公开(公告)号：CN104485292A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201410758902.1

申请日：2014-12-10

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 汪民 ,  王宏杰 ,  刘军

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2021/60022 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1712 ,  H01L2224/818

Abstract: 本发明提供了一种基板上通过引线键合互叠凸块实现小间距凸点及PoP互叠的方法，首先通过引线键合工艺，在基板上制作堆叠的金属凸块至所需高度，形成互叠凸块；采用丝网印刷工艺，在互叠凸块顶部印刷焊料膏，再进行回流工艺，使焊料膏形成焊帽形状覆盖在互叠凸块的顶部；在基板上贴装芯片并完成与基板的互连；通过塑封工艺完成整个封装体的塑封，再通过植球工艺完成整个封装体底面的植球；最后将封装体进行PoP互连，上、下封装体通过底面焊球和上方凸点对准并回流的方式连接。本发明的优点是：整个方式完全使用传统的封装设备及工艺。凸点间距可根据需要选用不同粗细的金属线并控制凸点尺寸来决定，作业方式相对简单。

公开(公告)号：CN104465609A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410756179.3

申请日：2014-12-10

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 陈南南 ,  王宏杰

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种铜核球PoP互连的封装结构和封装方法，包括位于上层的第一封装单元和一个或多个第二封装单元，第一封装单元和第二封装单元依次堆叠，第一封装单元和第二封装单元之间、以及相邻的第二封装单元之间均通过焊球连接；其特征是：所述焊球包括铜核球和铜核球表面镀覆的镀层钎料。所述铜核球为中心对称结构或者为轴对称球结构。所述铜核球为球形、圆柱形、矩形柱形或椭球形。所述第一封装单元为扇出型晶圆级封装结构。所述第二封装单元采用倒装芯片封装结构或引线键合封装结构。所述第二封装单元与上层的第二封装单元或第一封装单元的焊球连接。本发明能有效地改善PoP层叠芯片的坍塌现象，简化工艺，降低成本。

公开(公告)号：CN103972217A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410172529.1

申请日：2014-04-26

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 孙鹏 ,  徐健 ,  王宏杰 ,  何洪文

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/498 ,  H01L21/02 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种集成无源电容扇出型晶圆级封装结构及制作方法，包括包括塑封体和芯片；其特征是：在所述塑封体中设置第一金属柱、第二金属柱、第三金属柱和第四金属柱，第一金属柱和第二金属柱位于芯片一侧，第三金属柱和第四金属柱位于芯片另一侧；在所述塑封体的正面设置绝缘层，在绝缘层中布置第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层，第一金属层与第一金属柱连接，第二金属层与第二金属柱和第一电极连接，第三金属层与第三金属柱和第二电极连接，第四金属层与第四金属柱连接；在四个金属层上分别设置凸点下金属层，在点下金属层的外表面分别设置焊球。本发明实现了扇出型芯片封装和薄膜集成无源被动器件的集成，提升了电学品质。

公开(公告)号：CN103617991A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201310587159.3

申请日：2013-11-20

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 王宏杰 ,  徐健 ,  孙鹏

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/3025

Abstract: 本发明提供一种半导体封装电磁屏蔽结构，包括一有机基板，所述有机基板具有两个相对的导体面，两个导体面之间的有机基板内设有至少一层金属屏蔽层；芯片贴装在有机基板的一个导体面上，芯片的连接凸点与该导体面连接；电磁屏蔽罩固定在贴装有芯片的导体面上，将芯片完全罩在其内；电磁屏蔽罩的侧壁底部通过贯通有机基板的电通孔与金属屏蔽层以及有机基板的另一导体面电连接；芯片的与信号和电源相关的连接凸点通过贯通有机基板且与金属屏蔽层绝缘的信号与电源通道与有机基板的另一个导体面电连接。本发明能够在芯片的两面都形成电磁屏蔽结构，获得更好的电磁屏蔽效果；大批量制作时，成本优势明显。

公开(公告)号：CN103579201A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310589340.8

申请日：2013-11-20

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 王宏杰 ,  孙鹏 ,  徐健

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/12 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L2224/73204 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种采用导电封装材料的半导体器件电磁屏蔽结构，包括一有机基板，有机基板具有两个相对的导体面，两个导体面之间的有机基板内设有金属屏蔽层；在有机基板的一个导体面上贴装有芯片；芯片被一帽状有机绝缘层包盖在内，帽状有机绝缘层的帽沿部与该导体面结合；在有机基板中开有电连接两个导体面且电连接金属屏蔽层的电通孔；贴装有芯片的有机基板的那一导体面上覆盖有导电封装材料，导电封装材料将帽状有机绝缘层完全包覆在内，导电封装材料与电通孔的一端连接，通过电通孔与金属屏蔽层以及有机基板的另一导体面电连接。芯片的连接凸点通过信号与电源通道与有机基板的另一个导体面电连接。本发明能提供更好的屏蔽效果且制作方便。

公开(公告)号：CN103560119A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310542832.1

申请日：2013-11-05

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 徐健 ,  王宏杰 ,  孙鹏 ,  陆原

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/60 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L25/16

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种用于多屏蔽芯片的三维柔性基板封装结构，包括一柔性基板，所述柔性基板中预设有第一金属屏蔽层和第二金属屏蔽层；需屏蔽芯片分别贴装在柔性基板正反面，柔性基板两侧部位分别向柔性基板正面中间弯折，形成两个U型屏蔽部；两个U型屏蔽部各自的上方柔性基板在高度方向上部分重叠，且第二个U型屏蔽部的上方柔性基板在第一个U型屏蔽部的上方柔性基板之上。第一需屏蔽芯片分布在第一个U型屏蔽部内，第二需屏蔽芯片分布在第一个U型屏蔽部上方柔性基板和第二个U型屏蔽部上方柔性基板间。金属屏蔽层将需屏蔽芯片包覆在内。本发明解决了较强电磁辐射芯片对外界的电磁干扰问题，并且封装结构更加紧凑。