公开(公告)号：CN1257553C

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN01131028.6

申请日：2001-09-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 加藤刚久 ,  嶋田恭博

IPC: H01L27/04 ,  G11C11/21

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 本发明的半导体存储装置的驱动方法，其装置是由串联连接的铁电体电容器CF11、CF12、CF13、CF14和单元选择晶体管Q11、Q12、Q13、Q14构成的多个存储单元相互并联连接。第1共同节点N11与施加读出电压的第1置位线SET1连接，第2共同节点N12与第1复位线RST1和第1读出晶体管Q16的栅极连接。加到第1置位线SET1上的读出电压的大小设定为，在除去该读出电压时，读出数据的铁电体电容器的铁电体膜的极化偏移恢复到读出数据之前的偏移。在提高半导体存储装置的记忆特性的同时，谋求读出晶体管的动作的稳定性。

公开(公告)号：CN1763985A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510114028.9

申请日：2005-10-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 魏志强 ,  加藤刚久

IPC: H01L43/08

CPC classification number: H03K19/1776 ,  G11C13/0007 ,  G11C19/00 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/52 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/122 ,  H01L45/145 ,  H01L45/147 ,  H03K19/17736 ,  H03K19/1778

Abstract: 本发明的可变电阻器件包括可变电阻层。可变电阻层由具有根据施加的电场而变化的电阻并在以非易失性方式变化之后保持电阻的材料制成。提供给可变电阻层的是四个相互独立的电极。其中，两个电极构成控制电极对，而余下的两个电极构成读出电极对。形成控制电极对用于将电场施加到可变电阻层。另一方面，形成读出电极对作为使用电阻中的变化的数据路径。

公开(公告)号：CN1490821A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN03158167.6

申请日：2003-09-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 加藤刚久 ,  山田隆善

IPC: G11C11/409 ,  G11C11/419

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 本发明涉及半导体存储装置及其驱动方法。根据本发明能够对具有包含由强电介质构成的电容器的存储器和增益晶体管的半导体存储装置中的增益晶体管的偏置电压进行补偿。例如，在存储块MB00中，配置着2个存储单元MC00、MC01、复位晶体管QR00、QRX00和增益晶体管QG00、QGX00，配置着分别使该增益晶体管QG00、QGX00的栅极电位充电的充电晶体管QS00、QSX00、截断与该增益晶体管QG00、QGX00的位线BL0电连接的电流截断晶体管QC00、QCX00。

公开(公告)号：CN1337717A

公开(公告)日：2002-02-27

申请号：CN01118761.1

申请日：2001-06-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  加藤刚久

IPC: G11C11/40 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L29/516 ,  H01L27/11502 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391 ,  H01L51/0504

Abstract: 一种半导体存储装置,包括:由场效应型晶体管和形成在该场效应型晶体管上的强电介质电容所构成的MFMIS型晶体管。在将数据存入该MFMIS型晶体管,并且强电介质膜为极化状态时,在上部电极和下部电极之间的电位差V、强电介质膜的表面电荷密度σ以及强电介质膜的极化电荷p与强电介质膜的厚度d以及真空的介电常数ε0之间成立的关系式V=(d/ε0)×(σ－p)中的(σ－p)的值,不随着时间的经过而发生实质性的变化。