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公开(公告)号：CN117008033A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310773437.8
申请日：2023-06-28
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本发明提供一种磁场探头校准系数确定方法、一种磁场探头校准系数确定装置和一种电子设备，属于磁场检测技术领域。磁场探头校准系数确定方法，包括：确定磁场探头对通电的微带线测量的电压值；确定磁场探头限定的磁场强度检测区域中每个子区域的磁场强度值；基于所有子区域的磁场强度值确定磁场探头对微带线测量的磁场强度平均值；基于电压值和磁场强度平均值，确定磁场探头校准系数。相比现有方法在使用微带线对磁场探头进行校准时，计算磁场强度时只计算了探头环中心位置处的场值。本发明通过计算磁场探头限定的磁场强度检测区域中每个子区域的磁场强度值得到的磁场强度平均值更加准确，进而减小计算得到的磁场探头校准系数的误差。
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公开(公告)号：CN116827272A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310610445.0
申请日：2023-05-26
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 西安电子科技大学
摘要： 本发明实施例提供一种斩波放大器电路及设备，属于放大器技术领域。所述斩波放大器电路包括：沿该斩波放大器电路的输入端至输出端依次连接的第一级斩波器、第一级放大器、第二级斩波器和第二级放大器；以及反馈回路，其设置在所述第一级放大器的输出端与信号补偿端之间，被配置为滤除所述第一级放大器的输出信号中的失调电压和1/f噪声，并将进行所述滤除所得的信号反馈至所述第一级放大器的所述信号补偿端。本发明实施例在第一级放大器后设置反馈回路，以抑制所述第一级放大器的输出信号中的失调电压和1/f噪声。
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公开(公告)号：CN116702696A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310631820.X
申请日：2023-05-30
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
IPC分类号： G06F30/398 , G06F111/08 , G06F115/12
摘要： 本发明提供一种偶极子阵列干扰源建模方法、装置及系统，属于干扰源建模领域，包括：检测印制电路板的磁场幅值；得到初始向量参数和初始向量参数集合；利用初始向量参数集合中的最优初始向量参数对初始向量参数集合进行线性变换和整合，得到整合向量参数和实验集合；确定与初始向量参数集合对应的偶极子阵列磁场幅值与检测的磁场幅值的初始差值，以及确定与实验集合对应的偶极子阵列磁场幅值与检测的磁场幅值的实验差值；根据初始差值和实验差值确定当前最优向量参数；得到最优偶极子阵列的向量参数；建立印制电路板干扰源模型。根据本发明的方法，能够建立易于仿真的辐射源模型，缩短仿真时间，减少系统占用。
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公开(公告)号：CN116647219A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310475218.1
申请日：2023-04-27
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 灿芯创智微电子技术(北京)有限公司
IPC分类号： H03K17/567 , H03K17/04 , H03K17/081
摘要： 本发明涉及芯片领域，公开了一种IGBT驱动电路、用于驱动IGBT的方法及芯片，该IGBT驱动电路包括：阶段确定模块，用于确定IGBT是否处于导通阶段的电流上升阶段或者关断阶段的电压上升阶段；以及驱动电压控制模块，用于：在IGBT处于电流上升阶段的情况下，控制施加至IGBT的门极的驱动电压小于开始导通驱动电压，其中，开始导通驱动电压为在导通阶段开始时施加至门极的驱动电压；以及在IGBT处于电压上升阶段的情况下，控制施加至门极的驱动电压大于开始关断驱动电压，其中，开始关断驱动电压为在关断阶段开始时施加至门极的驱动电压。藉此，实现了兼具抑制电流尖峰和电压尖峰、降低开关损耗和抑制EMI三者的优势。
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公开(公告)号：CN116191048B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310464495.2
申请日：2023-04-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京航空航天大学
