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公开(公告)号：CN101101963A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710044502.4
申请日：2007-08-02
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子器件和功能薄膜材料技术领域，具体涉及一种高状态比的无机薄膜电双稳器件及其制作方法。器件为Ag-CN1-Al结构，二端的银和铝做电极。其中的CN1为无机介质层，由真空热蒸发沉积的硫氰酸钾薄膜与部分银底电极反应获得的薄膜。这种夹层结构的薄膜器件具有稳定的可逆电双稳特性；高电阻态和低电阻态的阻值比通常为106～107倍，甚至可以更高。本发明的电双稳器件，其结构和制作工艺简单，在信息存贮、信息处理以及逻辑运算领域有广泛的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101290970B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200810038577.6
申请日：2008-06-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子器件和功能无机薄膜技术领域，具体涉及一种可重写的无机薄膜电存储器件及其制备方法。器件的结构为：铜-无机功能介质层-铝结构，二端的金属层做电极。中间的无机功能介质层是由硫氰酸盐水溶液和铜底电极表面反应而获得的络合物薄膜。本发明采用化学工艺学方法，利用金属固体和溶液进行的界面化学反应来制作薄膜器件中的功能介质层。采用本发明方法制备的薄膜器件具有非常稳定的可逆电双稳特性，高阻态和低阻态的阻值比为103～105，“写-读-擦-读”循环可达到数千次以上。本发明提出的可重写无机薄膜器件，其结构和制作工艺简单，有实际应用价值。
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公开(公告)号：CN101101963B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710044502.4
申请日：2007-08-02
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子器件和功能薄膜材料技术领域，具体涉及一种高状态比的无机薄膜电双稳器件及其制作方法。器件为Ag-CN1-Al结构，二端的银和铝做电极。其中的CN1为无机介质层，由真空热蒸发沉积的硫氰酸钾薄膜与部分银底电极反应获得的薄膜。这种夹层结构的薄膜器件具有稳定的可逆电双稳特性；高电阻态和低电阻态的阻值比通常为106～107倍，甚至可以更高。本发明的电双稳器件，其结构和制作工艺简单，在信息存贮、信息处理以及逻辑运算领域有广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN101290970A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810038577.6
申请日：2008-06-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子器件和功能无机薄膜技术领域，具体涉及一种可重写的无机薄膜电存储器件及其制备方法。器件的结构为：铜－无机功能介质层－铝结构，二端的金属层做电极。中间的无机功能介质层是由硫氰酸盐水溶液和铜底电极表面反应而获得的络合物薄膜。本发明采用化学工艺学方法，利用金属固体和溶液进行的界面化学反应来制作薄膜器件中的功能介质层。采用本发明方法制备的薄膜器件具有非常稳定的可逆电双稳特性，高阻态和低阻态的阻值比为103～105，“写－读－擦－读”循环可达到数千次以上。本发明提出的可重写无机薄膜器件，其结构和制作工艺简单，有实际应用价值。
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公开(公告)号：CN101106172A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710044248.8
申请日：2007-07-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子器件和功能无机薄膜技术领域，具体涉及一种可擦写、可读出的无机薄膜电双稳器件及其制作方法。器件结构为：金属－无机介质层－金属(M1－Inorganic－M2)结构，二端的金属层做电极。其中的无机介质层由真空热蒸发沉积的硫氰酸钾薄膜与部分铜底电极反应获得的薄膜(简称：CN)。这种夹层结构的薄膜器件具有非常好的可逆电双稳特性，高电阻态和低电阻态的阻值比可以大于105；“写－读－擦－读”次数可达到数百次以上。本发明的电双稳器件，其结构和制作工艺简单，在信息存贮、信息处理以及逻辑运算领域有广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN101106172B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710044248.8
申请日：2007-07-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子器件和功能无机薄膜技术领域，具体涉及一种可擦写、可读出的无机薄膜电双稳器件及其制作方法。器件结构为：金属-无机介质层-金属(M1-Inorganic-M2)结构，二端的金属层做电极。其中的无机介质层由真空热蒸发沉积的硫氰酸钾薄膜与部分铜底电极反应获得的薄膜(简称：CN)。这种夹层结构的薄膜器件具有非常好的可逆电双稳特性，高电阻态和低电阻态的阻值比可以大于105；“写-读-擦-读”次数可达到数百次以上。本发明的电双稳器件，其结构和制作工艺简单，在信息存贮、信息处理以及逻辑运算领域有广泛的应用价值。
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