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公开(公告)号：CN116891682B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311129879.5
申请日：2023-09-04
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
摘要： 本发明提供一种改性聚二甲基硅氧烷双疏涂层及其制备方法、应用。改性聚二甲基硅氧烷双疏涂层包括含氟丙烯酸酯改性的聚二甲基硅氧烷和填料粒子。涂层的制备方法，包括：（1）将聚二甲基硅氧烷、填料粒子和溶剂I混合得到混合液I，将混合液I涂敷于预处理后的基材表面、固化，得到聚二甲基硅氧烷涂层；（2）将聚二甲基硅氧烷涂层进行等离子处理，使聚二甲基硅氧烷产生羟基基团；（3）将含氟丙烯酸酯、催化剂和溶剂II混合得到混合液II，将步骤（2）处理后的聚二甲基硅氧烷涂层浸入混合液II中反应，取出，老化后得到聚二甲基硅氧烷双疏涂层。本发明提供的聚二甲基硅氧烷双疏涂层具备疏水和疏油性能，可以应用于抛光设备的自清洁过程中。
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公开(公告)号：CN116872090B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311149912.0
申请日：2023-09-07
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
IPC分类号： B24B53/017 , B24B55/00
摘要： 本申请公开了一种修整盘及用于晶圆抛光的装置，包括：盘体、磨片、毛刷、气囊和回拉机构；其中，磨片设于盘体下端的边缘，盘体的下端设置有凹槽，毛刷和气囊均设于凹槽内，且气囊设于盘体和毛刷之间，以使在气囊隆起时，气囊向凹槽外推动毛刷，使得毛刷的刷毛至少部分裸露在磨片的下方；回拉机构的第一端连接于盘体上，第二端连接于毛刷上，回拉机构的第二端用于向毛刷施加朝向气囊收缩方向运动的作用力。本申请解决了相关技术中修整盘的毛刷和磨片只能同时对抛光垫表面进行修整维护，导致修整维护效率较差，且作为耗材的毛刷消耗的会比较快的问题。
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公开(公告)号：CN116891683A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202311129901.6
申请日：2023-09-04
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
IPC分类号： C09D183/04 , C09D5/08 , C09D7/62 , C09D7/65 , C09D7/63 , C09D4/02 , B05D7/24 , B05D5/08 , B05D3/06
摘要： 本发明涉及一种聚二甲基硅氧烷双疏涂层、制备方法及应用。一种聚二甲基硅氧烷双疏涂层，聚二甲基硅氧烷双疏涂层包括原料：羟基聚二甲基硅氧烷、巯基化合物、含氟丙烯酸酯、固化剂和引发剂。聚二甲基硅氧烷双疏涂层的制备方法，包括如下步骤：（1）将羟基聚二甲基硅氧烷、巯基化合物、固化剂和溶剂I配置成混合液I，将混合液I涂覆于基材表面，固化；（2）将含氟丙烯酸酯、引发剂和溶剂II配置成混合液II，将步骤I固化后的基材浸渍于混合液II中，光照，老化后得到聚二甲基硅氧烷双疏涂层。本发明制备的聚二甲基硅氧烷涂层具有优异的双疏性能。
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公开(公告)号：CN116276407B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310580321.2
申请日：2023-05-23
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
摘要： 本发明提供一种减薄机晶圆厚度测量不确定度的确定方法及设备，其中所述方法包括：根据晶圆减薄机中与减薄及厚度测量相关的子系统，确定需计算的设备不确定度分量；利用所述子系统的性能参数、已知误差和目标厚度计算相应的设备不确定度分量；根据晶圆参数计算晶圆不确定度分量；利用所述设备不确定度分量和晶圆不确定度分量确定合成标准不确定度。
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公开(公告)号：CN116481692A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310645256.7
申请日：2023-06-02
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
IPC分类号： G01L3/24
摘要： 本发明提供一种减薄机砂轮主轴输出功率不确定度的确定方法及设备，所述方法包括：获取砂轮扭矩和砂轮转速的测量数据；利用所述测量数据，确定砂轮扭矩和转速的相关系数和砂轮转速扭矩共同作用的相对测量不确定度；计算砂轮扭矩相对测量不确定度和砂轮转速相对测量不确定度；利用所述砂轮转速扭矩共同作用的相对测量不确定度、砂轮扭矩相对测量不确定度、砂轮转速相对测量不确定度和相关系数确定减薄机砂轮主轴输出功率的合成标准不确定度。
