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公开(公告)号:CN107421917A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:CN201710345793.4
申请日:2017-05-17
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种多功能高精度大气能见度仪及能见度测量方法,包括外壳,所述外壳的内部设有电源、电源控制器、望远镜、激光触发器、激光器、耦合器、第一聚焦透镜、第二聚焦透镜、窄带滤光片、FPGA核心控制与数据处理模块、光电探测器和外部环境探测模块,所述外壳的前侧表面设有激光触发器按键和液晶显示屏,所述电源通过电源控制器分别与所述激光触发器、激光器、光电探测器、FPGA核心控制与数据处理模块、外部环境探测模块和液晶显示屏电连接,所述激光触发器按键和FPGA核心控制与数据处理模块电连接,所述FPGA核心控制与数据处理模块和激光触发器电连接,本发明体积小、重量轻、多功能、低成本和测量精度高。
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公开(公告)号:CN103186894B
公开(公告)日:2015-10-07
申请号:CN201310093851.0
申请日:2013-03-22
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G06T5/50
Abstract: 本发明一种自适应分块的多聚焦图像融合方法,对预分割后的图像块的灰度共生矩阵的标准偏差进行判断,将标准偏差相同的图像块写入融合结果图,对标准偏差不同的图像块进行自适应细分割,当细分次数达到三次后,仍存在标准偏差不相同的子图像块,再利用基于偏差中值的融合方法对标准偏差不同的子图像块进行融合,并将融合结果写入融合结果图。该方法可以有效地解决固定尺寸分块方法中的像素清晰度误判问题,从而得到更加理想的融合结果图像。
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公开(公告)号:CN104836105A
公开(公告)日:2015-08-12
申请号:CN201510272698.7
申请日:2015-05-25
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01S3/098 , H01S3/081 , H01S3/0941 , H01S3/16
Abstract: 本发明公开了基于碳纳米管可饱和吸收镜的中红外脉冲光学参量振荡器,包括LD激光二极管、Nd:YVO4晶体、碳纳米管可饱和吸收镜、MgO:PPLN晶体、第一~第二平凹镜、TEC制冷平台、温控炉,LD激光二极管、Nd:YVO4晶体、碳纳米管可饱和吸收镜、第一平凹镜、MgO:PPLN晶体、第二平凹镜从左到右依次排列并在同一水平面,第一、第二平凹镜的凹面均朝向MgO:PPLN晶体,TEC制冷平台置于Nd:YVO4晶体下方且与之接触,温控炉置于MgO:PPLN晶体下方且与之接触。本发明采用单壁碳纳米管制备可饱和吸收镜,具有恢复时间快、饱和光强度低、工作光谱范围宽且制备方法简单、成本低、化学稳定性好的特点;利用碳纳米管可饱和吸收镜作为被动锁模器件,可以实现ps~fs量级的超短脉冲激光输出,大大提高了输出脉冲功率和重复频率。
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公开(公告)号:CN104833645A
公开(公告)日:2015-08-12
申请号:CN201510242852.6
申请日:2015-05-13
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01N21/3504
Abstract: 本发明公开了一种量程可调型气体传感器、传感系统及方法,该气体传感器包括由内筒和外筒组合成的封闭气室,气室上开有待测气体进气口和待测气体出气口,气室内一侧设有电调制宽带红外光源、窄带滤波片、双通道红外探测器,另一侧设有直角棱镜,电调制宽带红外光源、窄带滤波片、双通道红外探测器以及直角棱镜的中心位置均在同一基准面上,且直角棱镜的反射偏移量与电调制宽带红外光源和双通道红外探测器之间的间距相同。本发明克服气体传感器检测量程的单一性,设置多个检测量程档位,提高单个气体传感器的利用率;根据待测气体的实际浓度自动调整至最佳的检测量程,确保检测时透射比在最优范围内,减少了检测浓度偏差,提高了检测精度。
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公开(公告)号:CN104390721A
公开(公告)日:2015-03-04
申请号:CN201410679860.2
申请日:2014-11-24
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明公开了一种温度传感器、温度测量方法及装置,属于测量技术领域。本发明以非线性光学晶体作为温度传感器,在待测温度下利用所述非线性光学晶体进行准相位匹配的光频率转换,得到待测温度下所述非线性光学晶体的准相位匹配周期Λ(T);然后根据下式计算得到待测温度T:Λ(T)=Λ(T0)[1+α·(T-T0)+β·(T-T0)2],式中,Λ(T0)为参考温度T0下所述非线性光学晶体的准相位匹配周期,α、β为所述非线性光学晶体的热膨胀系数。本发明以非线性光学晶体作为温度传感器,利用非线性光学晶体的准相位匹配周期与环境温度之间的关系进行温度测量,在大幅提高了测量量程的同时,还为温度测量技术指出了一个新的方向。
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公开(公告)号:CN102778306A
