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公开(公告)号:CN103748035B
公开(公告)日:2016-02-10
申请号:CN201280040240.3
申请日:2012-07-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/192 , C01B32/23 , H01M4/366 , H01M4/625 , H01M10/0525
Abstract: 通过在溶液中将石墨和包含碱金属盐的氧化剂混合,来形成第一沉淀物。接着,使用酸性溶液使第一沉淀物所包含的氧化剂电离,并从第一沉淀物去除氧化剂,来形成第二沉淀物。然后,通过以下制备分散有氧化石墨烯的分散液:将第二沉淀物和水混合形成混合液,然后对混合液施加超声波或机械搅拌混合液,使氧化石墨烯从氧化石墨分离,所述氧化石墨为第二沉淀物中包含的并且被氧化的石墨。接着,将分散液、碱性溶液及有机溶剂混合,并使分散液所包含的氧化石墨烯与碱性溶液所包含的碱彼此反应,由此形成氧化石墨烯盐。
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公开(公告)号:CN104781954A
公开(公告)日:2015-07-15
申请号:CN201380058332.9
申请日:2013-10-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 在锂离子电池或锂离子电容器的反复充放电循环中,通过尽可能抑制作为充放电的副反应发生的电解液的分解反应,改善锂离子电池或锂离子电容器的长期循环特性。蓄电装置用电极包括集流体以及该集流体上的活性物质层。活性物质层包括多个活性物质粒子及氧化硅。活性物质粒子中的一个的表面具有与其他活性物质粒子中的一个接触的区域。该区域以外的活性物质粒子的表面的一部分或全部被氧化硅覆盖。
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公开(公告)号:CN103765641A
公开(公告)日:2014-04-30
申请号:CN201280041901.4
申请日:2012-08-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01G9/042 , B82Y30/00 , H01M4/5825 , H01M4/622 , H01M4/625 , H01M10/04 , Y10T29/417 , Y10T29/49115
Abstract: 至少使包含锂的水溶液A、包含铁、锰、钴或镍的水溶液B以及包含磷酸的水溶液C之一包含氧化石墨烯。通过将水溶液A滴入水溶液C制备包含沉淀物D的混合液E,通过将水溶液E滴入水溶液B制备包含沉淀物F的混合液G,通过在加压气氛下对混合液G进行加热处理制备混合液H,然后对混合液H进行过滤。由此获得粒径小的含有锂及氧的化合物的粒子。
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公开(公告)号:CN103715400A
公开(公告)日:2014-04-09
申请号:CN201310467411.7
申请日:2013-10-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/36 , H01M4/587 , H01M4/62 , H01M10/0525
CPC classification number: H01G9/042 , H01G11/06 , H01G11/26 , H01G11/50 , H01M4/02 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/366 , H01M10/0525 , Y02E60/122 , Y02E60/13
Abstract: 本发明涉及蓄电装置用电极材料、蓄电装置以及电气设备。本发明的目的之一是提高蓄电装置的可靠性。在使用包含碳的粒状活性物质的情况下,在该粒状活性物质的表面的一部分上形成该粒状活性物质所含的碳原子通过氧原子与金属原子或硅原子键合的网状结构。通过形成上述网状结构,抑制电解液的还原分解且实现不可逆容量的减少。另外,通过构成使用上述网状结构的蓄电装置,提高循环特性,实现可靠性的提高。
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公开(公告)号:CN102810672A
公开(公告)日:2012-12-05
申请号:CN201210179710.6
申请日:2012-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/62 , H01M4/134 , H01M10/0525 , H01M10/058
CPC classification number: H01M4/364 , H01M4/134 , H01M4/386 , H01M10/0525 , Y10T29/43 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明提供蓄电装置及其制造方法。本发明的一个方式提供一种起因于伴随充放电的硅的体积变化的电池特性的劣化得到抑制的锂离子二次电池。负极包含粒子状或晶须状的硅,该硅粒子或硅晶须的表面被由通过使氧化石墨烯还原而形成的1层至50层的石墨烯构成的碳膜覆盖。至于碳膜,因为分子间键合力强的sp2键与硅表面大致平行,所以在硅膨胀时碳膜也不会破裂,而可以防止硅的破碎。另外,由此形成的碳膜具有适当的间隙,在硅膨胀时能够伸缩,并且该间隙可以透过锂离子。另外,碳膜还有防止硅与电解液起反应的效果。
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