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公开(公告)号：CN110133029B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201910250908.0
申请日：2019-03-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N23/2251 , G01N23/20091 , G01R33/14 , H01F41/02 , C23C14/58 , C23C14/35
Abstract: 本领域涉及稀土永磁材料领域，为解决现有方法在不同体系的扩散介质中寻找最佳的成分点时过程极为繁琐，效率低下成本高的问题，本发明提供了一种钕铁硼磁体中高通量设计晶界扩散物成分的方法。所述方法包括以下步骤：1)前处理：对磁体进行处理得到待扩散磁体；2)磁控溅射：对待扩散磁体进行表面处理并进行磁控溅射，在磁体表面制得扩散介质薄膜，得到镀膜磁体；3)成分检测：通过能谱分析扩散介质薄膜各区域的元素分布规律以及原子比；4)热处理：对镀膜磁体进行热处理，冷却后得到待测试样；5)磁性能检测：测试待测试样表面不同部位的磁性能；6)分析：结合成分检测结果和磁性能检测结果并得出最佳成分配比。具有高效的优点。
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公开(公告)号：CN109592635B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201910058713.6
申请日：2019-01-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于纳米复合材料合成技术领域，具体涉及一种可控制备复合型纳米图纹阵列的方法。在有序纳米图纹化结构模板表面溅射一层Ag膜后形成Ag纳米帽子阵列以及Ag纳米三角形阵列；再将Ag纳米帽子阵列倒置转移到另一个Si衬底上，得到二次模板；将PS小球完全刻蚀，得到Ag纳米碗阵列；对PS小球进行刻蚀不同时间，并在其表面溅射沉积一层TiO2膜分别得到Ag‑TiO2‑FON阵列、Ag‑TiO2纳米帽‑星阵列以及Ag‑TiO2纳米环‑粒子阵列。本发明克服了现有技术中的有序纳米结构活性基底的构筑步骤繁琐、有序性与致密度较低，同时制备周期长、费用昂贵、试验条件要求苛刻等缺陷，因而具有均匀性好、有序度高、可重复性强、构筑步骤简单、制备周期较短以及成本较低的优点。
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公开(公告)号：CN111483971A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010053457.4
申请日：2020-01-17
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及纳米复合材料微加工技术领域，公开了一种二轴对称多孔腔状阵列结构及其制备方法。该多孔腔状阵列结构包括若干金纳米碗，每个所述金纳米碗周围均均匀分布有6个金纳米碗；所述每个所述金纳米碗的侧面均设有若干4个小孔；所述小孔设于每个金纳米碗上与另一个金纳米碗的邻近处，且每个金纳米碗上的4个小孔两两相对；彼此相邻的两个所述金纳米碗，其邻近处均设有小孔或均不设有小孔所述多孔腔状阵列结构呈二轴对称。本发明的多孔腔状阵列结构扩大了热点范围，并呈二轴对称，有利于纳米结构阵列的应用。
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公开(公告)号：CN111413312A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010181608.4
申请日：2020-03-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及复合材料的微纳加工技术领域，公开了一种表面粗糙的纳米阵列结构的制备方法，包括以下步骤：通过自组装的方法制备有序的单层聚苯乙烯微球阵列；利用等离子体刻蚀技术对聚苯乙烯微球阵列进行刻蚀，使聚苯乙烯微球直径缩小；利用离子束轰击技术对刻蚀完成的聚苯乙烯微球阵列进行轰击，使聚苯乙烯微球表面变得粗糙；利用磁控溅射技术在轰击完成的聚苯乙烯微球阵列表面溅射纳米阵列结构材料，即获得表面粗糙的纳米阵列结构。通过本发明的制备方法获得的纳米阵列结构中，各纳米粒子表面粗糙，因而具有比表面积大、活性大、光散射增加的优点，且各纳米粒子体积小，整个纳米阵列结构周期性好，在应用上更具优势。
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公开(公告)号：CN111210959A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201911023357.0
申请日：2019-10-25
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及磁性材料领域，尤其涉及一种可通过弯曲或扭转调控磁性及相关磁效应的材料，其化学式为Ni50-aCoaMn35-bFebXc，其中12≤a≤17，0≤b≤10，5≤c≤20，X包括Sn、Ga、In、Si、Ge、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta。该材料的制备方法如下：电弧熔炼高纯度原料得到NiMi基合金块体，将块体在真空下进行熔体快淬后得到相变薄带材料。本发明克服了现有技术中通过施加等静压调控磁性的方法效果单一，且可控性差、施压方式复杂、应用受到限制的缺陷，得到相变合金薄带能够具有在室温附近表现出较大的磁性调控以及大的磁热效应，能够有效应用于磁制冷过程之中，且可通过弯曲或扭转实现应变的输出，从而调控相变合金薄带的磁性及相关磁效应，有效扩展了应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110133029A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910250908.0
