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公开(公告)号：CN117828956A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410246785.4
申请日：2024-03-05
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/23 , G06F30/10 , G06F30/27 , G06F17/18 , G06F119/02 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种基于晶体塑性有限元模型的封装跌落可靠性预测方法，包括观察扫描电子显微镜下的微凸点细观结构，建立包含不同取向晶粒的晶体塑性有限元模型；调整微凸点尺寸、微凸点个数及排布方式，构建封装结构的有限元模型；对封装结构的有限元模型进行参数设置；针对最大应力应变位置的微凸点，采用均匀化方法得出微凸点的最大应力和应变；使用仿真软件，输入不同组载荷条件，输出对应的微凸点最大应力仿真云图，得到不同组焊点最大应力应变曲线；利用样本数据集对神经网络进行训练和测试，获得应力预测模型。本发明能够通过微观力学精准的拟出封装模型，并通过机器学习算法大大增加封装仿真计算速度。
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公开(公告)号：CN117517932B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311844340.8
申请日：2023-12-29
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明属于超大规模集成电路可测性设计领域，公开了一种芯粒间TSV测试电路及测试方法，通过芯粒测试配置电路配置测试路径、测试指令和读写数据寄存器；通过读写数据寄存器组接收测试向量和捕获测试响应；通过TSV阵列测试控制电路控制TSV测试的初始化、测试、捕获操作；通过地址解码电路选择TSV阵列中的待测行；通过测试向量生成电路生成测试TSV所需的测试向量；通过比较电路判断测试TSV是否存在故障；通过TSV接收阵列和TSV发送阵列控制测试向量在TSV上的发送与测试响应的接收。本发明所提出的测试电路满足芯粒间TSV的测试需求，减少了硬件面积的占用，测试过程高度自动化，芯粒测试成本下降。
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公开(公告)号：CN115800927A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202310046966.8
申请日：2023-01-31
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于占空比检测的晶体振荡器，包括第一反相器，电阻，第一、第二负载电容，第一~四开关，石英晶体，缓冲器，采样保持模块，第一、第二比较器，相位转换模块，数字控制模块和能量注入模块。所述石英晶体一端用于信号注入，对石英晶体的另一端信号通过采样处理，经第一比较器获得表征相位误差累积的信息，即占空比在不断变化的信号，最终通过相位转化模块和第二比较器对占空比进行检测，得到相位切换的准确时刻。本发明在实现低功耗的基础上，通过检测占空比和精准地切换相位，保证了能量可持续性地注入，实现了晶体振荡器的快速启动。
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公开(公告)号：CN113346850B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202110671608.7
申请日：2021-06-17
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多次谐波抑制的高效射频功率放大器，包括输入匹配电路、栅极偏置电路、晶体管、漏极偏置电路、输出匹配电路、多次谐波抑制电路,是在射频功率放大器的输出网络中添加由多个步进阻抗谐振器组成的具有多次谐波抑制的低通滤波电路，一方面可以实现较好的二至五次谐波抑制和提升线性度；另一方面，输出匹配电路的基波频率具有较低的插入损耗，并且添加的多次谐波抑制电路不会影响输出匹配的带宽。
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公开(公告)号：CN113114259A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110504208.7
申请日：2021-05-10
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03M1/50
Abstract: 本发明公开了一种基于可调增益时间放大器的时间‑数字转换器，属于数模混合集成电路技术领域。包括粗级时间‑数字转换器CTDC、时间放大器TA和细级时间‑数字转换器FTDC；所述粗级时间‑数字转换器CTDC的两个输入端分别外接输入START和STOP信号；所述时间放大器TA包括误差提取电路、数字模块、脉冲提取电路和误差求和电路，所述误差提取电路用于将START信号和STOP信号的相位差提取出来；所述脉冲提取电路用于提取脉冲，所述误差求和电路用于将并行的误差信号合并成串行的。本发明能够并行提取多个误差信息，而不是对于单个误差的放大，线性度高；同时，在提取误差和误差求和时，简化了对误差信号的处理过程，防止在处理过程中引入新的误差，确保了放大时的精确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110414158A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910705941.8