摘要： 本发明提供一种电磁环境测量天线，属于无线电监测工作领域。所述电磁环境测量天线包括：介质基板、馈电结构和多个超表面单元；多个超表面单元呈阵列式布置在所述介质基板的上表面形成超表面单元阵列；所述馈电结构设置在所述介质基板的下表面；所述馈电结构包括T型金属贴片和开设在所述T型金属贴片上的T型环缝；所述T型环缝由横向第一开口和纵向第二开口构成；所述超表面单元阵列的中心点与第一开口的中心点重合。本发明提供的电磁环境测量天线有异于传统的喇叭天线和抛面天线，不仅具有双频带特性，具有较宽的带宽，更重要的是其馈电结构小，传输效率高，且天线整体结构呈现出规则的立体状态，低剖面，整体尺寸小，节省了机箱的空间。
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公开(公告)号：CN115528117B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211436896.9
申请日：2022-11-16
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：SOI衬底，SOI衬底的上层硅为凸字型结构，包括第一凸台和第二凸台；第一凸台被划分为体区和漂移区；氧化场板形成于漂移区上；源区第一导电类型掺杂区形成于靠近体区的第二凸台上；源区第二导电类型掺杂区形成于源区第一导电类型掺杂区上；源极形成于源区第二导电类型掺杂区上；漏区第一导电类型掺杂区形成于靠近漂移区的第二凸台上；漏区第二导电类型掺杂区形成于漏区第一导电类型掺杂区上；漏极形成于漏区第二导电类型掺杂区上。通过本发明提供的晶体管，能够改善自热效应，避免载流子迁移率下降，提高击穿电压、器件的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN113990866B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202111622482.0
申请日：2021-12-28
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明实施例提供一种硅控整流器、芯片及电路，所述硅控整流器包括：衬底，所述衬底上方设有N阱区和P阱区；所述N阱区和P阱区上方依次设有第一N+区、第一P+区、第三区、第二N+区及第二P+区，所述第三区为第三P+区或第三N+区；所述第一N+区和第一P+区均与所述硅控整流器的阳极相连；所述第二N+区和第二P+区均与所述硅控整流器的阴极相连。所述硅控整流器具有更强的泄放电流的能力，大大提升了防护能力。
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公开(公告)号：CN115881778B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310056870.X
申请日：2023-01-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底；阱区，形成于衬底；体区和漂移区，形成于阱区；漂移延伸区，形成于漂移区的上表面，漂移延伸区包括第一延伸层和层叠设置于第一延伸层之上的第二延伸层，第一延伸层与第二延伸层具有不同的导电类型，第一延伸层与漂移区具有相同的导电类型；氧化介质层，形成于漂移区的上表面，位于漂移延伸区的两侧；栅极，形成于体区上；源极，形成于体区；漏极，形成于漂移区。通过本发明提供的晶体管，能够改善晶体管的自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN115863416B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310060867.5
申请日：2023-01-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC分类号： H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种空气介质场板隔离的LDMOSFET器件及制造方法。LDMOSFET器件包括半导体衬底、漂移区、体区、阱区、源极、漏极以及栅极，还包括：场板以及场板隔离结构，场板隔离结构包括空气介质腔和氧化层，空气介质腔形成于漂移区内，氧化层用于封闭空气介质腔，场板形成于氧化层的表面。本发明采用封闭的空气介质腔作为场板隔离介质层，相对于采用二氧化硅场板隔离介质层，本发明的空气介质腔中的空气与漂移区的硅直接接触，彻底消除SiO₂‑Si的界面态，提高LDMOSFET器件的可靠性；并且，空气的介电常数远小于二氧化硅的介电常数，空气介质的场板隔离结构可以更好的降低表面电场，提高器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN115911100A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310192045.2
申请日：2023-03-02
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：初始衬底；阱区，形成于初始衬底；体区和漂移区，形成于阱区；源极，形成于体区靠近漂移区一侧；载流子吸附层，形成于体区，载流子吸附层为横向延伸的非平坦构型，载流子吸附层的一端延伸至体区远离漂移区一侧，另一端延伸至源极并紧贴源极底部，载流子吸附层为第一导电类型离子重掺杂；二氧化硅隔离层，形成于阱区，并位于体区底部；漏极，形成于漂移区；栅极，形成于体区上；场板，形成于漂移区上。通过本发明提供的晶体管，能够减少载流子在体区内聚集，提高横向双扩散场效应晶体管的击穿电压。
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