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公开(公告)号：CN104428901A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201380036463.7
申请日：2013-07-12
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 第一太阳能电池元件在半导体基板的受光面具有受光面电极，在背面具有背面电极及钝化层。第二太阳能电池元件在半导体基板的背面具有p型扩散区域、n型扩散区域及钝化层，在p型扩散区域上具有第一金属电极，在n型扩散区域上具有第二金属电极。第三太阳能电池元件在半导体基板的受光面具有第1杂质扩散层、第2杂质扩散层及受光面电极，在背面具有背面电极，在受光面及背面中的至少一个面具有钝化层。第一～第三太阳能电池元件中的钝化层含有氧化铝。
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公开(公告)号：CN103930950A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201280055775.8
申请日：2012-11-09
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01B1/22 , H01L31/0224
CPC classification number: H01B1/22 , C03C8/18 , C22C9/00 , C22C9/06 , C22C12/00 , C22C13/00 , C22C13/02 , C22C19/00 , C22C19/03 , C22C19/05 , C22C19/058 , C22C38/08 , H01L31/022425 , H01L31/02245 , H01L31/022458 , H01L31/0682 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供一种电极用糊剂组合物，其包含含有磷的铜合金粒子、含有锡的粒子、含有镍的粒子、玻璃粒子、溶剂和树脂。
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公开(公告)号：CN103890960A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280036709.6
申请日：2012-07-24
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01B1/22 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/022425 , H01B1/22 , H01L31/02245 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种元件，其具备：硅基板；电极，其设置在所述硅基板上，是含有含磷的铜合金粒子、玻璃粒子、溶剂及树脂的电极用糊剂组合物的烧成物；和焊料层，其设置在所述电极上并含有助焊剂。
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公开(公告)号：CN103650111A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280031501.5
申请日：2012-07-03
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/225 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/2225 , C03C3/097 , C03C8/08 , C03C8/16 , C03C15/00 , H01L21/2255 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有施主元素且软化温度为500℃以上且900℃以下，平均粒径为5μm以下的玻璃粉末；以及分散介质。
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公开(公告)号：CN103299400A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201280005186.9
申请日：2012-01-11
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/225 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L21/2225 , H01L21/2254 , H01L21/228 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供含有氮化硼、分散介质和无机粘结剂的p型扩散层形成用组合物、具有p型扩散层的硅基板的制造方法、太阳能电池元件的制造方法以及太阳能电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103155166A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048985.X
申请日：2011-11-15
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L21/225
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：对半导体基板的一个面上的部分区域给予含有含n型杂质的玻璃粉末及分散介质的第一用于形成n型扩散层的组合物的工序；对上述半导体基板的给予上述第一用于形成n型扩散层的组合物的面上的、至少上述部分区域以外的区域，给予含有含n型杂质的玻璃粉末及分散介质、且n型杂质浓度比上述第一用于形成n型扩散层的组合物低的第二用于形成n型扩散层的组合物的工序；以及对给予了上述第一用于形成n型扩散层的组合物及第二用于形成n型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层的工序；在上述部分区域上形成电极的工序。
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公开(公告)号：CN104428901B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201380036463.7
申请日：2013-07-12
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 第一太阳能电池元件在半导体基板的受光面具有受光面电极，在背面具有背面电极及钝化层。第二太阳能电池元件在半导体基板的背面具有p型扩散区域、n型扩散区域及钝化层，在p型扩散区域上具有第一金属电极，在n型扩散区域上具有第二金属电极。第三太阳能电池元件在半导体基板的受光面具有第1杂质扩散层、第2杂质扩散层及受光面电极，在背面具有背面电极，在受光面及背面中的至少一个面具有钝化层。第一～第三太阳能电池元件中的钝化层含有氧化铝。
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公开(公告)号：CN105118890B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201510484602.3
申请日：2011-11-15
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/186 , H01L21/2254 , H01L21/2255 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：对半导体基板的一个面上的部分区域给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质的第一用于形成p型扩散层的组合物的工序；对上述半导体基板的给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物的面上的、至少上述部分区域以外的区域，给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质、且p型杂质浓度比上述第一用于形成p型扩散层的组合物低的第二用于形成p型扩散层的组合物的工序；以及对给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物及第二用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成p型扩散层的工序；在上述部分区域上形成电极的工序。
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公开(公告)号：CN104508831B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201380038129.5
申请日：2013-07-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022433 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池元件，其具有：具有受光面及与上述受光面相反侧的背面的半导体基板；配置于上述受光面的一部分且扩散有杂质的第1杂质扩散区域；配置于上述受光面且杂质浓度比第1杂质扩散区域低的第2杂质扩散区域；配置于上述第1杂质扩散区域的至少一部的受光面电极；配置于上述背面上的背面电极；和配置于上述受光面及背面中的至少一方的面上且包含选自Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2中的1种以上化合物的钝化层。
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