公开(公告)号：CN1461703A

公开(公告)日：2003-12-17

申请号：CN03142519.4

申请日：2003-05-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 友泽淳 ,  藤井映志 ,  鸟井秀雄 ,  村田晶子 ,  高山良一 ,  平泽拓

IPC: B41J2/14 ,  B41J2/16 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22

CPC classification number: G01C19/5607 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1645 ,  B41J2/1646 ,  B41J2002/14491 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316

Abstract: 一种压电元件，在基板11上设置第1电极层14，该第1电极层由添加了从Mg、Ca、Sr、Ba和Al以及它们的氧化物的组中选择的至少一种添加物的贵金属构成，在该第1电极层14上设置取向控制层15，该取向控制层由优先取向于立方晶系或正方晶系的(100)面或(001)面的钙钛矿型氧化物构成，在该取向控制层15上形成压电体层16，该压电体层由优先取向于菱面体晶系或正方晶系的(001)面的钙钛矿型氧化物构成。

公开(公告)号：CN1458910A

公开(公告)日：2003-11-26

申请号：CN02800576.7

申请日：2002-03-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川真也 ,  金井美纪江 ,  纸本徹也 ,  鸟井秀雄

IPC: C03C8/10 ,  G11B5/127

CPC classification number: C03C8/245 ,  G11B5/102 ,  G11B5/1276 ,  G11B5/1878 ,  G11B5/232 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/53

Abstract: 提供用于适合高密度记录的磁记录/再现设备的磁头，其中，使用有高饱和磁通密度的金属磁膜并提高用于磁头密封玻璃的机械强度；从而获得高可靠性、高性能的磁头，还提供使用该磁头的磁记录/再现设备。用于磁头的密封玻璃具有下列组成：(折算成氧化物)17.2－25重量％的SiO2、1－10重量％的B2O3、58－75重量％的PbO、0.2－7重量％的Al2O3和ZnO中的至少一种以及0.2－5重量％的Na2O和K2O中的至少一种；再提供使用了该密封玻璃的磁头和磁记录/再现设备。

公开(公告)号：CN1083104C

公开(公告)日：2002-04-17

申请号：CN94119861.8

申请日：1994-12-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林重德 ,  鸟井秀雄 ,  鎌田健 ,  平尾孝

IPC: G01L1/14

CPC classification number: G01L9/0072 ,  G01D5/2417 ,  G01P15/125 ,  Y10T29/43

Abstract: 把KBr等碱金属卤化物材料2溶融并充填在绝缘体板1的厚度方向上设置的贯通孔1a。在贯通孔1a内填埋的碱金属卤化物材料2及其周边的表面形成导电性薄膜4之后，用水洗方法将碱金属卤化物材料2溶解并除去，贯通孔1a与导电性薄膜4构成膜片。将由导电性薄膜4的里外压力差产生的膜片变形作为导电性薄膜4与电极层6之间的静电电容的变化检测出来。从而得到小型高灵敏度的静电电容型压力传感器。

公开(公告)号：CN1052299C

公开(公告)日：2000-05-10

申请号：CN96190708.8

申请日：1996-05-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 鸟井秀雄 ,  镰田健 ,  友泽淳 ,  藤井映志 ,  高山良一 ,  森分博纪

IPC: G01K7/16 ,  G01K7/22 ,  H01C7/04

CPC classification number: G01K7/22 ,  G01K7/223 ,  H01C7/023

Abstract: 一种测定汽车发动机排放的气体温度用的温度传感元件，它备有平板状金属支撑体、位于上述支撑体上的第1电绝缘膜、位于上述第1电绝缘膜上的备有一对电极的热敏膜、及位于上述热敏膜上的第2电绝缘膜。该温度传感元件耐热冲击性好、而且不需要耐热帽、热容量小，所以热应答性能好。

公开(公告)号：CN1107970A

公开(公告)日：1995-09-06

申请号：CN94119861.8

申请日：1994-12-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林重德 ,  鸟井秀雄 ,  鎌田健 ,  平尾孝

IPC: G01L1/14

CPC classification number: G01L9/0072 ,  G01D5/2417 ,  G01P15/125 ,  Y10T29/43

Abstract: 把KBr等碱金属卤化物材料2熔融并充填在绝缘体板1的厚度方向上设置的贯通孔1a。在贯通孔1a内填埋的碱金属卤化物材料2及其周边的表面形成导电性薄膜4之后，用水洗方法将碱金属卤化物材料2溶解并除去，贯通孔1a与导电性薄膜4构成膜片。将由导电性薄膜4的里外压力差产生的膜片变形作为导电性薄膜4与电极层6之间的静电电容的变化检测出来。从而得到小型高灵敏度的静电电容型压力传感器。