公开(公告)号：CN102414580A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN200980159033.8

申请日：2009-04-30

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 铃木准一 ,  佐藤贤治 ,  岸本荣俊

IPC: G01T1/24 ,  H01L27/14 ,  H01L31/09

CPC classification number: H01L31/115 ,  H01L27/14659 ,  H01L31/02005

Abstract: 本发明提供一种放射线检测器，根据本发明的放射线检测器，使导板(5a)作为形成为面状的板材而介于之间地连接用于施加偏压的共用电极(3)与用于提供偏压的引线(4)。在共用电极(3)上不直接连接引线(4)而是连接导板(5a)，因此能够防止损伤放射线感应型半导体(2)，能够避免性能的降低。另外，导板(5a)形成为面状，因此，即使使用电阻值高的导电糊剂也能够降低连接电阻，成为与使用了银糊剂时同等的程度。也就是说，导电糊剂的选择范围扩大。另外，不使用绝缘性基座就能够进行连接，能够避免性能的降低。其结果是不使用绝缘性基座就能够避免性能的降低。

公开(公告)号：CN101971338A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980108407.3

申请日：2009-04-07

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 佐藤贤治

IPC: H01L27/14 ,  G01T1/24

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L31/0203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种辐射检测器，在辐射线感应型的半导体层、载流子选择性的高阻抗膜及共用电极的露出面上与硬化性合成树脂膜之间具有绝缘的非胺系的壁垒层。能够由该壁垒层进一步抑制半导体层和硬化性合成树脂膜的化学反应，能够防止流经半导体层的暗电流的增加。另外，由于壁垒层和半导体层不发生化学反应，所以也不会使半导体层劣化。另外，通过在硬化性合成树脂膜的上表面设有辅助板，从而能够制造不产生因温度变化引起的翘曲和龟裂的辐射检测器。

公开(公告)号：CN101390213A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200680053379.6

申请日：2006-02-23

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 佐藤贤治 ,  铃木准一 ,  渡谷浩司

IPC: H01L27/14

CPC classification number: H01L31/115 ,  G01T1/244 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14676 ,  H01L31/02002 ,  H01L31/0203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种放射线检测器，其中位于共用电极向引线的连接部分上的部位在不到放射线检测有效区域的范围内比半导体的其他部位以凹状凹陷形成，以掩埋该位于连接部分上的部位的方式配设绝缘性的台座，共用电极至少覆盖上述的台座的一部分形成，引线与共用电极的入射面中位于台座的部位连接形成，所以能够避免因共用电极连接引线而引起的性能低下，并且能够避免热变形应力或放射线衰减问题。

公开(公告)号：CN1270390C

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN03127856.6

申请日：2003-08-12

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 佐藤贤治 ,  佐藤敏幸

IPC: H01L31/00 ,  H01L27/14 ,  G01J1/02 ,  G01T1/00 ,  A61B6/00

CPC classification number: G01T1/24

Abstract: 一种用于探测入射辐射的空间分布的辐射探测器，包括：一个辐射敏感的半导体；在半导体的一个表面上形成的公共电极，用于接纳偏置电压；在半导体的另一个表面上形成的多个分段式电极，用于输出在半导体内由入射辐射产生的电荷，作为电信号；和，一个光照射机构，用于至少在辐射探测期间发射光。

公开(公告)号：CN1235059C

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN02105818.0

申请日：2002-04-11

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 佐藤贤治 ,  吉牟田利典 ,  德田敏

IPC: G01T1/24

CPC classification number: H01L31/0216 ,  H01L27/14676 ,  H01L31/0203

Abstract: 以覆盖非晶半导体厚膜的整个表面这样一种方式在放射线灵敏型非晶半导体厚薄膜与电压施加电极之间形成抗溶解和载流子可选高阻薄膜。此外，在非晶半导体厚膜、抗溶解和载流子可选高阻薄膜、和电压施加电极的上面形成的、和以覆盖顶层表面这样一种方式通过高耐压硬化合成树脂固定在上面的顶层表面上，形成热胀系数与绝缘基底的热胀系数相当的绝缘辅助板件。

公开(公告)号：CN1540364A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN200410031997.3

申请日：2004-03-31

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 佐藤贤治 ,  渡谷浩司

IPC: G01T1/16 ,  G02B6/42

CPC classification number: G01T1/244 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14676 ,  H01L2924/0002 ,  H04N5/32 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种放射线图像拾取设备，与匣表面罩部件对应的部分是使用不导电材料而形成的。构造是使用绝缘物质、绝缘板构件和绝缘堰构件而塑模的，以覆盖活性矩阵衬底上的整个放射线敏感半导体和电压施加电极。从匣的外框至电压施加电极的边缘的区域由屏蔽构件来屏蔽，以从绝缘板构件上方覆盖除电压施加电极正上方的部件以外的其他任何区域。

公开(公告)号：CN1148807C

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN00123847.7

申请日：2000-08-22

Applicant: 株式会社岛津制作所 ,  新电元工业株式会社 ,  山梨电子工业株式会社

Inventor： 佐藤贤治 ,  佐藤正仁

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/09

CPC classification number: H01L27/14676 ,  H01L27/14609 ,  H01L31/0376 ,  Y02E10/50

Abstract: 在厚的非晶形半导体层与加压电极之间的整个区域形成载流子选择高阻薄膜，无电极区在加压电极四周。于是，利用载流子选择高阻薄膜的载流子选择性，使暗电流受到抑制，而不消弱信号响应特性。被载流子选择高阻薄膜覆盖的厚的非晶形半导体层保持有效的表面电阻。在加压电极四周的无电极区产生足够的表面电压耐受能力，抑制因偏压所致的蠕缓放电。因此，通过给加压电极加以较高的偏压而得到充分的检测灵敏度。

公开(公告)号：CN1286406A

公开(公告)日：2001-03-07

申请号：CN00123847.7

申请日：2000-08-22

Applicant: 株式会社岛津制作所 ,  新电元工业株式会社 ,  山梨电子工业株式会社

Inventor： 佐藤贤治 ,  佐藤正仁

IPC: G01T1/24 ,  H01L31/00

CPC classification number: H01L27/14676 ,  H01L27/14609 ,  H01L31/0376 ,  Y02E10/50

Abstract: 在厚的非晶形半导体层与加压电极之间的整个区域形成载流子选择高阻薄膜,无电极区在加压电极四周。于是,利用载流子选择高阻薄膜的载流子选择性,使暗电流受到抑制,而不消弱信号响应特性。被载流子选择高阻薄膜覆盖的厚的非晶形半导体层保持有效的表面电阻。在加压电极四周的无电极区产生足够的表面电压耐受能力,抑制因偏压所致的蠕缓放电。因此,通过给加压电极加以较高的偏压而得到充分的检测灵敏度。