公开(公告)号：CN1201245A

公开(公告)日：1998-12-09

申请号：CN98106642.9

申请日：1998-03-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 关经世 ,  山本敦史 ,  草野贵史 ,  奥富功

IPC: H01H33/66

CPC classification number: H01H1/0203 ,  B22F1/0003 ,  H01H1/0206

Abstract: 本发明的真空电子管用接点材料是通过混合耐弧成分粉末和导电成分粉末的工序、成形工序、使成形体在导电成分的融点以下烧结的工序制造而成的且它使电弧的断开性能得到改善。

公开(公告)号：CN1192573A

公开(公告)日：1998-09-09

申请号：CN98105126.X

申请日：1998-01-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥富功 ,  山本敦史 ,  大岛岩 ,  关经世 ,  长部清 ,  草野贵史 ,  关口薰旦

IPC: H01H33/66 ,  H01H1/02

Abstract: 本发明的真空开关的触点材料是由74～88%(重量)的平均粒径0.4～6μm的W、0.001～5%(重量)的平均粒径0.4～4μm的Mo、余量为Cu组成的合金,以W、Mo一体化、其平均粒径处于0.4～10μm的范围作为构成。通过达到如以上那样,提高再点弧性能和耐电弧消耗性能。

公开(公告)号：CN1112722A

公开(公告)日：1995-11-29

申请号：CN94101048.1

申请日：1994-02-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 关经世 ,  奥富功 ,  山本敦史

IPC: H01H1/02

CPC classification number: H01H1/0203

Abstract: 一种用于真空管的触点材料，它包括：一类耐电弧成分，该耐电弧成分包含至少从一组金属中选择出来的一种金属，上述金属组有：铬、钛、锆、钒及钇。一类辅助成分，该辅助成分包含至少从一组金属中选择出来的一种金属，上述金属组有：钽、铌、钨及钼，以及一类导电成分，该导电成分包含至少从一组金属中选择出来的一种金属，上述金属组有铜及银。在上述触点材料中，耐电弧成分的含量按体积计为10％至70％，上述耐电弧成分与上述辅助成分的总含量按体积计不超过75％，其余为导电成分的含量。

公开(公告)号：CN1030360C

公开(公告)日：1995-11-22

申请号：CN92112871.1

申请日：1992-11-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥富功 ,  渡边博 ,  山添浩 ,  铃木秀夫 ,  长部清 ,  関世 ,  菅井普三 ,  辻本和也 ,  山本敦史

IPC: H01H33/66 ,  C22C9/06

CPC classification number: H01H33/66207 ,  H01H2033/66223

Abstract: 一种真空断路器，包括一真空容器。这真空容器包括一由陶瓷制造并在其两端有开口的绝缘管，和分别密封这些开口的密封金属。在真空容器内，设置有一对电极，使这些电极可彼此接触或分离。构成至少其中一个密封金属的材料成分，按重量百分比计，则含25～55%的镍，0.02～1.0%的硅，其余成分基本是铜，最好材料的组成还包括：按重量百分比计总含量为0.02～1.5%的硅和锰和/或总含量为5%或更少的铁和钴。

公开(公告)号：CN1072797A

公开(公告)日：1993-06-02

申请号：CN92112871.1

申请日：1992-11-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥富功 ,  渡辺博 ,  山添浩 ,  铃木秀夫 ,  长部清 ,  関世 ,  菅井普三 ,  辻本和也 ,  山本敦史

IPC: H01H33/66 ,  H01H1/02

CPC classification number: H01H33/66207 ,  H01H2033/66223

Abstract: 一种真空断路器，包括一真空容器。这真空容器包括一由陶瓷制造并在其两端有开口的绝缘管，和分别密封这些开口的密封金属。在真空容器内，设置有一对电极，使这些电极可彼此进行可拆卸式接触。构成至少其中一个密封金属的材料成分，按重量百分比计，则含25～55％的镍，0.02～1.0％的硅，其余成分基本是铜，最好材料的组成还包括：按重量百分比计总含量为0.02～1.5％的硅和锰和/或总含量为5％或更少的铁和钴。

公开(公告)号：CN1058116A

公开(公告)日：1992-01-22

申请号：CN91104551.1

申请日：1991-06-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 关经世 ,  奥富功 ,  山本敦史 ,  乙部清文 ,  关口薰旦

IPC: H01H33/66 ,  H01H1/02

CPC classification number: H01H11/048 ,  H01H1/0206

Abstract: 本发明涉及一种由触头成型材料加工而得的真空断路器触头，其特征是：其中含有重量百分比为20％-60％的Cr，占Cu和Bi总重量的0.05％-1.0％的Bi元素，其余部分实质上为Cu，并形成一个触头形状，然后将所加工的材料进行真空热处理，这种真空断路器的触头不仅具有优良的耐熔焊特性，而且具有优良的耐压特性。