公开(公告)号：CN105702873A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610232785.4

申请日：2012-03-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  濑尾哲史 ,  下垣智子 ,  大泽信晴 ,  井上英子 ,  门间裕史 ,  尾坂晴惠

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L51/504 ,  H01L27/3209 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L2251/5346 ,  H01L2251/5376 ,  H01L2251/5384 ,  H01L51/50 ,  H01L51/0032 ,  H01L51/5012

Abstract: 提供一种具有25％左右的极高的效率的发光元件。发光元件包括包含磷光客体、n型主体及p型主体的发光层，发光层夹在含n型主体的n型层与含p型主体的p型层之间，并且在发光层中n型主体和p型主体可以形成激基复合物。在实现1200cd/m2的亮度的低驱动电压(2.6V)下，发光元件显示极高的发光效率(74.3lm/W的功率效率，24.5％的外部量子效率，19.3％的能量效率)。

公开(公告)号：CN103518270A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201280022226.0

申请日：2012-03-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 濑尾哲史 ,  下垣智子 ,  大泽信晴 ,  井上英子 ,  门间裕史 ,  尾坂晴惠 ,  山崎舜平

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L51/5028 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/185 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5024 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明提供一种磷光化合物的使用量少且发光效率高或者寿命长的发光元件。本发明提供一种发光元件，该发光元件包括一对电极之间的发光层，该发光层包含磷光化合物、第一有机化合物及第二有机化合物，并且，第一有机化合物及第二有机化合物的组合形成激基复合物。该发光元件利用激基复合物的发射光谱与磷光化合物的吸收光谱的重叠进行能量转移，因此即使磷光化合物的浓度低，能量转移效率也很高。

公开(公告)号：CN103518268A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201280015574.5

申请日：2012-03-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  濑尾哲史 ,  下垣智子 ,  大泽信晴 ,  井上英子 ,  门间裕史 ,  尾坂晴惠

IPC: H01L51/50

CPC classification number: H01L51/504 ,  H01L27/3209 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L2251/5346 ,  H01L2251/5376 ,  H01L2251/5384

Abstract: 提供一种具有25%左右的极高的效率的发光元件。发光元件包括包含磷光客体、n型主体及p型主体的发光层，发光层夹在含n型主体的n型层与含p型主体的p型层之间，并且在发光层中n型主体和p型主体可以形成激基复合物。在实现1200cd/m2的亮度的低驱动电压（2.6V）下，发光元件显示极高的发光效率（74.3lm/W的功率效率，24.5%的外部量子效率，19.3%的能量效率）。

公开(公告)号：CN101691366B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN200810179733.0

申请日：2008-11-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 门间裕史 ,  川上祥子 ,  下垣智子 ,  濑尾哲史

IPC: C07D413/10 ,  C07D413/14 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

CPC classification number: C09K11/06 ,  C07D413/10 ,  C07D413/14 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/1048 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/5048 ,  Y10S428/917

Abstract: 本发明的目的在于：提供一种新的喹喔啉衍生物；提供一种驱动电压低的发光元件；提供耗电少的发光元件；以及提供通过使用这些发光元件提供低耗电的发光装置及电子设备。本发明提供以通式(G11)表示的喹喔啉衍生物，它具有喹喔啉的二位或三位的至少一方的碳和苯并噁唑的二位的碳介由亚芳基彼此键合的结构。

公开(公告)号：CN102108080A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201010619573.4

申请日：2010-12-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 川田优子 ,  门间裕史 ,  尾坂晴惠 ,  大泽信晴 ,  濑尾哲史

IPC: C07D409/10 ,  C07D405/10 ,  H01L51/54 ,  H01L51/50

CPC classification number: C09K11/06 ,  C07D405/10 ,  C07D409/10 ,  C09K2211/1088 ,  C09K2211/1092 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5072 ,  H05B33/20

Abstract: 本发明的目的是提供以下对象：一种新颖的杂环化合物，可以用作将发光元件中发光层的发光物质分散于其中的材料；具有高电子传输性质的新颖杂环化合物；具有高电流效率的发光元件；和各自具有降低的功率消耗的发光器件、电子器件和照明器件。提供了可由以下通式(G1-1)或(G1-2)表示的杂环化合物，以及各自包含该杂环化合物的发光元件、发光器件、电子器件和照明器件。使用通式(G1)或(G2)表示的杂环化合物能够提供具有高电流效率的发光元件，还提供降低了功率消耗的发光器件、电子器件和照明器件。

