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公开(公告)号：CN108923797B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201810660107.7
申请日：2018-06-25
Applicant: 东南大学 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种应用于LTE MTC电力物联网的新型发射机，包括：DSM调制器，用于分别采样和调制基带部分输出的I、Q两路正交数字基带信号，得到两路数字电平信号；本振可变增益衰减器，用于对本振信号功率衰减并输出多路正交差分信号；上混频器，用于将两路数字电平信号变换后作为其内晶体管开关的控制信号，以控制晶体管开关选择本振可变增益衰减器输出的正交差分信号中的某一路得到和输出射频信号；可变增益射频放大器，用于对射频信号按所需增益放大；射频功率放大器，用于对射频信号功率放大；射频SAW滤波器，用于对功率放大后的射频信号滤除带外噪声。本发明具有功耗低，可采用非线性较强的射频功率放大器，提高了发射机的能量效率。
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公开(公告)号：CN108923806A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810659272.0
申请日：2018-06-25
Applicant: 东南大学 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H04B1/16
Abstract: 本发明公开了一种兼容LTE MTC和GSM/GPRS频段的电力物联网射频前端电路，属于接收机技术领域，包括低噪声放大器、混频器、滤波器选择开关、复数带通滤波器和低通滤波器，其中低噪声放大器对输入的射频信号进行放大后，由混频器根据输入的本振信号将射频信号下变频为中频电压信号输出；所述滤波器选择开关根据需要接收的射频信号频段选择将中频电压信号输入复数带通滤波器或低通滤波器，由所述复数带通滤波器或低通滤波器进行滤波后输出。本发明通过使用一个滤波器选择开关，使得接收LTE MTC和GSM/GPRS两个频段的信号共用一个低噪声放大器和混频器，就能同时实现零中频和低中频架构，有效降低了芯片面积和功耗。
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公开(公告)号：CN107644003A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710905589.3
申请日：2017-09-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: G06F15/78
Abstract: 本发明涉及一种主控芯片的运算协处理模块，包括：模数转换电路、运算模块以及控制器；所述模数转换电路与传感器相连接，用于采集所述传感器的信号，将采集后的信号进行模数转换，并发送所述转换后的数据；所述运算模块分别与所述模数转换电路以及所述控制器相连接，所述运算模块用于在接收到的待运算的数据之后，对所述接收的待运算的数据进行预设的运算，并将运算后的数据发送给控制器；所述控制器用于将接收到的数据写入主控芯片的存储器中。本发明提供的主控芯片的运算协处理模块，可以极大提高运算效率并且节约成本。
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公开(公告)号：CN107564829A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710734193.7
申请日：2017-08-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法，该方法包括如下步骤：S1，将待测TSV封装芯片的背面进行研磨抛光，以露出TSV通孔和硅基板；S2，在距离TSV通孔的边缘的硅基板上沉积一个SiO2薄膜区域，以隔离硅基板；S3，清理TSV通孔的表面；S4，在TSV通孔下方的芯片和SiO2薄膜之间沉积金属Pt；S5，在SiO2薄膜上沉积测试板；S6，使用探针与测试板接触，从而将测试力施加在芯片上，以实现芯片内部信号的量测。本发明的方法简单易操作，便于探针的连接测试，同时避免了在探针测试过程中由于探针接触到硅基板而导致信号无法施加在TSV通孔上的问题，从而显著提高了测试的效率和准确性。
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公开(公告)号：CN114301585B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202111360712.0
申请日：2021-11-17
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: H04L9/08
Abstract: 本发明实施例提供一种标识私钥的使用方法，属于计算机安全技术领域。所述标识私钥的使用方法包括：依次获取私钥参数，并生成一组标识私钥，其中所述一组标识私钥中的每个标识私钥对应一个标识私钥生成函数标识符；以及选取所述一组标识私钥中的一个标识私钥进行使用，并公开对应的所述标识私钥生成函数标识符。用户端内置多个标识私钥，并公开相应的标识私钥生成函数标识符，可以使标识私钥的使用和更新简单、安全、高效，不会降低公钥的自证性，也不会影响其他用户。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114267100A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111335011.1
申请日：2021-11-11
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种开锁认证方法、装置、安全芯片及电子钥匙管理系统，属于安全技术领域，解决了现有技术中不能保障智能锁的开锁管理安全性的问题。所述方法应用于安全芯片，包括：获取开锁计算命令，所述开锁计算命令中包括锁标识、钥匙标识以及钥匙类型码；在确定所述开锁计算命令中的钥匙类型码与本地存储的钥匙类型码一致时，根据所述钥匙类型码，利用密钥分散规则生成用于开锁认证的消息认证码；将所述消息认证码发送至所述钥匙标识对应的电子钥匙，以便所述电子钥匙将所述消息认证码发送至与所述锁标识对应的智能锁进行开锁认证。本发明实施例适用于电子钥匙与智能锁之间的开锁认证过程。
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公开(公告)号：CN111355225A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010244294.8
申请日：2020-03-31
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明提供一种电源钳位电路，属于集成电路芯片静电释放保护技术领域。所述电源钳位电路包括检测模块、启动模块以及泄放模块，还包括：反馈模块；所述检测模块包括电阻以及电容；所述反馈模块串联于所述电阻与所述电容之间；所述反馈模块包括第一二极管以及第二PMOS晶体管；所述第二PMOS晶体管的源极与所述电阻的第一端以及所述第一二极管的正极相连，所述第二PMOS晶体管的漏极与所述第一二极管的负极相连，所述第二PMOS晶体管的栅极与所述启动模块以及所述泄放模块相连。本发明通过增加反馈模块，在电源钳位电路导通时增加检测模块的阻抗，增大RC时间常数，延长泄放模块的导通时间，将静电荷彻底释放；在电源钳位电路不导通时，降低漏电流。
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公开(公告)号：CN106055496A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610341887.X
申请日：2016-05-20
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G06F13/16
CPC classification number: G06F13/1668
Abstract: 本发明公开了一种EEPROM控制器的信号生成电路及控制方法，其中，该信号生成电路包括：锁存器、与门电路、计数器和比较器；锁存器的输入端用于输入控制信号，锁存器的使能端与系统时钟相连；锁存器的输出端与门电路的第一输入端相连，与门电路的第二输入端与系统时钟相连；与门电路的输出端输出时钟采样信号；比较器的第一输入端用于输入第一计数值，第二输入端与计数器相连；比较器的输出端输出slave总线输出响应信号；计数器用于周期性从零计至第一计数值。该信号生成电路采用同步设计实现，直接通过系统时钟sys_clk门控电路得到时钟采样信号，节省了分频逻辑电路，同时可缩短读写所需要开销周期，提升EEPROM数据读写速度。
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公开(公告)号：CN114281594A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111392044.X
申请日：2021-11-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明公开了一种芯片的实时检测方法、装置及芯片、存储介质，所述方法包括：在接收到任一检测电路发送的报警信号时，分别采用第一校验算法和第二校验算法对所述报警信号进行校验运算，得到第一校验信号和第二校验信号，所述检测电路与所述芯片各模块对应设置；在所述第一校验信号和所述第二校验信号比对失败时，触发所述芯片进行复位操作或自毁操作；通过采用第一校验算法和第二校验算法对报警信号进行校验运算，并将不同的校验信号的状态进行比对，在状态不一致时确定报警信号被攻击，并将报警信号反馈至应用，具有可抵抗多点故障攻击的效果。
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