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公开(公告)号：CN105417580A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201610012895.X
申请日：2016-01-08
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种水热法控制钽铌酸钾纳米粉体尺寸均一的方法，它涉及一种水热法控制钽铌酸钾纳米粉体尺寸均一的方法。本发明的目的是要解决现有方法工艺复杂、成本高同时不能制备出粒径在100nm以下尺寸均一钽铌酸钾粉体的问题，本发明步骤为：氢氧化钾的水溶液；称取五氧化二钽粉体和五氧化二铌粉体，分别与氢氧化钾的水溶液混合，装到水热反应釜中，放入烘箱中进行反应，再放入真空干燥箱抽真空，加热后得到钽铌酸钾纳米粉体。本方法采用水热法精确控制合成钽铌酸钾纳米(100nm以下)粉体的尺寸，合成方法简单，温度低，纯度高，是合成无铅压电陶瓷纳米(100nm以下)粉体的一个新途径。本发明应用于纳米晶材料制备领域。
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公开(公告)号：CN104356414A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410663946.6
申请日：2014-11-19
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 铌酸钾钠/聚偏二氟乙烯高介电薄膜的制备方法，涉及一种高介电薄膜的制备方法。本发明是要解决现有介电材料介电常数低、脆性大、加工温度高且与集成电路加工技术不相容的问题。方法：一、称量；二、将铌酸钾钠陶瓷粉末加入到N,N-二甲基乙酰胺中超声；三、加入聚偏二氟乙烯粉末，搅拌得到聚偏二氟乙烯溶液；.四、将聚偏二氟乙烯溶液静置，用自动涂膜器将聚偏二氟乙烯溶液均匀的刮在洁净的玻璃板上，将玻璃板放入真空干燥箱；五、将抽完真空膜的玻璃板放入烘箱中，加热；六、放入蒸馏水中浸泡，将膜揭下，依次用蒸馏水、丙酮和无水乙醇清洗，烘干，即得高介电薄膜。该高介电薄膜在频率为10Hz时，介电常数高达250。本发明用于制备高介电薄膜。
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公开(公告)号：CN103073303B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201210574508.3
申请日：2012-12-26
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/624 , C04B35/475 , C04B35/472 , C04B35/50 , C23C18/12
Abstract: 一种低晶化温度下制备高度(100)取向无铅压电薄膜的方法，本发明涉及一种制备无铅压电薄膜的方法。本发明是要解决现有的压电薄膜材料多数含铅量较大及其制备过程中薄膜晶化温度过高、织构度较差、成本高、工艺复杂且不利于大面积Si集成电路应用的问题。本发明方法为：一、溶胶A和溶胶B，将溶胶A和B混合，加入乙二醇甲醚，得到钛酸铅镧钙溶胶；四、制备E溶液和F溶液；将E和F溶液混合，加入乙二醇甲醚，得到钛酸铋钠钾溶胶；五、在基底上涂覆一层钛酸铅镧钙溶胶，进行热分解，得到种子层薄膜，然后旋转涂覆钛酸铋钠钾溶胶，再进行热分解，最后进行退火晶化处理，即完成本方法。本发明应用于无铅压电薄膜制备的领域。
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公开(公告)号：CN103320861A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310252932.0
申请日：2013-06-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及一种掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。本发明是要解决现有的镱铥掺杂的铌酸锂晶体抗光损伤能力较低的问题。本发明一种铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体由Nb2O5、LiCO3、In2O3、Yb2O3和Tm2O3制成。制备方法：一、混合；二、采用提拉法生长晶体；三、极化；即得到铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体。本发明制备的铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体光洋度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生，在保证了镱铥掺杂的铌酸锂晶体原有优良性能的同时抗光损伤能力显著提高；本发明铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体的制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快。本发明可用于制备铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体。
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公开(公告)号：CN103073303A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201210574508.3
申请日：2012-12-26
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/624 , C04B35/475 , C04B35/472 , C04B35/50 , C23C18/12
