公开(公告)号：CN109216193B

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN201710534707.4

申请日：2017-07-03

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 金华俊 ,  孙贵鹏

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法。一种半导体器件的制备方法，包括：在半导体衬底内形成阱区以及在阱区内形成沟道区，并在阱区上形成栅氧化层和多晶硅层；刻蚀部分栅氧化层和多晶硅层并露出用于形成源区的第一开口和用于形成漏区的第二开口；在多晶硅层上、第一开口内、第二开口内依次形成第一介质层和第二介质层，并在第一开口的侧壁形成源区侧墙，在第二开口的侧壁形成漏区侧墙；在多晶硅层上形成介质氧化层，刻蚀并保留位于漏区侧墙上的介质氧化层；去除源区侧墙中的第二介质层并保留第一介质层。通过上述制备方法，可以减少源端侧墙的横向厚度，即可减小整个半导体器件的尺寸，降低了半导体器件的导通电阻。

公开(公告)号：CN112447843A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN201910822565.0

申请日：2019-09-02

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 高桦 ,  金华俊 ,  陈淑娴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明涉及一种场极板及一种横向扩散金属氧化物半导体器件。场极板包括场极板部分和场极板上形成的镂空部分，镂空部分包括至少一个位于场极板部分之间并沿所述场极板的宽度方向分布的镂空单元，场极板位于漂移区的上方。通过沿场极板宽度方向分布的各镂空单元使得场极板中的场极板部分之间穿插有镂空部分，使得器件表面的电势线均匀分布，在不损失器件的导通电阻，保证器件的耐压情况，也不增加工艺成本或工艺步骤的前提下，更好的优化了场极板宽度分方向上的表面电场，达到优化器件开态特性并保持关态特性的效果，改善了器件的HCI特性，增大了区间的SOA区间。

公开(公告)号：CN110767740A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201810840983.8

申请日：2018-07-27

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 金华俊

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：漂移区；隔离结构，与所述漂移区接触，所述隔离结构包括第一隔离层、所述第一隔离层上的孔刻蚀停止层、以及所述孔刻蚀停止层上的第二隔离层；及孔场板，设于所述孔刻蚀停止层的上方，并与所述孔刻蚀停止层接触。本发明能够保证孔场板帮助漂移区耗尽的效果不会因为孔场板过深或过浅而偏离预期，因此可以保证器件的稳定性和均匀性。