制造声波器件的方法
    46.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101192816B

    公开(公告)日:2010-06-23

    申请号:CN200710196036.1

    申请日:2007-11-28

    Abstract: 本发明提供了一种声波器件及其制造方法。一种制造声波器件的方法包括:在由具有声波元件的压电基板制成的晶片上形成导电图案,所述导电图案包括第一导电图案、第二导电图案和第三导电图案,所述第一导电图案连续地形成在用于分离所述晶片的切割区域上,所述第二导电图案形成在其中要形成镀层电极的电极区域上并连接到所述声波元件,所述第三导电图案连接所述第一导电图案和所述第二导电图案;在所述晶片上形成绝缘层以在所述第二导电图案上具有开口;通过经由所述第一导电图案和所述第三导电图案向所述第二导电图案提供电流,在所述第二导电图案上形成所述镀层电极;以及沿所述切割区域切断并分离所述晶片。

    双工器
    50.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100454760C

    公开(公告)日:2009-01-21

    申请号:CN200410037514.0

    申请日:2004-04-23

    Abstract: 本发明提供一种双工器,该双工器通过在一个基板上设置两个或更多个表面声波滤波器,能够实现串扰更少的优良滤波特性。该双工器包括形成在一预定基板的相同表面上的梯型滤波器和多模滤波器。在该双工器中,梯型滤波器的第一梳状电极和多模滤波器的第二梳状电极具有膜厚相等的相同层结构。第一梳状电极和第二梳状电极由主要含铝的单层膜形成。第一梳状电极和第二梳状电极的以米为单位的膜厚h、梯型滤波器的频带的以赫兹为单位的中心频率f1、以及多模滤波器的频带的以赫兹为单位的中心频率f2之间的关系表示为:300≤h×f1≤480;300≤h×f2≤430。

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