公开(公告)号：CN101106172A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710044248.8

申请日：2007-07-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 徐伟 ,  唐佳其 ,  季欣

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属于微电子器件和功能无机薄膜技术领域，具体涉及一种可擦写、可读出的无机薄膜电双稳器件及其制作方法。器件结构为：金属－无机介质层－金属(M1－Inorganic－M2)结构，二端的金属层做电极。其中的无机介质层由真空热蒸发沉积的硫氰酸钾薄膜与部分铜底电极反应获得的薄膜(简称：CN)。这种夹层结构的薄膜器件具有非常好的可逆电双稳特性，高电阻态和低电阻态的阻值比可以大于105；“写－读－擦－读”次数可达到数百次以上。本发明的电双稳器件，其结构和制作工艺简单，在信息存贮、信息处理以及逻辑运算领域有广泛的应用价值。

公开(公告)号：CN101106172B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200710044248.8

申请日：2007-07-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 徐伟 ,  唐佳其 ,  季欣

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属于微电子器件和功能无机薄膜技术领域，具体涉及一种可擦写、可读出的无机薄膜电双稳器件及其制作方法。器件结构为：金属-无机介质层-金属(M1-Inorganic-M2)结构，二端的金属层做电极。其中的无机介质层由真空热蒸发沉积的硫氰酸钾薄膜与部分铜底电极反应获得的薄膜(简称：CN)。这种夹层结构的薄膜器件具有非常好的可逆电双稳特性，高电阻态和低电阻态的阻值比可以大于105；“写-读-擦-读”次数可达到数百次以上。本发明的电双稳器件，其结构和制作工艺简单，在信息存贮、信息处理以及逻辑运算领域有广泛的应用价值。