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公开(公告)号：CN103155166B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201180048985.X
申请日：2011-11-15
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/18 , H01L21/225
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：对半导体基板的一个面上的部分区域给予含有含n型杂质的玻璃粉末及分散介质的第一用于形成n型扩散层的组合物的工序；对上述半导体基板的给予上述第一用于形成n型扩散层的组合物的面上的、至少上述部分区域以外的区域，给予含有含n型杂质的玻璃粉末及分散介质、且n型杂质浓度比上述第一用于形成n型扩散层的组合物低的第二用于形成n型扩散层的组合物的工序；以及对给予了上述第一用于形成n型扩散层的组合物及第二用于形成n型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层的工序；在上述部分区域上形成电极的工序。
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公开(公告)号：CN103155164B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201180048863.0
申请日：2011-11-15
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/225 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/186 , H01L21/2254 , H01L21/2255 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：对半导体基板的一个面上的部分区域给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质的第一用于形成p型扩散层的组合物的工序；对上述半导体基板的给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物的面上的、至少上述部分区域以外的区域，给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质、且p型杂质浓度比上述第一用于形成p型扩散层的组合物低的第二用于形成p型扩散层的组合物的工序；以及对给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物及第二用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成p型扩散层的工序；在上述部分区域上形成电极的工序。
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公开(公告)号：CN103201849B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201180054497.X
申请日：2011-11-15
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L21/225
CPC classification number: H01L31/068 , H01L21/2254 , H01L21/2255 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其包含以下工序：对半导体基板一个面上的第1区域给予含有包含n型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成n型扩散层的组合物的工序；对位于所述半导体基板的设有所述第1区域的面上且为所述第1区域以外的第2区域给予含有包含p型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成p型扩散层的组合物的工序；对给予了所述用于形成n型扩散层的组合物和用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层和p型扩散层的热扩散工序；和在形成了所述n型扩散层的第1区域和形成了p型扩散层的第2区域分别形成电极的工序。
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公开(公告)号：CN105047545A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510323373.7
申请日：2011-11-15
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/225 , H01L31/18 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/068 , H01L21/2254 , H01L21/2255 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其包含以下工序：对半导体基板一个面上的第1区域给予含有包含n型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成n型扩散层的组合物的工序；对位于所述半导体基板的设有所述第1区域的面上且为所述第1区域以外的第2区域给予含有包含p型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成p型扩散层的组合物的工序；对给予了所述用于形成n型扩散层的组合物和用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层和p型扩散层的热扩散工序；和在形成了所述n型扩散层的第1区域和形成了p型扩散层的第2区域分别形成电极的工序。
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公开(公告)号：CN105118890B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201510484602.3
申请日：2011-11-15
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/186 , H01L21/2254 , H01L21/2255 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：对半导体基板的一个面上的部分区域给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质的第一用于形成p型扩散层的组合物的工序；对上述半导体基板的给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物的面上的、至少上述部分区域以外的区域，给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质、且p型杂质浓度比上述第一用于形成p型扩散层的组合物低的第二用于形成p型扩散层的组合物的工序；以及对给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物及第二用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成p型扩散层的工序；在上述部分区域上形成电极的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104284907B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201380015216.9
申请日：2013-03-08
Applicant: 日立化成株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C08F2/20 , C08F2/44 , C08F292/00 , C09K11/02 , C09K11/576 , C09K11/626 , C09K11/66 , C09K11/666 , C09K11/71 , C09K11/756 , C09K11/7738 , C09K11/7749 , C09K11/7771 , C09K11/7774 , C09K11/7787 , C09K11/7789 , C09K11/7794 , H01L31/055 , Y02E10/52 , Y10T428/2982 , C08F220/14 , C08F2220/1875 , C08F2222/1013 , C08F222/1006 , C08F220/18
Abstract: 本发明是包含无机荧光体与透明材料的含无机荧光体的聚合物粒子。透明材料优选是乙烯基化合物的聚合物即乙烯基树脂。作为乙烯基化合物，优选含有10质量％以上的具有5mPa·s～30mPa·s的粘度(25℃)的乙烯基化合物、或包含具有以下述通式(I‑1)和(I‑2)表示的结构的化合物中的至少一种。式(I‑1)以及(I‑2)中，R1及R2各自独立地表示氢原子或烷基，R1与R2也可以相互连接而形成环。作为无机荧光体，优选是通过表面处理剂进行了表面改性的无机荧光体，更优选表面处理剂为偶联剂，进一步优选偶联剂为具有反应性取代基的有机硅低聚物。
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公开(公告)号：CN104284907A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201380015216.9
申请日：2013-03-08
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: C08F2/44 , C09K11/08 , H01L31/055
CPC classification number: C09K11/7734 , C08F2/20 , C08F2/44 , C08F292/00 , C09K11/02 , C09K11/576 , C09K11/626 , C09K11/66 , C09K11/666 , C09K11/71 , C09K11/756 , C09K11/7738 , C09K11/7749 , C09K11/7771 , C09K11/7774 , C09K11/7787 , C09K11/7789 , C09K11/7794 , H01L31/055 , Y02E10/52 , Y10T428/2982 , C08F220/14 , C08F2220/1875 , C08F2222/1013 , C08F222/1006 , C08F220/18
Abstract: 本发明是包含无机荧光体与透明材料的含无机荧光体的聚合物粒子。透明材料优选是乙烯基化合物的聚合物即乙烯基树脂。作为乙烯基化合物，优选含有10质量％以上的具有5mPa·s～30mPa·s的粘度(25℃)的乙烯基化合物、或包含具有以下述通式(I-1)和(I-2)表示的结构的化合物中的至少一种。式(I-1)以及(I-2)中，R1及R2各自独立地表示氢原子或烷基，R1与R2也可以相互连接而形成环。作为无机荧光体，优选是通过表面处理剂进行了表面改性的无机荧光体，更优选表面处理剂为偶联剂，进一步优选偶联剂为具有反应性取代基的有机硅低聚物。
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公开(公告)号：CN103839787A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410048996.3
申请日：2012-07-03
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/225 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/2225 , C03C3/097 , C03C8/08 , C03C8/16 , C03C15/00 , H01L21/2255 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有施主元素且软化温度为500℃以上且900℃以下，平均粒径为5μm以下的玻璃粉末；以及分散介质。
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公开(公告)号：CN103201849A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180054497.X
申请日：2011-11-15
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L21/225
CPC classification number: H01L31/068 , H01L21/2254 , H01L21/2255 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其包含以下工序：对半导体基板一个面上的第1区域给予含有包含n型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成n型扩散层的组合物的工序；对位于所述半导体基板的设有所述第1区域的面上且为所述第1区域以外的第2区域给予含有包含p型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成p型扩散层的组合物的工序；对给予了所述用于形成n型扩散层的组合物和用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层和p型扩散层的热扩散工序；和在形成了所述n型扩散层的第1区域和形成了p型扩散层的第2区域分别形成电极的工序。
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公开(公告)号：CN103155164A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048863.0
申请日：2011-11-15
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L21/225
CPC classification number: H01L31/186 , H01L21/2254 , H01L21/2255 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：对半导体基板的一个面上的部分区域给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质的第一用于形成p型扩散层的组合物的工序；对上述半导体基板的给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物的面上的、至少上述部分区域以外的区域，给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质、且p型杂质浓度比上述第一用于形成p型扩散层的组合物低的第二用于形成p型扩散层的组合物的工序；以及对给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物及第二用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成p型扩散层的工序；在上述部分区域上形成电极的工序。
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