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公开(公告)号：CN102473626A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080029796.3
申请日：2010-05-27
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6838
Abstract: 一种湿式处理装置，其将被处理基板保持在工作台上，并使上述工作台旋转从而进行湿式处理。上述被处理基板通过其中心从上述工作台的旋转中心偏离，并且使用向该被处理基板的背面排放惰性气体的伯努利吸盘将其保持在上述工作台上，从而随着上述工作台的旋转，上述被处理基板偏心旋转。在上述工作台内的旋转轴部分设置有用于上述伯努利吸盘的第一气体供给路，在上述工作台中还设置有与上述第一气体供给路连通，且用于向上述被处理基板的背面导入惰性气体的第二气体供给路，该第二气体供给路相对于上述被处理基板的中心轴呈轴对称。
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公开(公告)号：CN102421932A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080021115.9
申请日：2010-03-19
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明的课题在于提供一种减少因伴随离子体激发电力增大的标的物部等的加热所致的坏的影响的旋转磁铁溅镀装置。本发明的旋转磁铁溅镀装置具有通过使冷却用介质在多个螺旋状板磁铁组之间形成的螺旋状的空间流动、或者在支承标的物部的背板上设置冷却用流路，来对标的物部进行除热的构造。
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公开(公告)号：CN101903562A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200880122240.1
申请日：2008-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: C23C16/511 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/18 , C23C16/24 , C23C16/511 , H01L31/028 , H01L31/04 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/1812 , H01L31/1816 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种能够通过微波等离子体进行高效/快速成膜、并且防止氧的混入、且降低缺陷数的光电转换元件制造装置和方法以及光电转换元件，本发明涉及在衬底(W)上通过微波等离子体CVD法来形成半导体的层积膜的光电转换元件制造装置(100)，所述光电转换元件制造装置(100)包括：腔室(10)，所述腔室(10)是密闭空间，并且所述腔室(10)中内置有载放衬底的基座，所述衬底(W)是要形成薄膜的对象；第一气体供应部(40)，其对所述腔室(10)内的等离子体激发区域提供等离子体激发气体；调压部(70)，其调整所述腔室(10)内的压力；第二气体供应部(50)，其对所述腔室(10)内的等离子体扩散区域提供原料气体；微波施加部(20)，其将微波导入到所述腔室(10)内；以及偏置电压施加部(60)，其对所述衬底(W)根据所述气体种类来选择并施加衬底偏置电压。
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公开(公告)号：CN101529563B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200780038770.3
申请日：2007-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/31 , C23C16/455 , H01L21/3065 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/45565 , C23C16/45568 , H01J37/32192 , H01J37/32449 , H01J37/32477 , H01J37/3255
Abstract: 本发明提供一种一体烧结气体排出孔而成的簇射极板及其制造方法。为了防止等离子体的逆流，配置在簇射极板的纵孔内的气体排出孔构件(陶瓷构件或多孔质气体流通体)被无间隙地一体烧结结合，在使用簇射极板时不会自纵孔脱落、且自各纵孔排出的气体排出量无偏差，能够更完全地防止等离子体发生逆流，并可高效地激励等离子体的簇射极板。簇射极板(106)配置在等离子体处理装置的处理室(102)中，为了在处理室(102)中产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，在形成为等离子体激励用气体的排出路径的许多个纵孔(105)内，一体烧结结合地配置具有多个直径为20μm～70μm的气体排出孔的陶瓷构件和/或具有最大气孔直径为75μm以下的沿气体流通方向连通的气孔的多孔质气体流通体。
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公开(公告)号：CN101521147A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910007679.6
申请日：2009-02-20
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置、电介质窗部件及其制造方法。已知道存在一种微波等离子体处理装置，其在使用Kr作为等离子体生成用气体时也仅能得到与使用Ar等其他稀有气体时相同的特性的氧化膜、氮化膜。在本发明中，构成微波等离子体处理装置的电介质窗部件不是只用陶瓷部件来构成的，在该陶瓷部件的处理空间侧的表面上，涂布了通过热处理可以得到化学计量上的SiO2的组成的平坦化涂布膜后，通过热处理形成具有极其平坦且致密的表面的平坦化涂布绝缘膜。在该平坦化涂布绝缘膜上形成耐腐蚀性膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101491164A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780027037.1
申请日：2007-07-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H05H1/46 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/304 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/45565 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供可以更为彻底地防止等离子体倒流的产生、能够实现效率良好的等离子体激发的喷淋板。喷淋板(105)配置于等离子体处理装置的处理室(102)中，具备为了在处理室(102)中产生等离子体而放出等离子体激发用气体的多个气体放出孔(113a)，将气体放出孔的长度与孔径的纵横比(长度/孔径)设定为20以上。气体放出孔(113a)形成于与喷淋板(106)分立的陶瓷构件(113)上，将该陶瓷构件(113)安装于开设在喷淋板(106)上的纵孔(105)中。
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公开(公告)号：CN101283114A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200680037196.5
申请日：2006-10-06
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3455
Abstract: 提供一种磁控溅射装置，通过提高靶上的瞬时的腐蚀密度，使成膜速度提高，并且使腐蚀区域时间性移动，防止靶的局部性损耗，使靶实现均匀损耗，从而延长靶的使用寿命。在柱状旋转轴(2)的周围设置多个板磁体(3)，通过使柱状旋转轴(2)旋转，在靶(1)上形成高密度的腐蚀区域，使成膜速度提高，同时随着柱状旋转轴(2)旋转，腐蚀区域产生运动，使靶(1)均匀消耗。
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公开(公告)号：CN300718903D
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200630303599.2
申请日：2006-12-14
Applicant: 北陆成型工业株式会社 , 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 1.后视图与主视图相同，省略后视图；
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公开(公告)号：CN300736080D
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200630303598.8
申请日：2006-12-14
Applicant: 北陆成型工业株式会社 , 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 1.后视图与主视图相同，省略后视图；
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公开(公告)号：CN300725023D
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200630303597.3
申请日：2006-12-14
Applicant: 北陆成型工业株式会社 , 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 1.后视图与主视图相同，省略后视图；
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