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公开(公告)号：CN115673910B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202310000481.5
申请日：2023-01-03
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
IPC分类号： B24B7/22 , B24B29/02 , B24B49/16 , B24B55/00 , H01L21/304
摘要： 本发明涉及一种液涨控制的压盘及其用于基材抛光的面型控制方法，其包括第一表面、面型控制腔和第二表面；面型控制腔设置在第一表面和第二表面之间，第一表面用于挤压半导体基材，面型控制腔的一端用于连通液压油控制装置，以使液压油控制装置调节面型控制腔中液压油的油量，进而调节面型控制腔的腔体形状，带动第一表面的面型改变。本发明具备面型调整功能，并能实现压盘接触面的在线调整；能在半导体基材抛光领域中应用。
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公开(公告)号：CN115673909A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202310000465.6
申请日：2023-01-03
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
IPC分类号： B24B7/22 , B24B29/02 , B24B49/16 , B24B55/00 , H01L21/304
摘要： 本发明涉及一种半导体基材双面抛光中的平面控制方法及系统，其包括：根据压盘的变形来源将压盘的变形分为加载前变形和加载后变形；分别获取加载前变形的压盘的变形量以及加载后变形的压盘的变形量，并将获取的变形量叠加，得到压盘的总变形量，以对压盘进行修整。本发明能减少变形，提高半导体基材的加工精度。本发明能在半导体基材抛光领域中应用。
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公开(公告)号：CN115106870A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210796154.0
申请日：2022-07-07
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
摘要： 本发明涉及一种双面抛光机及其排液槽，其包括：槽外壳，采用环形结构，所述环形结构的上表面由内侧壁和外侧壁构成；所述内侧壁的内侧与抛光机的主基体、下抛光盘及外齿圈外侧密封连接；所述外侧壁与所述内侧壁之间形成用于容置抛光废液的V型槽；该V型槽的底部为左高右低，在右端最低点的位置设置有排放口。本发明能使抛光废液在流经排液槽时，不会发生液体飞溅的现象，降低粘滞损耗，实现迅速排放，避免磨粒等废料堆积，提高了排液槽的使用寿命。本发明能在半导体晶圆制作领域中应用。
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公开(公告)号：CN118254098B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410682419.3
申请日：2024-05-29
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
IPC分类号： B24B37/013 , G01B11/06 , B24B37/005 , B24B49/12 , H01L21/66
摘要： 本发明提供一种用于原位测量膜厚的方法、参考光谱生成方法及设备，所述方法包括：获取具有第一类层和第二类层的光谱计算模型，其中所述第二类层位于所述第一类层和晶圆薄膜之间；确定所述第一类层、所述第二类层、所述晶圆薄膜和晶圆基底的光谱参数；利用所述光谱参数和所述光谱计算模型计算不同给定所述晶圆薄膜的厚度下的参考光谱。
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公开(公告)号：CN118254096B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410682207.5
申请日：2024-05-29
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
IPC分类号： B24B37/013 , G01B11/06 , B24B37/005 , B24B49/12 , H01L21/66
摘要： 本发明提供一种用于原位测量膜厚的方法、参考光谱生成方法及设备，所述参考光谱生成方法包括：获取光谱计算模型，所述光谱计算模型中包括表面等效层和晶圆的参数，所述表面等效层至少用于模拟晶圆薄膜表面的体相水与晶圆薄膜表面之间的物质形成的层；确定所述表面等效层、晶圆薄膜和晶圆基底的光谱参数；利用所述光谱参数和所述光谱计算模型计算不同给定所述晶圆薄膜的厚度下的参考光谱。
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