公开(公告)号：CN101899037A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010158592.1

申请日：2010-03-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野村洸子 ,  门间裕史 ,  川上祥子 ,  大泽信晴 ,  濑尾哲史

IPC: C07D403/10 ,  C07D249/08 ,  C07D231/12 ,  C09K11/06 ,  F21K2/08 ,  H01L51/54 ,  H05B33/00

Abstract: 本发明涉及具有杂芳环的衍生物、使用具有杂芳环的衍生物的发光元件、发光装置、照明装置以及电子设备。本发明的目的之一在于提供一种新的具有杂芳环的双极性衍生物作为激发能大的物质。提供一种由通式(G1)表示的具有杂芳环的衍生物。在通式中，R11至R20分别表示氢、碳数为1至4的烷基、形成环的碳数为6至10的芳基。另外J表示取代或未取代的形成环的碳数为6至12的亚芳基。另外，α，β还可以互相结合形成咔唑骨架。另外Het表示通式(S1-1)及通式(S1-2)表示的取代基。在通式(S1-1)及通式(S1-2)中，Ar1至Ar4分别表示取代或未取代的形成环的碳数为6至10的芳基。R1表示氢原子、碳数为1至4的烷基、形成环的碳数为6至10的芳基。

公开(公告)号：CN101851230A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010157313.X

申请日：2010-03-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野村洸子 ,  门间裕史 ,  川上祥子 ,  大泽信晴 ,  濑尾哲史

IPC: C07D403/10 ,  C07D209/86 ,  C07D231/12 ,  C07D249/08 ,  C09K11/06 ,  F21K2/08 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明涉及杂环化合物、使用杂环化合物的发光元件、发光装置、照明装置及电子设备。本发明的目的在于提供一种具有双极性的新的杂环化合物。本发明的另一目的在于提供一种发光效率高的发光元件、发光装置及电子设备。本发明提供由通式(G1)表示的杂环化合物及使用由通式(G1)表示的杂环化合物形成的发光元件、发光装置及电子设备。通过将由通式(G1)表示的杂环化合物用于发光元件、发光装置及电子设备，可以得到发光效率高的发光元件、发光装置及电子设备。

公开(公告)号：CN115280568A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202180020794.6

申请日：2021-03-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 门间裕史 ,  栗城和贵 ,  米田祐美子 ,  荻田香 ,  田中文子 ,  门马洋平 ,  山崎舜平

IPC: H01M10/052 ,  H01M4/13 ,  H01M4/134 ,  H01M4/139 ,  H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0565 ,  H01M10/058

Abstract: 使聚合物电解质和活性物质层的界面接触变好。提供一种放电容量得到提高的二次电池。二次电池包括正极、负极以及正极和负极之间的电解质层，正极在正极集流体上包括正极活性物质、第一锂离子传导聚合物、第一锂盐以及导电材料，电解质层包括第二锂离子传导聚合物以及第二锂盐。导电材料优选为石墨烯。负极也优选在负极集流体上包括负极活性物质、第三锂离子传导聚合物、第三锂盐以及第二导电材料。

公开(公告)号：CN113631550A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202080022437.9

申请日：2020-03-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 门间裕史 ,  濑尾哲史 ,  奥山拓梦 ,  桥本直明 ,  滝田悠介 ,  铃木恒德

IPC: C07D401/10 ,  C07D403/10 ,  C07D241/42 ,  H01L51/50

Abstract: 提供一种新颖有机化合物的喹喔啉衍生物。通式(G1)所示的喹喔啉衍生物具有如下结构：喹喔啉骨架与蒽骨架的9位键合，该蒽骨架的10位与杂芳环键合，该杂芳环的3位含有氮。在上述通式(G1)中，a及b分别独立地表示取代或未取代的形成环的碳原子数为6至13的亚芳基。此外，m及n分别独立地为0、1或2。

公开(公告)号：CN112864380A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011363231.0

申请日：2020-11-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 门马洋平 ,  门间裕史 ,  小松良宽 ,  S·嵯峨 ,  山崎舜平

IPC: H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/0525

Abstract: 提供一种由充放电循环引起的容量下降得到抑制的正极活性物质。此外，提供一种即使反复充放电也不容易崩塌结晶结构的正极活性物质。本发明的一个方式是一种包含钛、镍、铝、镁、氟的正极活性物质，在其表面上的凸部包括钛、镍及镁不均匀地分布的区域。优选不在凸部而在正极活性物质的表层部铝不均匀地分布。