公开(公告)号：CN100372073C

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN03812783.0

申请日：2003-05-29

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 仓田靖 ,  上方康雄 ,  安西创 ,  寺崎裕树

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种研磨液，含有金属的氧化剂，金属防蚀剂、氧化金属溶解剂，以及水。该氧化金属溶解剂选自第一可解离酸基的解离常数(PKa)大于等于3.5的酸，这些酸的铵盐及这些酸的有机酸酯中1种或1种以上。该研磨液的pH值在3～4间，且该金属氧化剂的浓度为0.01～3重量%。在半导体元件的配线形成工序中，使用低研粒浓度、低金属防蚀剂浓度的研磨液，因而能够以高研磨速度研磨屏障层使用的导体。

公开(公告)号：CN100339954C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN03818946.1

申请日：2003-08-06

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 芳贺浩二 ,  大槻裕人 ,  仓田靖 ,  榎本和宏

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  B24B37/00

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

Abstract: 一种CMP研磨剂以及使用该研磨剂研磨基板的被研磨面的基板的研磨方法，该研磨剂含有氧化铈颗粒、具有炔键(碳-碳三键)的有机化合物及水。本发明在使半导体装置制造过程中的层间绝缘膜及浅沟隔离用绝缘膜等平坦化的CMP(化学机械抛光)技术中，可进行有效率且高速的研磨。

公开(公告)号：CN1985361A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200580023556.1

申请日：2005-07-20

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 深泽正人 ,  小山直之 ,  仓田靖 ,  芳贺浩二 ,  阿久津利明 ,  大槻裕人

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及一种CMP研磨剂，该CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水，其中，上述水溶性高分子是，使用阳离子性偶氮化合物以及其盐中的至少一种作为聚合引发剂，而使含有具有不饱和双键的羧酸以及其盐中的至少一种的单体聚合所形成的聚合物。按照本发明，提供一种在对层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜进行平坦化处理的CMP技术中，可无研磨损伤、有效、高速、均匀且易于控制研磨操作地进行研磨的研磨剂以及研磨方法。

公开(公告)号：CN1659688A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN03812783.0

申请日：2003-05-29

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 仓田靖 ,  上方康雄 ,  安西创 ,  寺崎裕树

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种研磨液，含有金属的氧化剂，金属防蚀剂、氧化金属溶解剂，以及水。该氧化金属溶解剂选自第一可解离酸基的解离常数(PKa)大于等于3.5的酸，这些酸的铵盐及这些酸的有机酸酯中1种或1种以上。该研磨液的pH值在3～4间，且该金属氧化剂的浓度为0.01～3重量％。在半导体元件的配线形成工序中，使用低研粒浓度、低金属防蚀剂浓度的研磨液，因而能够以高研磨速度研磨屏障层使用的导体。

公开(公告)号：CN1480503A

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN02148174.1

申请日：1998-12-18

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 吉田诚人 ,  芦沢寅之助 ,  寺崎裕樹 ,  大槻裕人 ,  仓田靖 ,  松沢纯 ,  丹野清仁

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 在本发明中，为了进行高速研磨又不伤及SiO2绝缘膜等的被研磨面，提供含有把具有由2个以上的晶粒构成的晶界的氧化铈子、或者是体积密度为6.5g/cm3以下的氧化铈粒子、或者是具有气孔的磨粒中的至少一种分散到介质中去的浆液的研磨剂、使用该研磨剂的基片的研磨方法和半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN1371528A

公开(公告)日：2002-09-25

申请号：CN00811731.4

申请日：2000-08-17

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 仓田靖 ,  上方康雄 ,  内田刚 ,  寺崎裕树 ,  五十岚明子

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供的化学机械研磨用研磨剂,含有导体氧化剂、金属表面的保护膜形成剂、酸和水,pH低于3,氧化剂浓度为0.01－3重量%,或含有平均粒径在50nm以下、粒径分布的标准偏差值大于5nm的磨料。

公开(公告)号：CN1282362A

公开(公告)日：2001-01-31

申请号：CN98812295.2

申请日：1998-12-18

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 吉田诚人 ,  芦沢寅之助 ,  寺崎裕樹 ,  大槻裕人 ,  仓田靖 ,  松沢纯 ,  丹野清仁

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 在本发明中,为了进行高速研磨又不伤及SiO2绝缘膜等的被研磨面,提供含有把具有由2个以上的晶粒构成的晶界的氧化铈粒子、或者是体积密度为6.5g/cm3以下的氧化铈粒子、或者是具有气孔的磨粒中的至少一种分散到介质中去的浆液的研磨剂、使用该研磨剂的基片的研磨方法和半导体装置的制造方法。