公开(公告)号：CN103441062B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201310405028.9

申请日：2013-09-09

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李成 ,  卢卫芳 ,  黄诗浩 ,  林光杨 ,  陈松岩

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带的制备方法，涉及一种纳米材料。在SOI衬底上，用分子束外延或化学汽相沉积法生长一层Si/SiGe/Si结构，用全息激光干涉法对得到的样品曝光显影得周期在1μm以下的光栅阵列，利用ICP干法及湿法结合刻蚀图形，刻蚀深度为到达SOI衬底的埋层SiO2层；利用常规电阻式加热氧化炉对样品进行选择性氧化退火得到带宽达200nm以下的Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带。Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带是通过局部选择性氧化的方式将SOI衬底上的外延Si和SiGe进行氧化，从而减小带宽、调控Ge组份制备生成纳米尺度的半导体材料，简易、低成本、与硅传统工艺相兼容。

公开(公告)号：CN103928562B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201410183675.4

申请日：2014-05-04

Applicant: 厦门大学

Inventor： 黄巍 ,  魏江镔 ,  陈松岩 ,  李成

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 横向p-i-n结构Ge光电探测器的制备方法，涉及一种锗光电探测器。1)在衬底上外延生长单晶锗层，再在锗层上生长SiO2覆盖层；2)利用微电子光刻技术在外延单晶锗层上刻蚀出细长条的有源区台面；3)利用单晶锗层上面的SiO2覆盖层做掩蔽，通过侧向大偏角离子注入在台面两侧形成掺杂p区与掺杂n区；4)沉积金属Ni层后热退火，利用NiGe、NiSi形成时的自对准工艺在台面两侧及刻蚀区底部形成NiGe和NiSi接触电极；5)引出器件电极，保护钝化层，即得横向p-i-n结构Ge光电探测器。工艺简单，可操作性强，极具应用价值。

公开(公告)号：CN103413787B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201310383280.4

申请日：2013-08-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  亓东锋 ,  刘翰辉 ,  李成

IPC: H01L21/8247

Abstract: 台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件的制备方法，涉及半导体存储器。通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列，形成非平面台阶状结构；将刻蚀后的Si片标准清洗后，采用干法氧化方法，在凹槽阵列的Si衬底上氧化一层致密的SiO2作为存储器的电子隧穿层；在台阶状的表面覆盖有SiO2薄层的样品上溅射Au层，采用快速热退火方法使Au层团聚形成Au量子点；以Au量子点为掩膜版，采用高能Ar离子刻蚀方法刻蚀得到Au/SiO2/Si纳米柱结构；采用电子束蒸发工艺在Au/SiO2/Si纳米柱结构的基础上沉积高k介质层，最后蒸镀金属上电极和下电极，获得台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件。

公开(公告)号：CN103684904A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310569865.5

申请日：2013-11-13

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  洪亚德 ,  赵宇涛

IPC: H04L12/26 ,  H04L12/24

Abstract: 本发明涉及网络监控技术领域，具体为一种基于公共对象请求代理体系结构的网络监控系统，采用三层结构，分别为网络管理系统（NMS）,网元管理系统（EMS）和网元（NE），所述NE和EMS之间采用SNMP接口连接，所述NE通过私有接口连接各客户端，所述NMS和EMS之间和设有故障监控模块、配置监控模块、性能监控模块和安全监控模块，所述故障监控模块、配置监控模块、性能监控模块和安全监控模块均架设于公共对象请求代理体系结构（CORBA），所述公共对象请求代理体系结构，包括对象请求代理单元、客户存根（stub）、实现骨架（skeleton）,对象适配器、接口池、实现池和调用方法，本发明简单易于实现，不需要运行网络设备的改动和升级即可实现全网可管可控的综合网络监控。

公开(公告)号：CN100447950C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200710008498.6

申请日：2007-01-26

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李成 ,  蔡坤煌 ,  张永 ,  赖虹凯 ,  陈松岩

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/322

Abstract: 低位错密度锗硅虚衬底的制备方法，涉及一种制备Ge组分渐变弛豫锗硅合金层的方法，尤其是涉及一种氧化具有硅盖层低Ge组分锗硅层来制备低位错密度、表面平整的Ge组分渐变弛豫锗硅缓冲层的方法。提供一种可实现表面平整、Ge组分可控、成本低、厚度薄的SiGe弛豫缓冲层的制备方法。先在硅衬底或绝缘体上硅衬底上，用分子束外延或化学汽相淀积法生长一层Ge组分SiGe合金层，在SiGe合金层上覆盖一层硅盖层，Ge组分小于0.2，厚度在临界厚度以下；将覆盖一层硅盖层的SiGe合金层在氧化炉中氧化，在氧化后生成的SiO2层下面形成Ge组分渐变的SiGe缓冲层，Ge组分大于0.3；将氧化后生成的SiO2层腐蚀掉。