公开(公告)日:2012-11-14
申请号:CN201210242071.3
申请日:2012-07-13
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01K11/32
Abstract: 本发明公开的光子晶体光纤折射率温度传感器、制作方法及测量系统,公开了一种以单模光纤为光信号输入输出光纤、光子晶体光纤为传感器探头以及由光子晶体光纤的包层空气孔塌陷形成的椭球空气腔与传感器探头本身组成复合法布里-珀罗腔的光子晶体光纤折射率温度传感器、制作方法及测量系统。本发明公开的光子晶体光纤折射率温度传感器及其测量系统,不需要对光纤进行腐蚀或光刻,制作方便,传感系统不受杂散光影响,可同时测量折射率和温度,信号噪声小,系统灵敏度高、可靠性好。
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公开(公告)号:CN119545997A
公开(公告)日:2025-02-28
申请号:CN202411429192.8
申请日:2024-10-14
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H10H20/821 , H10H20/812 , H10H20/815 , H10H20/816 , H10H29/01 , H10H20/818 , H10H20/825 , H10H29/30
Abstract: 本发明公开了一种含驱动的微型发光二极管(Micro‑LED)结构及其制备方法,其结构包括向上晶面为非极性面的氮化镓(GaN)层、含有微孔的掩膜层、GaN立体三角岛、以及在三角岛一侧斜面上设置的高电子迁移率晶体管(HEMT)结构、另一侧斜面上设置的Micro‑LED结构。本发明利用选区外延并结合侧向外延获得立体结构的GaN岛,此GaN岛因其晶体属性自然形成左右对称的结构,在两侧分别设置HEMT和Micro‑LED结构,可以直接利用一侧的HEMT驱动另一侧的Micro‑LED,不仅解决了传统Micro‑LED需要额外驱动的问题,还避免了传统选区外延MicroLED结构时微孔为电流的束缚。此外,在三角岛斜面上生长具有独立结构的Micro‑LED,可以避免传统微加工技术对量子阱和P型层刻蚀损伤带来的不利影响,有效抑制每个发光单元的边缘效应,提高发光效率;以密堆积为基础排列发光单元,可以最大程度上有效利用外延片的面积,将经济效益最大化。
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公开(公告)号:CN118130429A
公开(公告)日:2024-06-04
申请号:CN202410546757.4
申请日:2024-05-06
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01N21/552 , G01N21/01
Abstract: 本发明公开了一种COPD患者呼出气检测装置及其制备方法,该装置通过硅作为衬底,在硅衬底上设置有金膜作为弱导电层,弱导电层的上方设置有多孔氧化铝结构,且该多孔氧化铝结构的孔隙中设置有金纳米线,且金纳米线的端面分别设置有氧化锡、氧化铬、氧化钨和钯四个区域的不同气敏薄膜,所述多孔氧化铝结构的上方设置有一层底部设置有气敏薄膜的金膜,该金膜上的气敏薄膜包括氧化锡、氧化铬、氧化钨和钯四个区域,且与所述金纳米线端面设置的气敏薄膜相对应;通过该装置可以精准检测挥发性有机物中的COPD生物标志物,具有检测时间短、体积小、成本低、灵敏度高、便于户外观察等特点。
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公开(公告)号:CN116242807A
公开(公告)日:2023-06-09
申请号:CN202310414008.1
申请日:2023-04-18
Applicant: 南京信息工程大学
Inventor: 常建华
IPC: G01N21/552 , G01N21/59
Abstract: 本发明公开了一种基于拟合质心法的温度补偿SPR葡萄糖传感器,通过将多模光纤和单模光纤熔接,经过氢氟酸腐蚀形成的锥形单模光纤,银膜包覆在氢氟酸腐蚀的单模光纤上,还原氧化石墨及PDDA/PBA附着在银膜上作为传感层。所设计出的传感器同时具有SPR与MZI效应,在检测葡萄糖溶液浓度的同时可对温度进行监测以减少温度带来的干扰;并将SPR透射光谱拟合成高斯函数,并求出函数与设置基线围成图形的质心坐标作为参照点。相较于传统结构所涉及的传感器,本发明具有较高的精确度与线性度。
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公开(公告)号:CN112018199B
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN201910461768.1
申请日:2019-05-30
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种高质量非极性AlGaN微纳复合结构,包括基底、柱状固体介质阵列结构和孔状非极性AlxGa1‑xN层。本发明可显著降低非极性AlGaN面内应力,从而达到大幅度减弱非极性AlGaN产生位错的根源,实现非极性AlGaN位错密度的有效降低和晶体质量的有效提高。还可以适应非极性AlGaN在不同Al组分条件下应力各向异性的变化,最大限度上解决非极性AlGaN因存在的面内应力各向异性导致的问题。使用该复合结构可进一步生长高质量的非极性AlGaN基薄膜,广泛应用于非极性AlGaN基紫外、深紫外发光器件以及紫外、日盲探测器件的制备,并可显著提高制备器件的性能、稳定性及寿命。
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