公开(公告)号：CN119573905A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411673724.2

申请日：2024-11-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  王静怡 ,  王一鸣 ,  孙琰雯 ,  刘淇 ,  王志诚 ,  杨婷 ,  王凯 ,  吴天泽

IPC: G01K7/01 ,  H03K7/08 ,  H03K5/156

Abstract: 本发明公开了一种基于BJT的占空比调制的单电容温度传感器，属于集成电路领域。该温度传感器电路在一个周期中，分别对电容充电一个正温度系数电压和负温度系数电压，计算两段充电时间，用充电到正温度系数电压的时间除以两段时间相加的和，该比值与温度成正比关系，即把温度转换为了占空比输出，相比于采用高精度ADC量化的方法，能够大程度的降低功耗和电路复杂度。另外，该电路做了单电容设计，即两段充电过程均对同一个电容进行，只需设计两段充电电流合适的比例，即可使得两段时间之和(即周期时间)与温度无关，由于电容通常占据整个芯片的大部分面积，因此相比于双电容的设计，大大节省了面积，并且可以避免电容失配带来的误差。

公开(公告)号：CN119382637A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411425838.5

申请日：2024-10-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  潘亦凡 ,  王一鸣 ,  王凯

IPC: H03F1/26 ,  H04N25/778

Abstract: 本发明公开了一种基于复合介质栅光敏探测器的电容跨阻放大器电路及方法。该电路中，复合介质栅光敏探测器像素的栅端连接外部偏压，其源端接地，漏端经过第一开关与跨阻放大器的第一输入端相连；跨阻放大器的第二输入端连接外部电压，电容C1和第二开关两端与跨阻放大器的输出端和第一输入端相连，形成反馈回路；跨阻放大器的输出端与第三开关的一端连接，第三开关的另一端与电容C2的一端、晶体管M1栅端相连，电容C2的另一端接地；晶体管M1的源端与外部电压VDD相连，其漏端与比较器的一个输入端和电流源相连，比较器的另一个输入端连接斜坡发生器，比较器的输出端与计数器相连。本发明可以实现对复合介质栅双晶体管光敏探测器的高速、高精度读出。

公开(公告)号：CN119201768A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411329111.7

申请日：2024-09-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 王凯 ,  刘淇 ,  李张南 ,  沈凡翔 ,  吴天泽 ,  孙琰雯 ,  王静怡 ,  蒋骏杰 ,  王一鸣 ,  杨婷

IPC: G06F12/06 ,  G06F15/78

Abstract: 本发明公开了一种基于地址自增机制的全片配置装置及方法。其装置包括数据传输模块、地址自增模块和数据配置模块；数据传输模块，用于处理数据读写请求，并根据请求生成相应的读写控制信号；地址自增模块，用于根据输入数据的位宽和单个地址配置数据的位宽，确定每次地址增加的步长，并且基于当前地址自动计算并更新配置地址；数据配置模块，用于基于地址自增模块输出的更新地址和数据传输模块输出的读写控制信号，执行指定地址的数据写入或读取操作。本发明通过统一的配置流程和地址自增机制，为芯片的全片配置提供一种高效可靠的数据配置方案，相较于传统方案，本发明能够实现更高效的全片配置过程，同时降低了硬件设计与验证的复杂度。

公开(公告)号：CN118574022A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202411047663.9

申请日：2024-08-01

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  刘泉 ,  蒋骏杰 ,  杨婷 ,  王凯 ,  吴天泽 ,  王一鸣

IPC: H04N25/40 ,  H04N25/70

Abstract: 本发明公开了一种基于视网膜成像原理的成像控制方法，属于成像技术领域。所述方法采用分级降采样策略模拟视网膜成像特点，在保证关注点的分辨率的同时降低整体图像的分辨率，可以大量降低数据存储空间，决策网络对该成像方法的输出结果进行评估和动态观测，且综合考虑了对场景中物体身份、位置和大小的估计损失，以及对下一时刻观测结果的估计损失和决策网络的生成概率与后验概率的差异估计损失，从而准确得到对当前时刻场景的理解以及决定下一时刻的分级降采样策略，并且在网络计算中，该方法可以大量降低计算量，有效减小数据传输带宽和功耗，为应用于边缘端设备提供了可能。

公开(公告)号：CN118295624A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410718926.8

申请日：2024-06-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  蒋骏杰 ,  王一鸣 ,  蔡梦瑶 ,  孙琰雯 ,  吴天泽 ,  杨婷 ,  刘泉 ,  杨思千

IPC: G06F5/06 ,  G06F13/40

Abstract: 本发明公开了一种基于多周期并行不定长序列数据的传输系统，属于集成电路领域。该系统包括系统控制模块、数据重排模块、分隔符生成模块、数据自适应编码模块、动态输出环状FIFO模块、以及数据正则化FIFO模块；通过综合考虑有效数据占比、数据实时性、数据流速等多个维度，设置多模式复用面积占比最大的存储模块，能够提供基于流速优先或者有效数据占比优先的不同传输模式的选择，极大节省面积与功耗资源，并且面对不同的数据类型可以灵活切换工作模式，提升了数据的实时性、流速以及有效数据带宽，并且降低了前级与后级电路的设计复杂度。