公开(公告)号：CN101013668A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200710008498.6

申请日：2007-01-26

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李成 ,  蔡坤煌 ,  张永 ,  赖虹凯 ,  陈松岩

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/322

Abstract: 低位错密度锗硅虚衬底的制备方法，涉及一种制备Ge组分渐变弛豫锗硅合金层的方法，尤其是涉及一种氧化具有硅盖层低Ge组分锗硅层来制备低位错密度、表面平整的Ge组分渐变弛豫锗硅缓冲层的方法。提供一种可实现表面平整、Ge组分可控、成本低、厚度薄的SiGe弛豫缓冲层的制备方法。先在硅衬底或绝缘体上硅衬底上，用分子束外延或化学汽相淀积法生长一层Ge组分SiGe合金层，在SiGe合金层上覆盖一层硅盖层，Ge组分小于0.2，厚度在临界厚度以下；将覆盖一层硅盖层的SiGe合金层在氧化炉中氧化，在氧化后生成的SiO2层下面形成Ge组分渐变的SiGe缓冲层，Ge组分大于0.3；将氧化后生成的SiO2层腐蚀掉。

公开(公告)号：CN1250275A

公开(公告)日：2000-04-12

申请号：CN99119122.6

申请日：1999-09-16

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈朝 ,  夏德昊 ,  刘宝林 ,  陈松岩

IPC: H04B10/12

Abstract: 涉及一种用于计算机以太网通信的100Mbps光纤收发器,采用CSMA/CD方式,执行IEE802.3u标准,设两块执行芯片U1、U2,光信号经光纤接口接光纤信号收发模块,收发模块的电转换输出经U1的解码——电阻组——U2的编码后,从双胶线接收端经耦合器接至RJ45接口,RJ45接口的发射端接耦合器,并经U2的解码——电阻组——U1的编码后,接收发模块,并从收发模块的LED再经光纤接口向网络发射光信号。印刷电路板设电源、接地等4层。

公开(公告)号：CN119480632A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411663013.7

申请日：2024-11-20

Applicant: 厦门大学

Inventor： 林光杨 ,  陈国威 ,  李成 ,  陈松岩 ,  黄巍

IPC: H01L21/285 ,  H10D30/01

Abstract: 一种锗基源漏材料的制备方法及其应用，涉及锗基源漏材料领域，在锗基衬底上通过锗和铝的共沉积生长锗铝薄膜，当衬底温度为215~383℃时，X射线衍射（XRD）测试锗铝薄膜为单晶结构，晶体质量良好且表面无铝的偏析。霍尔测试锗铝薄膜自带p型掺杂，激活的空穴浓度高达8×1020#imgabs0#。根据飞行时间‑二次离子质谱仪（TOF‑SIMS）的表征结果，铝原子在未掺杂锗基衬底的扩散长度小于4nm/decade，可以应用于锗基逻辑电路先进节点工艺的p型原位掺杂和p+/n浅结的制备。

公开(公告)号：CN118825204A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410813497.2

申请日：2024-06-21

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  张志勇 ,  李成 ,  黄巍 ,  苏鹏飞 ,  兰超飞

IPC: H01M4/1395 ,  H01M4/134 ,  H01M4/04 ,  H01M4/38 ,  H01M4/40 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/0585

Abstract: 一种无外压长循环全固态电池和硅负极及其制备方法，利用Li21Si5合金低杨氏模量的特性，在较高的堆积压力下诱导Li21Si5合金产生应力烧结现象，得到致密、一体化的合金负极。同时利用Li21Si5合金高电子/离子导电特性，构建了负极上层的电子/离子双导体层(Li21Si5)和下层的混合三维导电层(Si‑Li21Si5)。该结构为全固态电池负极提供了均匀的电场，将Si的循环膨胀应力匀化分散在负极的底部，以稳定固态电解质和负极的界面，减少副反应，从而实现全固态电池在无外压下的超高首效和稳定的长循环性能。

公开(公告)号：CN114464691B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202210119652.1

申请日：2022-02-08

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李成 ,  张璐 ,  洪海洋 ,  林光杨 ,  陈松岩 ,  黄巍

IPC: H01L31/0312 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种GeSn纳米晶材料及其制备方法与应用，所述GeSn纳米晶材料为GeSn纳米晶嵌于非晶GeSn中，Sn组分的摩尔含量为7.5％～41.6％；所述GeSn纳米晶材料的制备方法，包括以下步骤：1)对衬底进行清洗；2)在清洗后的衬底上，用物理沉积的方法生长局部存在较高Sn组分的非晶GeSn薄膜，以在GeSn薄膜中引入Sn和Ge的浓度梯度；3)对步骤2)的样品进行退火得到非晶GeSn中的高Sn组分GeSn纳米晶。本发明与传统CMOS工艺相兼容，制备得到的GeSn纳米晶的Sn组分高于Sn在Ge中的平衡固溶度并且可通过退火温度调控。