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公开(公告)号：CN101202103B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200710160031.3
申请日：2004-04-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06K19/06187 , G11C11/16
Abstract: 提供能缩短数据传输时间的数据复制方法等，此方法包括经由网络连接数据复制装置与服务器的步骤、从此服务器的数据库中选择第一数据的步骤、将此第一数据下载到上述复制装置中的步骤、将此下载的上述第一数据写入第一磁存储器中的步骤、将第二磁存储器设于上述数据复制装置中的步骤、使上述第一磁存储器与第二磁存储器靠近以对上述第二磁存储器进行磁性复制而由此将第二数据写入上述第二磁存储器中的步骤。
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公开(公告)号：CN100580968C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710141632.X
申请日：2007-08-17
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y25/00 , H01F10/123 , H01F10/3236 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01L43/08 , Y10S977/935
Abstract: 本发明涉及磁阻元件和磁存储器。一种磁阻元件(10)包括：包含磁性材料并具有(001)面取向的fct晶体结构的自由层(12)，该自由层(12)具有与膜面垂直并具有可通过自旋极化电子改变的方向的磁化；夹住自由层(12)并具有四方晶体结构和立方晶体结构中的一个的第一非磁性层(13)和第二非磁性层(14)；和仅被设置在自由层(12)的一侧和第一非磁性层(13)的与具有自由层(12)的表面相对的表面上并包含磁性材料的固定层(11)，该固定层(11)具有与膜面垂直并具有固定方向的磁化。
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公开(公告)号：CN101409326A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810169881.4
申请日：2008-10-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y25/00 , G11C11/15 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01F10/123 , H01F10/325 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件以及磁随机存取存储器。磁阻效应元件具备基准层、记录层、以及非磁性层。基准层由磁性材料构成，具有朝向相对膜面垂直方向的第1磁化，且磁化的方向不变。记录层由磁性材料构成，具有朝向相对膜面垂直方向的第2磁化，且磁化的方向可变。上述非磁性层被设置在基准层与记录层之间。由记录层的磁各向异性、饱和磁化以及交换结合决定的、单磁区状态成为唯一的稳定状态的临界直径(单轴临界直径Ds*)、或者单磁区状态为唯一的稳定状态、且即使在反转过程中也一边保持单磁区状态一边反转的临界直径(单轴反转临界直径Ds)大于磁阻效应元件的元件直径。
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公开(公告)号：CN101399313A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810215232.3
申请日：2008-09-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/228 , Y10S977/935
Abstract: 本发明提供一种磁阻元件(10)包括：具有与膜面垂直方向的磁各向异性，且磁化方向被固定的参照层(15)；由磁性层与非磁性层交互地经过层叠的层状结构组成，且具有与膜面垂直方向的磁各向异性，且磁化方向可以变化的记录层(17)；以及被设置在上述参照层(15)与上述记录层(17)之间，且由非磁性材料组成的中间层(16)。其中，构成上述记录层(17)的磁性层之中与上述中间层(16)相接的磁性层(17A－1)，由包含钴(Co)及铁(Fe)的合金组成，且其膜厚大于与上述中间层(16)不相接的磁性层的膜厚。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101154707A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710152885.7
申请日：2007-09-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , G11C11/16
Abstract: 一种磁阻效应元件(1)，包括具有基本上固定磁化方向的磁化固定层(3)。磁化可变层(2)具有可变磁化方向，由具有BCC结构并且由Fe1－x－yCoxNiy(0≤x+y≤1，0≤x≤1，0≤y≤1)表示的磁性合金组成，并且包含0＜a≤20at％(a是含量)范围内的V，Cr和Mn中至少一种添加元素。中间层(4)置于磁化固定层(3)和磁化可变层(2)之间并且由非磁性材料组成。由经过磁化固定层(3)、中间层(4)和磁化可变层(2)的双向电流翻转磁化可变层(2)的磁化方向。
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公开(公告)号：CN101093721A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710085788.0
申请日：2007-03-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y25/00 , H01F10/123 , H01F10/325 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01L27/226 , H01L43/08
Abstract: 一种磁阻元件，包括：第一磁性参考层(11)，具有固定的磁化方向；磁性自由层(13)，可以通过提供自旋极化电子改变其磁化方向；第二磁性参考层(15)，具有固定的磁化方向；第一中间层(12)，提供在第一磁性参考层与磁性自由层之间；以及，第二中间层(14)，提供在磁性自由层与第二磁性参考层之间。磁性自由层(13)与第一磁性参考层(11)具有与平面内方向垂直或平行的易磁化方向。第一磁性参考层(11)与第二磁性参考层(15)具有相互垂直的易磁化方向。
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公开(公告)号：CN1206624C
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN00135320.9
申请日：2000-09-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/00 , G11B5/012 , G11B5/3106 , G11B2005/0029 , Y10T29/49032 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49815
Abstract: 本发明的目的是通过以微小量正确且再现性良好地控制主磁极、辅助磁极、线圈、回程偏转线圈距媒体对向面的凹槽量，提供一种使产生的磁场稳定而且倍增的磁头以及其制造方法和磁记录装置。在与媒体对向面平行设置的薄膜上，使薄膜状磁单元叠层，构成磁头。在薄膜上设置开口，主磁极的一部分具有在该开口延出的尖端部。这样，可以高精度地控制薄膜状磁单元距媒体对向面的凹槽量，同时，主磁极尖端部的突出量也可由薄膜的膜厚极微小且精密地控制。其结果将使在主磁极尖端部的记录磁场强度增大到最终值，从而提供一种可在高密度对应的高保持力的媒体上进行记录的磁头。
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公开(公告)号：CN1574072A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410061664.5
申请日：2004-06-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明的磁随机存取存储器设备使“0”、“1”的信息与具有非磁性层和2层磁性层的MTJ元件的因2层磁性层的磁化排列状态而变化的电阻值对应。在与MTJ元件接近配置的写入布线中流过电流而产生感应磁通，并使MTJ元件的2层磁性层中的一个的记录层的磁化变化而写入信息的MRAM中，MTJ元件是2层磁性层的磁化方向朝向膜面垂直方向的垂直型的MTJ元件。写入布线被配置在与MTJ元件的厚度方向垂直的方向上，在MTJ元件的磁性层的磁化方向上施加产生的磁场。磁轭从厚度方向夹着MTJ元件，向MTJ元件的磁性层施加基于写入布线而产生的磁场。
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