申请日：2019-03-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N23/2251 , G01N23/20091 , G01R33/14 , H01F41/02 , C23C14/58 , C23C14/35
Abstract: 本领域涉及稀土永磁材料领域，为解决现有方法在不同体系的扩散介质中寻找最佳的成分点时过程极为繁琐，效率低下成本高的问题，本发明提供了一种钕铁硼磁体中高通量设计晶界扩散物成分的方法。所述方法包括以下步骤：1)前处理：对磁体进行处理得到待扩散磁体；2)磁控溅射：对待扩散磁体进行表面处理并进行磁控溅射，在磁体表面制得扩散介质薄膜，得到镀膜磁体；3)成分检测：通过能谱分析扩散介质薄膜各区域的元素分布规律以及原子比；4)热处理：对镀膜磁体进行热处理，冷却后得到待测试样；5)磁性能检测：测试待测试样表面不同部位的磁性能；6)分析：结合成分检测结果和磁性能检测结果并得出最佳成分配比。具有高效的优点。
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公开(公告)号：CN113981371B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202111218145.5
申请日：2021-10-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了高SERS强度的Ag/SiO2共溅射单层膜制备方法，包括以下步骤：(1)硅片亲水处理；(2)制备Ag/SiO2共溅射单层膜；(3)利用氢氟酸对Ag/SiO2共溅射单层膜进行腐蚀，得高SERS强度Ag/SiO2共溅射单层膜。本发明设计并制备得到了一种可实现比单层金属膜SERS增强效果更高的金属‑绝缘体共溅射膜(Ag/SiO2)，采用较为简单的磁控溅射，从而利用氢氟酸对二氧化硅的腐蚀性，使Ag/SiO2共溅射薄膜中的二氧化硅被不同程度腐蚀，从而留下不同颗粒大小和间隔的银纳米颗粒，提高其单层膜的SERS强度。
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公开(公告)号：CN114486845B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202111665075.8
申请日：2021-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种制备纳米球形蜂窝结构的方法，本发明是以有序聚苯乙烯小球阵列为基础，使用等离子反应刻蚀的技术控制小球半径，用旋涂的方法将掺杂金属颗粒的PVA胶包裹在小球上，以构筑蜂窝结构从而设计热点强度位置，在利用磁控溅射的方式向样品表面共溅射银、二氧化硅膜，对样品进行化学腐蚀，使之小球内壁的金属纳米颗粒与PVA胶中金属纳米颗粒进行耦合，以提高其SERS强度。最终形成球形蜂窝纳米结构，这种结构设计了样品热点位置精确控制热点分布与强度，增强了其SERS强度。
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公开(公告)号：CN113046707B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202110178544.7
申请日：2021-02-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米花阵列结构的制备方法及其应用，涉及纳米复合材料微加工技术领域，包括以下制备步骤：（1）清洗硅片；（2）通过自组装的方法制备得到六方密排聚苯乙烯微球阵列结构；（3）将六方密排聚苯乙烯微球阵列结构进行刻蚀制备得到溅射衬底；（4）在溅射衬底表面进行倾斜、旋转磁控溅射本发明制备得到的纳米花阵列结构由于具备顶端及侧缘尖锐的花瓣结构，该花瓣结构提供了丰富的热点，且花瓣之间距离较小，有利于获得极大的局域耦合场，因此纳米花阵列结构SERS活性高。
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公开(公告)号：CN113385680B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202110547716.3
申请日：2021-05-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B22F9/06 , B22F1/054 , B82Y40/00 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/20 , C23C14/22 , C23C14/35 , C23C14/58 , G01N21/65
Abstract: 本发明涉及纳米复合材料合成技术领域，针对金属纳米片构筑步骤繁琐、制备周期长的问题，提供一种金属纳米片的制备方法，先在硅衬底上自组装出密排的PS胶体球阵列，得到有序PS胶体球阵列模板；再在表面磁控溅射一层金属膜，形成金属纳米帽子阵列(MFON)；然后在表面继续溅射氧化物薄膜，重复溅射金属膜和氧化物薄膜0‑9次得到纳米柱[M/(XaOb)]n(n＝1‑10)多层膜结构；最后除去PS胶体球阵列进行退火处理，即得金属纳米片。本发明将PS胶体球模板和物理沉积技术相结合，步骤简单、金属消耗量少、重复性好，且制得的金属纳米片比表面积大。
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