公开(公告)号：CN117309139A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311188115.3

申请日：2023-09-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  杨婷 ,  王一鸣 ,  吴天泽 ,  蒋骏杰 ,  蔡梦瑶 ,  杨思千

IPC: G01J1/44

Abstract: 本发明公开了一种用于SPAD器件淬灭整形的电路及其方法。该电路包括主动淬灭电路、延迟反相器、或非门和整形电路，其中，主动淬灭电路接收SPAD器件检测到光子产生的雪崩信号并输出高电平；延迟反相器用于产生与主动淬灭电路输出有一定延迟的低电平信号；或非门对主动淬灭电路和延迟反相器的输出进行或非的逻辑处理并产生脉冲输出；整形电路用于脉冲输出的整形。本发明的主动淬灭电路通过外接一个信号，在SPAD检测到光子后强行调节其两端的压差降至雪崩电压以下，使器件脱离雪崩击穿状态，实现主动淬灭。本发明的电路结构可以实现有效快速的SPAD器件淬灭和光子探测脉冲信号的整形输出，并且与标准集成电路工艺兼容。

公开(公告)号：CN117253439A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202311235146.X

申请日：2023-09-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  蒋骏杰 ,  王一鸣 ,  吴天泽 ,  杨婷 ,  杨思千 ,  蔡梦瑶

IPC: G09G3/20

Abstract: 本发明一种适用于大规模像素阵列行驱动的数控电路及驱动方法。其电路包括依次连接的行功能译码模块、行判断模块、行状态机控制模块；行功能译码模块，用于根据像素芯片的模式功能进行行维度的功能性译码，将具体的模式功能转化为行选通使能编码；行判断模块，用于依据行功能译码模块传输的信息实现阵列中每一行的触发通道选择与调制；行状态机模块，用于根据行判断模块传输的信号为阵列中每一行单独提供行状态的数字驱动信号。本发明的提出能够为大规模、高功能复杂度的像素阵列提供灵活可靠的行状态数字驱动，相较于传统方案，本发明能够实现更复杂的功能驱动，同时芯片设计与验真难度更低。

公开(公告)号：CN116017184B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310321390.1

申请日：2023-03-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  李龙飞 ,  王一鸣 ,  宋年华 ,  李张南

IPC: H04N25/75

Abstract: 本发明公开了一种基于反相器链跨阻放大器的复合介质栅双晶体管像素读出电路，属于集成电路领域。本发明的电路包括复合介质栅双晶体管光敏探测器像素、开关S1、斜坡发生器、反相器链跨阻放大器、驱动级和计数器，其中，复合介质栅双晶体管光敏探测器像素控制端连接斜坡发生器，第一端接地，第二端与反相器链跨阻放大器输入端连接；反相器链跨阻放大器的输出端与驱动级的输入端连接；驱动级的输出端作为计数器的使能信号。本发明的电路，规避了放大器直流工作电平不处于线性放大区间的问题，且不易受到输入端高频噪声的干扰，以实现对复合介质栅双晶体管光敏探测器实现高速、高精度的读出。

公开(公告)号：CN115996325A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202310289542.4

申请日：2023-03-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  王一鸣 ,  吴天泽 ,  王凯 ,  杨婷 ,  蒋骏杰 ,  杨思千 ,  蔡梦瑶

IPC: H04N25/704 ,  H01L27/146 ,  H04N25/44

Abstract: 本发明公开了一种基于希尔伯特曲线的SPAD阵列及成像方法，属于半导体器件技术领域和图像通信技术领域。本发明包括多个像素单元构成的像素阵列、希尔伯特线阵、首读出模块和尾读出模块；希尔伯特格点是指按照希尔伯特曲线的形式进行排布的希尔伯特线阵上的点；每个像素的输出与一个希尔伯特格点相连；首读出模块和尾读出模块分别与希尔伯特线阵的起点和终点相连；希尔伯特线阵负责脉冲信号传输。在本发明中，只需测希尔伯特线阵的首尾信号，即可进行成像。相较于传统含有计数电路的SPAD阵列，像素阵列大大减小、像素填充因子变得更高，可实现超高速读出；本发明极大地缩小了面积，尤其适用于低成本、低功耗、低照度、超高速的系统中。

公开(公告)号：CN115642165A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202211306216.1

申请日：2022-10-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  杨婷 ,  王凯 ,  吴永杰 ,  吴天泽 ,  王一鸣 ,  蒋骏杰

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/76 ,  H04N25/779

Abstract: 本发明公开了一种光电可调的垂直电荷转移型器件、阵列及方法。其垂直电荷转移型器件单元包括五个复合介质栅MOSFET器件，其中四个复合介质栅MOSFET器件用于收集读取信号，即读取管，这四个读取管排成正方形结构，其中间放置一个共享的用于写入的复合介质栅MOSFET器件，即写入管；复合介质栅MOSFET器件的结构为在衬底上方依次设有底层绝缘介质层、浮栅、顶层绝缘介质层和控制栅；五个复合介质栅MOSFET器件共享浮栅和控制栅。本发明的器件能够突破现有硅基图像传感器只能在可见光波段进行响应的限制，通过在电路结构中选择不同响应波段的光电二极管作为信息提供源对写入管进行调制，可以实现多谱段成像功能。