申请日：2019-07-31
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种叠层芯片热性能优化方法，所述优化方法步骤为步骤一：根据芯片各个组件的初始尺寸和相应的材料仿真获得芯片的初始结温值；步骤二：选取影响结温的七种因素，并确定合适的正交表；步骤三：采用正交表的极差分析得到影响趋势图，观察图中各个因素在不同取值情况下的变化范围从而得到影响结温的主要因素以及各个因素的最优值；步骤四：将各个因素的最优值组合后仿真获得最优结温，将最优结温与之前的初始结温作比较，发现结温有明显下降，芯片热性能得到优化。采用所述优化方法后，最终结温的优化值比初始结温值降低8.38%。
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公开(公告)号：CN110212914A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910653701.8
申请日：2019-07-18
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03L7/099
Abstract: 本发明提供一种基于多阶桥接电容阵列的数控振荡器，包括负阻模块、电感L和多阶桥接电容阵列，负阻模块包括PMOS晶体管Mp和NMOS晶体管Mn，负阻模块的正端口连接电感L的上端，负阻模块的负端口接电感L的下端；负阻模块的正端口分别接PMOS晶体管Mp的栅极与NMOS晶体管Mn的漏极，负阻模块的负端口分别接PMOS晶体管Mp的漏极与NMOS晶体管Mn的栅极；PMOS晶体管Mp的源极接电源，NMOS晶体管Mn的源极接地；电感L与多阶桥接电容阵列并联；本发明通过改变振荡器开关电容调谐模块的结构，在原来频率分辨率的基础上，使得频率分辨率提高为原来的几百倍，从而获得更高精度的频率分辨率，同时具有较高的线性度、频率稳定度。
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公开(公告)号：CN109167966A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811144657.X
申请日：2018-09-29
Applicant: 南京邮电大学南通研究院有限公司 , 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA+ARM的图像动态检测系统及方法，系统包括COMS采集电路、zynq处理电路和HDMI显示电路；COMS采集电路与摄像头连接，用于视频采集，形成数字图像，然后将信号传给zynq处理电路；Zynq处理电路包含FPGA部分和ARM部分，FPGA部分用于信号接收和传输，将边缘检测算法做成IP核放入FPGA部分；ARM部分存储插帧法；HDMI显示电路与显示器连接，用于显示视频。本发明基于FPGA和ARM，实现图像的快速采集与处理。
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公开(公告)号：CN108335017A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810007145.2
申请日：2018-01-04
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
CPC classification number: G06Q10/067 , G06Q30/0206
Abstract: 本发明公开了一种基于劳务众包平台下的任务定价方法，为解决劳务众包平台收益最大化的问题。该方法提出了会员密度、会员活跃度及任务难度在实际现实中对定价的影响，并建立模型分别求取参数会员密度、会员活跃度及任务难度。本发明利用多重线性回归、仿真等手段给出相应的定价模型。
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公开(公告)号：CN108054194A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711234307.8
申请日：2017-11-30
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有三维横向变掺杂的半导体器件耐压层，该耐压层在半导体器件的半导体衬底或埋氧层的上表面外延形成，及所述耐压层具有三维横向变掺杂并且在以P+或N+为中心的曲率结构中掺杂浓度为非线性分布。所述耐压层采用叉指状版图或跑道形版图或圆形版图；所述耐压层采用硅或碳化硅、砷化镓、磷化铟、锗硅材料制作；本发明的耐压层能够按照标准的CMOS工艺制备，因此该工艺是一个与标准CMOS工艺完全兼容的工艺方案，工艺制备简单，成本低廉，可以有效抑制版图所带来的三维曲率效应，从而大大增强实际器件的耐压能力。
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