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公开(公告)号：CN112951915A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110108176.9
申请日：2021-01-27
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种功率器件抗单粒子烧毁加固结构极及其制备方法，在半导体功率器件的漏电极区域设置一个N型多缓冲层区结构；在源电极与颈区电极处形成一沟槽并形成金属电极；所述颈区的下方设有集成晶体管；在P型体区与漂移区之间设置N型场截止层。采用本发明的技术方案，可以大大降低半导体功率器件漂移区和衬底同质结处的电场峰值和碰撞电离、减少因碰撞电离导致雪崩倍增而产生的载流子的数量；同时使器件内的电流密度大幅降低，从而降低因电流热效应而产生的热量，使器件的SEB安全工作电压得到了显著提高。
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公开(公告)号：CN111863941A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735219.1
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/06 , H01L23/552 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种抗辐射VDMOS器件及其制备方法。所述抗辐射VDMOS器件的制备方法包括：在完成VDMOS器件的源极接触孔刻蚀后，向肼区内多次注入或扩散重金属离子，在所述肼区内形成重金属离子注入或扩散区，且所述重金属离子注入或扩散区的掺杂浓度自远离衬底一侧向靠近所述衬底一侧递减。本发明通过对外延层进行多次重金属离子注入或扩散，增加外延层辐射诱导电子空穴对的复合率，减少在高电场下电荷的收集效率，提升功率器件的抗单粒子烧毁能力，同时还能够保证VDMOS器件本身的高性能指标。另外，本发明与常规的功率VDMOS器件的制备方法工艺上兼容，步骤简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN111856152A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735220.4
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R29/00
Abstract: 本发明提供了一种脉冲信号采样方法及装置，涉及信号处理技术领域。所述脉冲信号采样方法包括获取采样信号；将所述采样信号滤波，分离为高频分量和低频分量；将所述高频分量和所述低频分量分别进行增益调节；对经过增益调节的所述高频分量和所述低频分量进行数据采集，分别获得静态分量和瞬态分量；将获得的所述静态分量和所述瞬态分量输出。这样，通过采用信号分离的方式独立控制各个分量，然后进行同步采集的方式同时获取多个信号分量的值，从而能够最大限度保留各个信号的有用成分，有利于后期数据处理和分析。
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公开(公告)号：CN111856095A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735735.4
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种脉冲高压负载电阻模块、组装方法及装置，涉及高频电子功率调节器技术领域，所述脉冲高压负载电阻模块包括电阻模块，包括多个负载电阻相互连接构成的电阻网络；安装板，与所述电阻模块相连接，以及散热组件，与所述安装板相连接，所述散热组件包括第一散热件和第二散热件，所述第二散热件与所述第一散热件的外壁固定相连，且所述第二散热件的内部设置腔体，且所述腔体内填充导热材料。与现有技术比较，本发明散热组件在电阻模块的最外层直接导热，减小了热传导路径，散热效率高，降低散热器重量，减小设备体积，且采用导热材料填充散热组件，进一步缩小产品尺寸，杜绝了电阻拉弧打火现象，安全性高。
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公开(公告)号：CN111855706A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735719.5
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N23/02
Abstract: 本发明提供了一种半导体材料辐射诱导位移缺陷的检测方法，包括以下步骤：S100、制备低阻单晶样品；S200、对低阻单晶样品的背面进行高浓度掺杂得到掺杂样品；S300、在掺杂样品的正面刻蚀沟槽；S400、对开槽的样品进行钝化，在样品的正面、背面和沟槽内形成介质层；S500、刻蚀样品背面的介质层，制备背面电极并形成欧姆接触；S600、刻蚀样品正面的介质层形成刻蚀区，制备正面电极并形成肖特基接触，制得测试样品；S700、对测试样品进行辐射诱导位移缺陷表征。本发明的检测方法通过制备出合适的半导体材料测试样品，有利于达到高效、高灵敏度位移缺陷检测与判定的目的，实现了半导体材料和器件中的辐射诱导位移缺陷快速、高效、准确检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111766496A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010735169.7
