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公开(公告)号：CN101509144B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910046584.5
申请日：2009-02-24
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: C30B29/38 , C30B29/40 , C30B25/18 , H01L21/205
Abstract: 一种提高铝酸锂(302)面衬底上非极性a(11-20)面GaN薄膜质量的方法，在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中，在铝酸锂(LiAlO2)(302)面衬底上，在N2保护下，升温到800-950℃，在氮气气氛下生长低温保护层，低温保护层反应室压力为150-500torr，三甲基镓(TMGa)流量为1-50sccm，对应于摩尔流量：4E-6mole/min-3E-4mole/min；然后降低压力至100-300torr，升温到1000-1100℃在氮气气氛下继续生长非掺杂氮化镓(U-GaN)层，TMGa流量为10-150sccm，对应于摩尔流量：4E-5mol/min-7.5E-4mole/min；接着关闭TMGa的流量计，通入硅烷(SiH4)或者二茂镁(Cp2Mg)，生长一层SiNx或者Mg3N2阻挡层，厚度为1-100nm，然后再升温到1050-1150℃，在氢气气氛下生长高温U-GaN约1um，TMGa流量为20-200sccm，对应于摩尔流量：8E-5mol/min-1E-3mole/min。通过生长低温保护层，保护铝酸锂衬底不被高温破坏，而高温U-GaN的目的是提高薄膜质量，改善表面平整度。
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公开(公告)号：CN101717923A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910200280.X
申请日：2009-12-10
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明公开了一种非极性GaN薄膜及其制备方法。该薄膜包括：LiAlO2衬底以及在该衬底上依次生长的低温保护层、U-AlGaN层和高温U-GaN层。其制备方法包括如下步骤：步骤一，生长低温保护层：在MOCVD系统中，以LiAlO2(100)面做衬底，在N2保护下，升温到800-950℃；切换到氢气气氛生长低温保护层U-GaN，反应室压力为150-500torr，TMGa流量为1-50sccm；步骤二，生长U-AlGaN层：降低反应室压力至100-300torr，升温到1000-1100℃，生长U-AlGaN层，TMGa流量为10-150sccm，TMAl的摩尔流量与TMGa流量之比为1/5-2；步骤三，生长高温U-GaN层：停止通入TMAl，继续生长U-GaN。本发明可以有效改善(100)面铝酸锂(LiAlO2)衬底上非极性m(10-10)面GaN薄膜的表面形貌，有利于提高器件的工作效率。
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公开(公告)号：CN101703356A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910198197.3
申请日：2009-11-03
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
CPC classification number: Y02W10/37
Abstract: 本发明涉及了一种紫外饮水杯，它包含有一个杯盖，杯盖内底面上装有几个紫外发光二极管器件，通过导线依次串联安装在杯盖内的一个按钮开关、一个电池、一个驱动电路和一个弹性开关，杯盖外部附有防辐射粘附层。在杯盖盖在杯上时，弹性开关受压打开电源，在打开杯盖时，弹性开关靠弹性关闭电源，在发光二极管点亮时可以杀死杯壁、杯中水的细菌，提高饮水健康指数。
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公开(公告)号：CN101369621A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810040634.4
申请日：2008-07-16
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种通过延伸电极减少出光遮挡提高出光效率的发光二极管芯片及其制作工艺，它包括：p型电极pad、n型电极pad、发光有源层、衬底和透明电流扩展层，在芯片四周有淀积的绝缘层至与发光有源层齐平，在芯片四周除n型电极pad附近外，绝缘层的上方有辅助电流扩展层，在辅助电流扩展层上制作p型金pad。本发明通过减少对出光的遮挡，从而达到提高发光二极管的出光效率。
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公开(公告)号：CN101345280A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810042185.7
申请日：2008-08-28
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种GaN基发光二极管及其制造方法，利用有机金属气相沉积技术在衬底上生长出GaN半导体层，该层包括N型氮化镓层，发光区及P型氮化镓层；利用镀膜技术在半导体层上蒸镀一层透明导电层，该蒸镀厚度d为2000～4000，形成透明导电层，利用光刻及刻蚀技术进行局部刻蚀，使部分N型氮化镓层露出，步骤四，设计一张所需类光子晶体图形的光刻掩模版，用光刻胶形成掩模，对透明导电层进行蚀刻。该方法在现有技术的基础上，将透明导电层进行进一步加工，制造成具有类光子晶体的微结构，大大提高了发光二极管的出光效率，有效的提升了发光二极管的亮度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101343733A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810042187.6