Abstract: 一种低晶化温度下制备高度(100)取向无铅压电薄膜的方法，本发明涉及一种制备无铅压电薄膜的方法。本发明是要解决现有的压电薄膜材料多数含铅量较大及其制备过程中薄膜晶化温度过高、织构度较差、成本高、工艺复杂且不利于大面积Si集成电路应用的问题。本发明方法为：一、溶胶A和溶胶B，将溶胶A和B混合，加入乙二醇甲醚，得到钛酸铅镧钙溶胶；四、制备E溶液和F溶液；将E和F溶液混合，加入乙二醇甲醚，得到钛酸铋钠钾溶胶；五、在基底上涂覆一层钛酸铅镧钙溶胶，进行热分解，得到种子层薄膜，然后旋转涂覆钛酸铋钠钾溶胶，再进行热分解，最后进行退火晶化处理，即完成本方法。本发明应用于无铅压电薄膜制备的领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN205340639U
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201620129477.4
申请日：2016-02-20
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B01F7/16
Abstract: 一种改进型双点固定实验室用搅拌设备包括电机(1)、固定套(2)、固定夹(3)、搅拌棒(4)、固定卡(5)、旋钮(6)、固定螺帽(7)、电源开关(8)、转速调节旋钮(9)。目前市场上常见的实验室用搅拌器多为单点固定型，在使用搅拌器的过程中易出现搅拌棒旋转时离心半径过大，极容易打碎烧杯等玻璃仪器，对实验造成损失；且搅拌棒顶部易松动，会使搅拌棒脱落等问题。本实用新型为了解决以上问题而设计，双点固定和顶端卡槽的设计可以大幅减少旋转离心，极大提高机械搅拌设备的稳定性，减少可能造成的实验损失。
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公开(公告)号：CN204576928U
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201520295962.4
申请日：2015-05-08
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G09B23/18
Abstract: 安培定律及电磁阻尼综合演示实验仪，属于安培定律演示仪器技术领域。本实用新型是为了解决现有教学中涉及的电磁相关的演示仪器，只能验证电磁现象的存在，而无法体现各物理量的变化关系的问题。它的直流电源、安培表、计时器、电磁螺线管、两个单刀三掷开关、电路保护开关和电阻组成串联回路；电磁螺线管的每一侧分别设置一个单刀三掷开关，每个单刀三掷开关连接同侧电磁螺线管的三个接线端中的一个接线端，两个单刀三掷开关连接的两侧的接线端对应相同；电磁螺线管设置于可调金属支架的底座上，金属摆头通过摆线悬挂在可调金属支架的末端，并且金属摆头处于电磁螺线管内部的中心处。本实用新型用于教学演示。
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公开(公告)号：CN202956189U
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201220738951.5
申请日：2012-12-28
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01J4/00
Abstract: 自发式多功能偏振光特性实验系统，它属于偏振光教学实验仪器技术领域。它为了解决现有的偏振光特性实验系统存在的偏振光特性测试模式单一，对于光源部分仍然采用传统的电源作为能源供给方式的问题。太阳能电池板的放大信号输出端与放大器的放大信号输入端相连，放大器的放大信号输出端同时与蓄电池的充电端和驱动电路的输入端相连，所述蓄电池的供电端与驱动电路的受电端相连，驱动电路驱动信号输出端与发光器件的驱动信号输入端相连，发光器件发射辐射光束经第二偏振片照射在显示装置的光敏面上。它可用于偏振光教学实验中。
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公开(公告)号：CN205171010U
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201520818651.1
申请日：2015-10-22
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C30B7/00
Abstract: 一种溶液法制备单晶培养装置包括单晶培养箱壳体（1）、通气口（2）、热电偶（3）、进气口控制开关（4）、进气口（5）、隔热保温层（6）、智能温度控制仪表（7）、真空表（8）、电源开关（9）、环形电阻（10）、单晶培养装置内室（11）、出气口控制开关（12）、出气口（13）。由于现有的单晶生产设备未能解决单晶溶液所处的气氛和压强等问题，本实用新型为了解决制备单晶过程中遇到的溶液温度、装置内部压强和溶液所处的气氛等问题而设计。并且可以极大地提高了生产大尺寸的单晶效率。
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公开(公告)号：CN202948074U
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201220714951.1
申请日：2012-12-21
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01R29/14
Abstract: 基于克尔效应的液体介质空点电场分布测量装置，它涉及液体介质空点电场分布测量装置。它为解决现有液体介质空点电场分布测量装置在测量克尔常数小的液体介质时存在的虽能实现动态测量和实时采集，但是对外加电压的范围有较大的限制的问题。激光器发射的激光光束入射到扩束透镜的光线入射端，激光光束经扩束透镜的光线出射端入射到准直器的光线入射端；经过准直器的激光光束通过起偏器入射到λ/4波片的光线入射端；经过λ/4波片的激光光束入射到克尔效应盒的光线入射端，由克尔效应盒透射出的激光光束通过检偏器和滤波器入射到CCD图像传感器的光线接收端；CCD图像传感器连上位控制计算机。它可适用于常数较小的液体介质中的电场分布的测量。
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