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种双极晶体管位移损伤敏感部位的检测方法，包括以下步骤：选择辐照源，针对待测双极晶体管开展辐照试验；将辐照后的双极晶体管安装到深能级瞬态谱仪的测试台上，设置测试参数；选择至少2个不同的偏置电压，测试双极晶体管获取深能级瞬态谱；根据不同的偏置电压下深能级瞬态谱中的信号峰变化，判定缺陷信号的类型；根据缺陷信号类型的判定结果，判定双极晶体管的位移损伤敏感区。本发明检测方法基于深能级瞬态谱分析，能够快速判断和评估双极晶体管位移损伤的敏感区，有利于推进辐射环境下双极器件性能退化等效性问题和抗辐射加固技术的研究。
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公开(公告)号：CN111360255A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010208457.7
申请日：2020-03-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B22F3/105 , B22F3/24 , B23H1/00 , B23H5/00 , B23H9/06 , B23H11/00 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y50/02
Abstract: 本发明提供了一种导电材料一体化加工系统及加工方法，该导电材料一体化加工系统包括驱动装置、控制装置和均能导电的引导装置和刻蚀装置；所述驱动装置包括能导电的工作台。本发明中，所述控制装置用于，当所述工作台或者已在所述工作台上成型的导电材料连接脉冲电源的负极，且所述引导装置连接所述脉冲电源的正极时，控制所述驱动装置带动所述引导装置移动，以使伸出所述引导装置的所述导电材料熔化并沉积到所述工作台的成型区上；以及，当由所述导电材料在所述工作台上成型的毛坯连接所述脉冲电源的正极，且所述刻蚀装置连接所述脉冲电源的负极时，控制所述驱动装置带动所述刻蚀装置移动，以使所述刻蚀装置对所述毛坯进行减材加工。
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公开(公告)号：CN108460196A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810135807.4
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 双极器件异种辐照源电离损伤等效评价试验方法，涉及材料和器件的辐照试验，属于核科学与技术领域，为了实现对不同类型粒子辐照条件下双极晶体管的性能退化特征的预测。本发明基于一种辐照源建立性能退化模型等效模拟其他辐照源辐射损伤的地面等效模拟试验方法，其应用对象包括双极晶体管及其他类型的双极工艺器件；仅通过选择某一特定种能量和种类的带电粒子，在合适的辐照通量条件下进行辐照试验，就可建立双极器件性能退化模型；结合Monte Carlo方法计算分析其他类型辐照源的损伤能力，即可将不同类型辐照源的辐射损伤进行归一化，达到预测在轨性能退化的目的。有益效果为准确地预测双极晶体管在轨电离损伤性能退化规律，步骤简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN108459338A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810136600.9
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01T1/02
CPC classification number: G01T1/02
Abstract: 本发明提供基于吸收剂量深度分布计算辐射敏感部位位移吸收剂量的方法，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明首先选取一种已知一维位移吸收剂量深度分布的材料，并将其移吸收剂量深度分布转化为吸收剂量随等效厚度的分布；对辐射敏感部位所处的结构进行区域划分，确定各个区域中的材料种类和每种材料的厚度；然后将各个区域的材料的厚度转化为等效厚度，确定各个等效厚度的吸收剂量和单向吸收剂量，最终计算得到结构中敏感部位的位移吸收剂量。本发明解决了现有技术辐射敏感部位位移吸收剂量计算复杂、耗时长的问题。本发明可用于快速评估航天器等复杂结构的位移吸收剂量。
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公开(公告)号：CN108458942A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810136596.6
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种航天器用聚合物基碳纤维复合材料空间热循环加速试验方法，涉及一种空间热循环加速试验方法。本发明为了解决现有针对航天器用聚合物基碳纤维复合材料的空间热循环试验的试验时间长的问题。方法：选择聚合物基碳纤维复合材料并测试微观结构；空间热循环条件确定，进行空间热循环试验并测定试验后材料中自由基的数量A和种类；确定地面加速热循环试验条件，进行地面加速热循环试验并测定试验后材料中自由基的数量B和种类；自由基的种类变化相同，数量满足∣A-B∣/A≤5％，计算加速因子N＝W1/W2或V2/V1。本发明能够缩短试验周期，降低试验成本。本发明适用于聚合物基碳纤维复合材料热循环加速试验。
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