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公开(公告)号：CN109883073A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910188508.1
申请日：2019-03-13
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: F24S70/225 , F24S70/30 , C23C14/35 , C23C14/06
Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，提供了一种高温稳定的准光学微腔结构太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法。所述涂层由下而上依次是金属红外反射层、准光学微腔吸收体、光学减反层部分三部分，所述涂层材料为金属W，电介质Al2O3和SiO2，衬底为机械抛光的不锈钢304，易于制备获得。相对于已知涂层具体以下优点：(1)太阳吸收率高；(2)高温稳定性好；(3)光谱吸收范围易于调节，易于产业化应用。
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公开(公告)号：CN108389956A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810194956.8
申请日：2018-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种n型SnSe基热电纳米材料的制备方法，其采用化学合成的方法，以2-乙基己酸铋作为Bi源，在SnSe基热电材料中掺入Bi元素，Bi元素掺杂的摩尔百分含量为1~5％。采用本发明的技术方案，通过采用金属有机物2-乙基己酸铋作为掺杂剂可以有效实现n型掺杂，获得在500℃时仍为稳定的n型导电的SnSe基热电材料；通过有效Bi掺杂，能够调控载流子浓度，从而优化SnSe基热电材料的功率因子，通过纳米化合成，能够增加声子散射，降低晶格热导率，从而优化其ZT值，其电学综合性能优于传统熔炼方法获得的Bi掺杂SnSe基热电材料。
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公开(公告)号：CN114975763B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202210782910.4
申请日：2022-07-05
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种高可靠性热电模块及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：将热电材料与阻挡层、连接层构成多层结构，采用放电等离子烧结得到热电元件；采用绝缘的陶瓷板或表面为陶瓷层的绝缘板作为基板，对基板进行双面热压电极箔片形成电极板，并对热电元件的表面进行处理；采用纳米焊膏置于热电元件与电极板之间，于200‑500℃下进行热压烧结，得到热电模块；在热电模块内的间隙填充气凝胶绝热填料，并烘干；在热电模块的四周涂敷保温涂料，并烘干。采用本发明的技术方案，得到具有高效能源转换率和良好热稳定性的热电接头或模块，且具有良好的机械强度以及良好的高温服役稳定性。
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公开(公告)号：CN115322004B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211009964.3
申请日：2022-08-22
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: C04B35/80 , C04B35/515 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/645 , H10N10/852
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公开(公告)号：CN114456607B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202210157097.1
申请日：2022-02-21
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: C08L87/00 , C08K3/30 , C08G83/00 , H10N10/852 , H10N10/856
Abstract: 本发明提供了一种含无限共轭聚合物的室温基热电材料及其制备方法，其制备方法包括如下步骤：将无限共轭聚合物、p型碲化铋Bi2‑xSbxTe3进行混合球磨，得到复合材料粉体，0＜x≤2；将复合材料粉体在240~450℃下进行热压放电等离子体烧结，得到热电材料；其中，所述无限共轭聚合物为采用如下结构式（1）的有机配体与金属元素合成的金属基无限共轭聚合物；其中，R为氨基或巯基，R’为巯基、羟基、羧基或氨基。采用本发明的技术方案，协同调控了热电材料载流子浓度和晶格热导率，提高了热电材料的电学、热学性能，为获得高性能热电材料提供新的思路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115011936A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210550868.3
申请日：2022-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种基于周期性损耗介质的选择性分光吸热涂层及其制备方法，所述基于周期性损耗介质的选择性分光吸热涂层从上到下依次包括三周期的损耗介质层，所述损耗介质层为ITO层/Si层、ITO层/SiC层、或WO3层/Si层。采用本发明的技术方案，可以同时实现分光和吸热一体，可同时兼顾725‑1100 nm光伏带内的反射和光伏带外太阳光谱范围内的光吸收，且高温稳定性好，在400℃高温真空环境下可以稳定100 h以上，性能没有变坏趋势。
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公开(公告)号：CN113369623B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110739024.9
申请日：2021-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种高服役温度的半赫斯勒热电材料的钎焊连接方法，其包括：将半赫斯勒热电材料粉体烧结制成热电臂；在热电臂的待钎焊面进行打磨，保持表面平整；取Cu‑Ag‑P焊片、电极片打磨后，将热电臂、Cu‑Ag‑P预制焊片、电极片进行清洗烘干；其中，所述Cu‑Ag‑P焊片的材质为CuxAgyPz，x、y、z满足x=0.85‑0.95；y=0‑0.2；z=0.01‑0.1；将Cu‑Ag‑P焊片放置于热电臂和电极片之间，施加压力，在830‑880℃下保温10‑20分钟，实现桥接。采用本发明的技术方案，提高了接头可服役温度至800℃及以上，且拥有更高的接头强度，界面热稳定性良好。
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公开(公告)号：CN114456607A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210157097.1
申请日：2022-02-21
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种含无限共轭聚合物的室温基热电材料及其制备方法，其制备方法包括如下步骤：将无限共轭聚合物、p型碲化铋Bi2‑xSbxTe3进行混合球磨，得到复合材料粉体，0＜x≤2；将复合材料粉体在240~450℃下进行热压放电等离子体烧结，得到热电材料；其中，所述无限共轭聚合物为采用如下结构式（1）的有机配体与金属元素合成的金属基无限共轭聚合物；其中，R为氨基或巯基，R’为巯基、羟基、羧基或氨基。采用本发明的技术方案，协同调控了热电材料载流子浓度和晶格热导率，提高了热电材料的电学、热学性能，为获得高性能热电材料提供新的思路。
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公开(公告)号：CN113369623A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110739024.9
申请日：2021-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种高服役温度的半赫斯勒热电材料的钎焊连接方法，其包括：将半赫斯勒热电材料粉体烧结制成热电臂；在热电臂的待钎焊面进行打磨，保持表面平整；取Cu‑Ag‑P焊片、电极片打磨后，将热电臂、Cu‑Ag‑P预制焊片、电极片进行清洗烘干；其中，所述Cu‑Ag‑P焊片的材质为CuxAgyPz，x、y、z满足x=0.85‑0.95；y=0‑0.2；z=0.01‑0.1；将Cu‑Ag‑P焊片放置于热电臂和电极片之间，施加压力，在830‑880℃下保温10‑20分钟，实现桥接。采用本发明的技术方案，提高了接头可服役温度至800℃及以上，且拥有更高的接头强度，界面热稳定性良好。
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公开(公告)号：CN112310269A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011206645.2
申请日：2020-11-03
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明属于热电材料技术领域，具体涉及一种兼具发电和制冷潜力的Mg3(Sb,Bi)2基热电材料及其制备方法。其中，包括：A掺杂在Sb位：Mg3.2‑m‑qMmSb2‑x‑yBixAy，和A掺杂在Mg位：Mg3.2‑m‑y‑qMmAySb2‑xBix。本发明通过成分调控，提出了一类可以兼具发电和制冷潜力的Mg3(Sb,Bi)2基热电材料。从热电性能结果可以看出，这类材料具有较高的热电优值，不仅能够满足温差发电的要求，其室温附近的热电性能也足以应对制冷的需要。本专利所提出的Mg3(Sb,Bi)2基热电材料有助于推进此类化合物的实际应用。
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