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公开(公告)号：CN100502098C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200580033238.3
申请日：2005-07-20
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种负载反应性聚合物的多孔膜，其能够在电极和隔板之间实现充分粘附；降低内电阻；和高速率特性优异，该多孔膜用作电池隔板，在电池制造后，该隔板在高温下不熔解和破损，并可用作具有较小热收缩率的隔板，本发明也提供一种使用该负载反应性聚合物的多孔膜制造电池的方法。根据本发明，提供一种用于电池隔板的负载反应性聚合物的多孔膜，其特征在于，该负载反应性聚合物的多孔膜包括：多孔膜的基材多孔膜和负载在该基材多孔膜上的反应性聚合物，其中，当通过在70g荷重下将直径1mm的探针置于该多孔膜上并以2℃/分钟的升温速率从室温加热该多孔膜来测量该多孔膜的厚度，该多孔膜的厚度降低到将探针置于该多孔膜上时厚度的1/2时，所述多孔膜的温度为200℃以上；所述反应性聚合物通过使交联性聚合物与多官能异氰酸酯反应以部分交联而得到，所述交联性聚合物可通过共聚合如下物质而得到：分子中具有至少一个选自3-氧杂环丁基和环氧基的反应性基团的交联性单体；和具有能够与异氰酸酯基团反应的反应性基团的交联性单体。
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公开(公告)号：CN1783543A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510120323.5
申请日：2005-11-08
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B32B27/28 , B32B5/18 , B32B27/065 , B32B27/08 , B32B27/38 , B32B2250/02 , B32B2250/24 , B32B2266/0271 , B32B2307/202 , B32B2307/206 , B32B2457/10 , H01M2/145 , H01M2/1653 , H01M2/1673 , H01M2/1686 , H01M10/052 , H01M2300/0085 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明披露了用于隔板的支承有反应性聚合物的多孔膜，其在电极和隔板之间具有充分的粘合性，并可以合适地用于制备具有低内阻和高速性能的电池，还披露了制备多孔膜的方法，使用多孔膜制备电池的方法，和电极/多孔膜组合体。用于电池隔板的支承有反应性聚合物的多孔膜包括其上支承有反应性聚合物的多孔膜基底，通过使分子中具有选自3－氧杂环丁烷基和环氧基中的至少一种反应性基团的可交联聚合物和酸酐反应，由此部分交联该聚合物而获得该反应性聚合物。
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公开(公告)号：CN112041973B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN201980028581.0
申请日：2019-03-27
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/52 , C09J7/10 , C09J7/30 , C09J9/02 , C09J11/04 , C09J201/00 , H01L21/301
Abstract: 本制造方法包括如下的工序：例如，由切割带(T1)上的半导体晶圆(W)形成包含多个半导体芯片(11)的半导体晶圆分割体(10)的工序；相对于切割带(T1)上的半导体晶圆分割体(10)，粘贴烧结接合用片(20)的工序；例如，从切割带(T1)上拾取伴有源自烧结接合用片(20)的烧结接合用材料层(21)的半导体芯片(11)的工序；将带有烧结接合用材料层的半导体芯片(11)借助该烧结接合用材料层(21)而临时固定于基板的工序；以及由夹设在临时固定的半导体芯片(11)与基板之间的烧结接合用材料层(21)，历经加热过程而形成烧结层，将该半导体芯片(11)接合于基板的工序。这种半导体装置制造方法适合于在降低烧结接合用材料的损耗的同时，高效地对各半导体芯片进行烧结接合用材料的供给。
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公开(公告)号：CN117247748A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202310676608.5
申请日：2023-06-08
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J133/00 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J11/08 , C09J7/30 , C09J7/20 , H01L21/683
Abstract: 本发明的课题在于提供一种粘接片，其包含大量金属颗粒并且在粘接于被粘物后的粘接强度较高。提供一种粘接片，其包含金属颗粒和高分子化合物，所述高分子化合物在分子中具有含有缩水甘油基的结构单元和含有腈基的结构单元，所述粘接片包含80质量％以上的前述金属颗粒，前述高分子化合物的质均分子量Mw为3万以上且80万以下。
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公开(公告)号：CN116063948A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211331913.2
