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公开(公告)号：CN112864380A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011363231.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0525
Abstract: 提供一种由充放电循环引起的容量下降得到抑制的正极活性物质。此外，提供一种即使反复充放电也不容易崩塌结晶结构的正极活性物质。本发明的一个方式是一种包含钛、镍、铝、镁、氟的正极活性物质，在其表面上的凸部包括钛、镍及镁不均匀地分布的区域。优选不在凸部而在正极活性物质的表层部铝不均匀地分布。
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