申请日：2008-08-28
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 一种用MOVCD生长氮化物外延层和氮化物发光二极管结构外延片的方法，它采用MOCVD技术，利用高纯NH3做N源，高纯H2或N2做载气，三甲基镓(TMGa)或三乙基镓(TEGa)和三甲基铟(TMIn)和三甲基铝(TMAl)分别做Ga源和In源和Al源；衬底为蓝宝石(Al2O3)；该方法包括在MOCVD反应室中把蓝宝石衬底加热到500℃，在H2气氛下，通入三甲基镓(TMGa)生长一GaN层，在高温(～1200℃)H2气氛下，GaN和衬底表层的蓝宝石(Al2O3)发生反应，可以更好地清除蓝宝石表面的损伤层及其表面的污染，也可以在蓝宝石表面腐蚀出纳米量级的微坑，这些微坑对改善外延层的质量有好处，更重要的是可以增加LED的出光效率。
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公开(公告)号：CN101188260A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710046996.X
申请日：2007-10-12
Applicant: 上海大学 , 上海蓝宝光电材料有限公司 , 华东微电子技术研究所 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种大功率发光二极管用低温共烧陶瓷层与氮化铝陶瓷叠层基板及其制备方法。本叠层基板的上层为低温共烧陶瓷LTCC陶瓷层，而下层为氮化铝AlN陶瓷基板。低温共烧陶瓷LTCC陶瓷层内分布电极层。其制备方法步骤为：高温共烧氮化铝AlN陶瓷基板，低温烧结LTCC陶瓷层并在LTCC陶瓷层上冲出方形或者圆形的适合安装大功率发光二极管LED的空腔，然后在LTCC陶瓷层上通过丝网印刷电路导带，并将多层LTCC陶瓷层低温共烧，最后将氮化铝AlN层与LTCC陶瓷层通过银金属或者耐高温胶烧结在一起，形成叠层基板。
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公开(公告)号：CN212482866U
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202021104279.5
申请日：2020-06-16
Applicant: 江苏科慧半导体研究院有限公司 , 常州市武进区半导体照明应用技术研究院
IPC: G01M11/02
Abstract: 本实用新型涉及照明领域，具体公开了一种蓝光检测系统，包括激光器、蓝光可透反射器、光电转换模块、控制器和开关模块，所述激光器内设置有蓝光芯片，所述蓝光可透反射器设置在所述激光器的前端，透射400nm‑450nm波段蓝光至光电转换模块，所述光电转换模块将接收的蓝光转换为电信号，所述控制器的输入端连接所述光电转换模块，所述开关模块与所述激光器串联，同时所述开关模块连接所述控制器的输出端。本实用新型提供的蓝光检测系统可以实时检测激光器是否蓝光泄漏，并且能够实时保护人眼不受伤害。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN204756700U
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201520422143.1
申请日：2015-06-17
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: F21S8/10 , F21V29/74 , F21V29/89 , F21V17/12 , F21W101/10 , F21Y101/02
Abstract: 本实用新型提供的LED前照灯，具有这样的特征，包括：视圈，具有通孔；反射器，与通孔形状相同，外侧镶嵌通孔内；散热器支架，外侧贴合在反射器的背部；线路板，一侧贴合在散热器支架的内侧，与散热器支架相固定；发光器件，贴合在线路板的另一侧，与线路板相连接；以及连接支架，一侧盖在视圈的后侧，将反射器、散热器支架包裹在视圈内，与反射器、散热器支架分别相连接；以及散热器，设置在连接支架的另一侧，固定在反射器上，与散热支架相连接，其中，通孔根据反射器的出光面外形确定。
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公开(公告)号：CN201429463Y
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200920077654.9
申请日：2009-06-30
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: G01J1/00 , G01J1/42 , G01M11/02 , G01R31/44 , F21Y101/02
Abstract: 一种LED灯具流明效率测试装置，包括被测LED灯具，其在灯具发光面侧相向设置一大面积矩阵型流明光电探测器，在各光电探测器背面设置温度传感器，各个光电探测器的光电输出信号端以及各温度传感器的温度信号输出端与多路模/数转换电路的信号输入端分别对应连接，设置一高精度数字化电源，其功率输出端与被测LED灯具连接，其信号输出端与计算机连接，多路模/数转换电路信号输出端与计算机连接。本装置可对灯具总光通量进行实时测量，其响应速度快，测试数据的可重复性好，操作方便、快捷，可实现对不同口径甚至巨大尺寸、窗口形状各异的各种LED灯具相关技术参数的测量，可广泛用于各种灯具的节能性能/发光效率的测试领域。
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