申请日：2022-10-28
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J9/02 , H01L21/683 , C09J133/00 , C09J7/10 , C09J7/30 , C08K3/08
Abstract: 本发明涉及导电性粘接剂、导电性片及切割芯片接合薄膜，所述导电性粘接剂包含弹性体和金属颗粒，前述金属颗粒包含铜颗粒，前述导电性粘接剂中的羧基的摩尔浓度为2.0μmol/g以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114517067A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202111331480.6
申请日：2021-11-11
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J133/00 , C09J161/06 , C09J163/00 , C09J9/02 , C09J11/06 , C09J7/30 , H01L21/683
Abstract: 本发明的切割芯片接合薄膜具备在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、以及层叠在该切割带的粘合剂层上的芯片接合层，前述芯片接合层包含基质树脂、含硫醇基化合物、以及导电性颗粒。
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公开(公告)号：CN114479343A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111245560.X
申请日：2021-10-26
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C08L61/06 , C08L63/00 , C08L33/00 , C08K9/10 , C08K3/08 , C08J5/18 , B32B27/06 , B32B27/00 , B32B33/00 , B32B7/12 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及热固性片、切割芯片接合薄膜、以及半导体装置。本发明的热固性片包含热固性树脂、热塑性树脂、挥发成分、以及导电性颗粒，在固化前的状态下测定的算术平均粗糙度Ra为0.1μm以上且1.2μm以下。
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公开(公告)号：CN113861540A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110709476.2
申请日：2021-06-25
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种层叠体，其具备基材片、以及层叠于该基材片且含有金属颗粒的含金属颗粒层，前述基材片具有与前述含金属颗粒层接触的接触面，通过纳米压痕法测定前述接触面而求出的前述基材片在23℃下的杨氏模量为0.01～10GPa。
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公开(公告)号：CN112041972A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980028570.2
申请日：2019-03-27
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/52
Abstract: 本半导体装置制造方法包括准备工序和烧结接合工序。准备工序中，准备具有层叠结构的烧结接合工件(X)，所述层叠结构包含：基板(S)、配置在其单面侧且要进行接合的多个半导体芯片(C)、以及分别夹设在各半导体芯片(C)与基板(S)之间的含有烧结性颗粒的多个烧结接合用材料层(11)。烧结接合工序中，通过在将厚度为5～5000μm且拉伸模量为2～150MPa的缓冲材料片(20)与烧结接合工件(X)重叠并夹持在一对加压面(Pa、Pa)之间的状态下，在该加压面(Pa、Pa)之间将烧结接合工件(X)沿着其层叠方向进行加压并历经加热过程，从而由各烧结接合用材料层(11)形成烧结层(12)。这种半导体装置制造方法适合在加压条件下将多个半导体芯片一并烧结接合于基板。
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公开(公告)号：CN111344813A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201880073022.7
申请日：2018-08-31
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明的烧结接合用组合物含有含导电性金属的烧结性颗粒。该烧结性颗粒的平均粒径为2μm以下，并且该烧结性颗粒中的粒径100nm以下的颗粒的比例为40质量％以上且不足80质量％。本发明的烧结接合用片(10)具备由这样的烧结接合用组合物形成的粘合层。本发明的带烧结接合用片的切割带(X)具备这样的烧结接合用片(10)及切割带(20)。切割带(20)具有包含基材(21)和粘合剂层(22)的层叠结构，烧结接合用片(10)位于切割带(20)的粘合剂层(22)上。本发明的烧结接合用组合物、烧结接合用片、及带烧结接合用片的切割带适于实现基于高密度的烧结层的烧结接合。
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