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公开(公告)号：CN101290970B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200810038577.6
申请日：2008-06-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子器件和功能无机薄膜技术领域，具体涉及一种可重写的无机薄膜电存储器件及其制备方法。器件的结构为：铜-无机功能介质层-铝结构，二端的金属层做电极。中间的无机功能介质层是由硫氰酸盐水溶液和铜底电极表面反应而获得的络合物薄膜。本发明采用化学工艺学方法，利用金属固体和溶液进行的界面化学反应来制作薄膜器件中的功能介质层。采用本发明方法制备的薄膜器件具有非常稳定的可逆电双稳特性，高阻态和低阻态的阻值比为103～105，“写-读-擦-读”循环可达到数千次以上。本发明提出的可重写无机薄膜器件，其结构和制作工艺简单，有实际应用价值。
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公开(公告)号：CN101290972B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810038579.5
申请日：2008-06-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子器件和功能薄膜技术领域，具体涉及一种可擦写、可读出的薄膜型电阻开关器件及其制作方法。该器件的结构为：金属-功能介质层-金属(M1-Functionallayer-M2)结构，二端的金属层做电极。其中的功能介质层采用溶液吸附方法沉积硫氰膜，再通过自然固化方法形成的聚硫氰薄膜。这种夹层结构的薄膜器件具有稳定的可逆电阻开关特性，二种状态的阻值比为103～106，可作为开关器件和存储器件使用，器件的制作工艺非常简单。
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公开(公告)号：CN101101963B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710044502.4
申请日：2007-08-02
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子器件和功能薄膜材料技术领域，具体涉及一种高状态比的无机薄膜电双稳器件及其制作方法。器件为Ag-CN1-Al结构，二端的银和铝做电极。其中的CN1为无机介质层，由真空热蒸发沉积的硫氰酸钾薄膜与部分银底电极反应获得的薄膜。这种夹层结构的薄膜器件具有稳定的可逆电双稳特性；高电阻态和低电阻态的阻值比通常为106～107倍，甚至可以更高。本发明的电双稳器件，其结构和制作工艺简单，在信息存贮、信息处理以及逻辑运算领域有广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN1983490B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200510111538.0
申请日：2005-12-15
Applicant: 复旦大学
Inventor： 徐伟
IPC: H01H59/00 , G12B21/00 , G12B21/02 , C07C323/12 , C07D295/088 , C07D213/30
Abstract: 本发明属于分子电子器件和纳米机电系统技术领域，具体涉及一种新型的动态分子器件的构造和操作方法。该器件可以兼具开关功能和整流功能。工作原理基于电学和分子力学的综合运用，将力学中的杠杆原理和电场诱导固有偶极子的取向效应相结合，利用外加电场的强度和方向来实现电子器件的开关功能和二极管功能，可作为新一代信息处理和逻辑运算的核心元件。本发明提出的电子器件是一种动态分子基器件，因此可以看作一种分子尺度的纳米机电系统(molecular nanoelectromechanical system，简称M-NEMS)。本发明提出的器件结构和工作模式对于分子马达的构建以及纳米尺度分子状态的控制和力学传输有应用价值。
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公开(公告)号：CN100451003C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200510110457.9
申请日：2005-11-17
Applicant: 复旦大学
IPC: C07D213/36 , C07D213/61 , C07D213/72 , H01L51/30
Abstract: 本发明属于分子电子学领域，具体涉及含巯基的分子整流材料及其制备方法。本发明提出的分子材料在结构上含推电子基团、吸电子基团、共轭π键以及末端巯基，该类材料在金表面能形成高度取向的单分子膜，能用来制作高整流比、高稳定性的分子整流器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101290972A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810038579.5
申请日：2008-06-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子器件和功能薄膜技术领域，具体涉及一种可擦写、可读出的薄膜型电阻开关器件及其制作方法。该器件的结构为：金属－功能介质层－金属(M1－Functional layer－M2)结构，二端的金属层做电极。其中的功能介质层采用溶液吸附方法沉积硫氰膜，再通过自然固化方法形成的聚硫氰薄膜。这种夹层结构的薄膜器件具有稳定的可逆电阻开关特性，二种状态的阻值比为103～106，可作为开关器件和存储器件使用，器件的制作工艺非常简单。
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公开(公告)号：CN101290970A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810038577.6
申请日：2008-06-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子器件和功能无机薄膜技术领域，具体涉及一种可重写的无机薄膜电存储器件及其制备方法。器件的结构为：铜－无机功能介质层－铝结构，二端的金属层做电极。中间的无机功能介质层是由硫氰酸盐水溶液和铜底电极表面反应而获得的络合物薄膜。本发明采用化学工艺学方法，利用金属固体和溶液进行的界面化学反应来制作薄膜器件中的功能介质层。采用本发明方法制备的薄膜器件具有非常稳定的可逆电双稳特性，高阻态和低阻态的阻值比为103～105，“写－读－擦－读”循环可达到数千次以上。本发明提出的可重写无机薄膜器件，其结构和制作工艺简单，有实际应用价值。
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公开(公告)号：CN1291977C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200310108055.6
申请日：2003-10-20
Applicant: 复旦大学
IPC: C07D215/58 , C09K11/06
Abstract: 本发明属于有机功能分子材料和有机电致发光材料技术领域，具体涉及4，5，7-三芳基取代的2-氨基-3，8-二氰基喹啉衍生物材料的制备及应用。本发明提出喹啉衍生物材料用芳香醛和各种1-芳基亚乙基丙二腈反应来制备。该类分子材料含有多个芳香取代基，并且氨基与氰基构成独特的“推-吸”电子结构，化合物的熔点在300℃以上，有很好的热稳定性，真空成膜后，薄膜能长久保持无定形状态。这类分子材料可以用做有机电致发光器件中的发光层，还可以作为发光层的掺杂材料，用于调制发光颜色。此外，这类有机分子还可作为有机合成中间体。
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公开(公告)号：CN1274666C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN02111700.4
申请日：2002-05-16
Applicant: 复旦大学
IPC: C07C211/54 , C09K11/06 , H01L33/00
Abstract: 本发明属于有机功能材料技术领域，具体涉及一类复合型的空穴传输材料。复合型的空穴传输材料采用复合型的芳香三胺同系物材料，这种芳香三胺材料有许多种体系，每一种复合体由2～4种芳香三胺同系物分子构成，是一种混合物。每一种混合物中，至少含有1种取代基配置不均衡的分子。本发明的芳香三胺复合体具有优良的空穴传输性能和稳定性，可用于制作高性能的有机电致发光器件，在平面显示器件中有重要用途。
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