的金属氧化物层；前述金属氧化物层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；从前述氧化物半导体层之上与前述氧化物半导体层相接的源电极及漏电极；和前述源电极及前述漏电极之上的绝缘层。在将供给至前述栅电极的电压设为Vg、将前述半导体装置的阈值电压设为Vth、将由前述栅电极和前述氧化物半导体层夹持的前述栅极绝缘层的静电电容设为Cox的情况下，前述半导体装置的线性迁移率在(Vg‑Vth)×Cox＝5×10‑7C/cm2时大于20cm2/Vs。
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公开(公告)号：CN118872076A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380028097.4
申请日：2023-03-14
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/336 , H05B33/02 , H10K50/00 , H10K59/00
Abstract: 半导体装置的制造方法中，在绝缘表面上形成以铝为主成分的氧化金属层，对氧化金属层的表面实施平坦化处理，在进行了平坦化处理的表面之上形成氧化物半导体层，在氧化物半导体层之上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层之上形成与氧化物半导体层对置的栅电极。
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公开(公告)号：CN118661268A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202380020878.9
申请日：2023-03-13
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H10K50/00
Abstract: 半导体装置，其包含：基板；基板之上的绝缘层；绝缘层之上的氧化金属层；和氧化金属层之上的氧化物半导体层，绝缘层包含：与氧化金属层重叠的第1区域；和与氧化金属层不重叠的第2区域，其中，第1区域的氢浓度大于第2区域的氢浓度，第1区域的氮浓度大于第2区域的氮浓度。第1区域的氮浓度随着从基板朝向氧化金属层而变大。
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公开(公告)号：CN118553770A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410201026.6
申请日：2024-02-23
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/423 , H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及半导体装置。课题在于抑制应力试验前后的半导体装置的电气特性变化。半导体装置包含第1栅电极、所述第1栅电极之上的第1绝缘层、所述第1绝缘层之上的氧化物半导体层、所述氧化物半导体层之上的第2绝缘层和所述第2绝缘层之上的第2栅电极。所述第1绝缘层包含含有硅及氮的第1层、含有硅及氧的第2层以及含有铝及氧的第3层。所述第1层的厚度为10nm以上190nm以下。所述第2层的厚度为10nm以上100nm以下。所述第1层及所述第2层的合计厚度为200nm以下。所述第3层的厚度为1nm以上10nm以下。
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公开(公告)号：CN118398661A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410049356.8
申请日：2024-01-12
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/78 , H01L27/12 , G02F1/1362
Abstract: 本发明涉及半导体器件。本发明能够不降低半导体器件的电气特性而增大工艺余量。半导体器件包含：氧化物半导体层，其包含多晶构造；栅电极，其与所述氧化物半导体层相对；所述氧化物半导体层与所述栅电极之间的栅极绝缘层；第1透明导电层，其与所述氧化物半导体层连接；和第2透明导电层，其设置在与所述第1透明导电层的同一层、并与所述第1透明导电层分离，所述第1透明导电层的结晶性与所述第2透明导电层的结晶性不同。
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公开(公告)号：CN111554692A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010082372.9
申请日：2020-02-07
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1333 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 本发明要解决的技术问题在于，提供能够使有机平坦化膜中含有的水分减少、并且使薄膜晶体管的特性的变动减少的半导体器件和半导体器件的制造方法。本发明的半导体器件包括：形成有具有源极电极的薄膜晶体管的半导体基片；像素电极；有机平坦化膜；形成在上述有机平坦化膜上的阻挡膜；形成在上述阻挡膜上的电容绝缘膜；和贯通孔，其设置在上述有机平坦化膜、上述阻挡膜和上述电容绝缘膜中，使得上述源极电极露出。上述贯通孔具有：上述有机平坦化膜露出的第一部分；和上述有机平坦化膜不露出的第二部分。上述像素电极在上述贯通孔的内部与上述源极电极连接。
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公开(公告)号：CN119789527A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411353486.7
申请日：2024-09-26
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明提供具有高可靠性的半导体装置。半导体装置包括：第一栅电极；第一栅电极之上的包含具有多晶结构的第一氧化物半导体的氧化物半导体层；与氧化物半导体层电连接的源电极及漏电极；和源电极及漏电极之上的与第一栅电极及氧化物半导体层重叠的第二栅电极，在俯视观察下，第二栅电极与源电极及漏电极分别具有间隙地配置，第二栅电极与第一栅电极电连接。
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