蒸镀掩模的制造方法、拉伸装置、有机半导体元件的制造装置及制造方法

    公开(公告)号:CN105745352B

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201480063594.9

    申请日:2014-12-25

    Abstract: 本发明提供一种在框架固定有抑制了“扭曲”的蒸镀掩模的带框架的蒸镀掩模的制造方法及用于该方法的蒸镀掩模的拉伸装置。在带框架的蒸镀掩模的制造方法中,包含:准备将形成有狭缝(15)的金属掩模(10)和在与该狭缝重叠的位置形成有与蒸镀制作的图案对应的开口部(25)的树脂掩模(20)层叠而构成的蒸镀掩模(100)的准备工序;将在准备工序中准备的蒸镀掩模的一部分利用保持部件(80)保持,且将由保持部件(80)保持的蒸镀掩模(100)向其外方拉伸的拉伸工序;在拉伸工序后,在形成有贯通孔的框架(60)固定拉伸状态的蒸镀掩模的固定工序,在拉伸工序中,对于拉伸状态的蒸镀掩模,或拉伸蒸镀掩模的同时进行该蒸镀掩模的旋转调整及移动调整的任一方或双方的调整。

    顶部发射型有机电致发光显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN105474753B

    公开(公告)日:2017-06-09

    申请号:CN201480046717.8

    申请日:2014-08-28

    Abstract: 本发明能够充分地防止利用激光除去的有机层向像素区域飞散,能够抑制显示特性下降。该顶部发射型有机电致发光显示装置具有:基板、像素电极、辅助电极、在上述像素电极之间形成的且具有开口部使得上述辅助电极露出的绝缘层、在上述像素电极上形成且由多个有机层构成的有机EL层、在上述辅助电极上形成的至少一层的上述有机层、在上述辅助电极上形成的作为上述有机层的开口部的接触部和在上述有机EL层及上述接触部上形成的透明电极层,将在上述接触部和与上述接触部相邻的上述像素电极之间的上述绝缘层与上述像素电极重叠的距离设为a、并且将在上述接触部和与上述接触部相邻的上述像素电极之间的上述绝缘层与上述辅助电极重叠的距离设为b时,a和b的至少一个为2μm以上。

    蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法

    公开(公告)号:CN105779934A

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201610206421.9

    申请日:2013-01-11

    Abstract: 本发明提供一种即使在大型化的情况下也能够满足高精细化和轻量化二者的蒸镀掩模的制造方法、及可制造高精细的有机半导体元件的有机半导体元件的制造方法。通过如下的工序制造蒸镀掩模,即:准备在金属板的一面设有树脂层的带树脂层的金属板;相对于所述带树脂层的金属板的金属板,通过形成仅贯通该金属板的缝隙而形成带树脂层的金属掩模;然后,从所述金属掩模侧照射激光,在所述树脂层上纵横地形成多列与要蒸镀制作的图案对应的开口部,从而形成树脂掩模。

    蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法

    公开(公告)号:CN105637113A

    公开(公告)日:2016-06-01

    申请号:CN201480056597.X

    申请日:2014-10-09

    Abstract: 提供蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模,及提供精度良好的有机半导体元件的制造方法。在设有与蒸镀图案对应的开口部的树脂掩模的面上层积设有缝隙的金属掩模而构成的蒸镀掩模中,树脂掩模的开口部的内壁面在厚度方向截面具有至少一个拐点,将树脂掩模的不与金属掩模相接侧的面(第一面)和内壁面的交点设为第一交点,将树脂掩模的与金属掩模相接侧的面(第二面)与内壁面的交点设为第二交点,使将从第一交点朝向第二交点位于最初的拐点(第一拐点)和第一交点连接的直线与第一面所构成的角度(01)大于将第一拐点和第二交点连接的直线和第二面所构成的角度,并且将厚度方向截面中的内壁面的形状设成从第一面朝向第二面侧扩大的形状,由此即使在大型化的情况下,也可满足高精细化和轻量化,并且可在保持开口部的强度的同时,抑制阴影产生。

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