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公开(公告)号:CN115849901A
公开(公告)日:2023-03-28
申请号:CN202211543619.8
申请日:2022-12-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种K0.5Bi0.5TiO3基三元系介电储能无铅陶瓷材料,属于功能陶瓷材料领域。化学式为(1‑x‑y)K0.5Bi0.5TiO3‑xNa0.5Bi0.5ZrO3‑ySrHfO3‑0.01Bi(Mn1/2Sb1/2)O3即0.07≤x≤0.12,0.03≤y≤0.12。Na0.5Bi0.5ZrO3和SrHfO3对K0.5Bi0.5TiO3的相结构和微观局域结构进行调控,使K0.5Bi0.5TiO3基陶瓷表现出优异的介电储能性能。在电场为290kV/cm时有效储能密度达5.33J/cm3,且在25‑150范围具有良好的温度稳定性,可以用于高储能密度的介电储能电容器。
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公开(公告)号:CN113651614B
公开(公告)日:2022-11-15
申请号:CN202110802608.6
申请日:2021-07-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/49 , C04B35/622
Abstract: 一种压电能量收集用兼具高和热稳定压电性能的陶瓷材料及制备,属于压电陶瓷材料领域。该材料组成为xPb(Zn1/3Nb2/3)O3‑(1‑x)Pb(HfyTi(1‑y))O3,x为0.05~0.20,y为0.45~0.50。采用高温固相反应法制备,首先将ZnO和Nb2O5煅烧合成ZnNb2O6,再加入其它原料,采用湿磨、烘干、煅烧、造粒、压制成型、烧结步骤。本发明提供的压电陶瓷材料在宽温区内同时具有高的压电常数和优异的温度稳定性,以及稳定的发电能力,可满足压电能量收集器在宽温区或高温下的应用要求,具有显著的社会意义和应用价值。
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公开(公告)号:CN112723877B
公开(公告)日:2022-06-17
申请号:CN202011591956.5
申请日:2020-12-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/468 , C04B35/622 , B22F9/30 , B22F1/054
Abstract: 一种具有微米内晶型结构的陶瓷‑金属无铅压电复合材料及制备方法,属于压电复合材料技术领域。微米尺寸的Ag金属颗粒作为第二相均匀分布在BCTZ陶瓷晶粒内部形成微米内晶型结构。由于这种特殊微米结构的存在,在压电材料中实现高压电常数和低介电常数的同时获得,在压电能量收集器应用领域具有重要前景。
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公开(公告)号:CN113999006A
公开(公告)日:2022-02-01
申请号:CN202111309877.5
申请日:2021-11-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/472 , C04B35/622 , H01L41/187 , H01L41/43
Abstract: 具有晶界颗粒桥结构的高温细晶能量收集压电陶瓷材料及制备,属于高温压电材料技术领域。陶瓷晶界处存在规律性排布的纳米级颗粒,且晶界纳米颗粒与陶瓷晶粒内部具有协同的铁电畴。这种特殊晶界颗粒桥结构的存在,使得高温压电陶瓷可以同时获得小晶粒尺寸和高压电性能,进而获得高的换能系数,在高温细晶压电能量收集器应用领域具有十分重要的应用前景。
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公开(公告)号:CN112811902A
公开(公告)日:2021-05-18
申请号:CN202110031606.1
申请日:2021-01-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 一种高储能密度的钛酸铋钾基三元无铅铁电陶瓷材料及其制备,属于功能陶瓷材料技术领域。其化学通式为(1‑x‑y)Bi0.5K0.5TiO3‑xBiFeO3‑yNaTaO3,其中0.21≤x≤0.24,0.00
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公开(公告)号:CN109205662B
公开(公告)日:2020-11-27
申请号:CN201811394020.6
申请日:2018-11-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01G23/00
Abstract: 两步熔盐法制备片状BaTiO3微米晶的方法,属于电子陶瓷材料技术领域。通过两步熔盐法,以第一步熔盐过程,BaCO3以及锐钛矿TiO2作为原料,NaCl和KCl(NaCl:KCl=1:1)共晶盐作为介质,在950~1050℃得到的Ba6Ti17O40片作为模板,在第二步熔盐过程中,合成纯相的片状BaTiO3微米晶材料。本发明生产方法工艺简单、能耗低、片状BaTiO3微米晶具有大的直径厚度比、形貌较均匀。提供了一种可大量制备片状BaTiO3微米晶的新途径。
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公开(公告)号:CN107721411B
公开(公告)日:2020-11-20
申请号:CN201711071198.2
申请日:2017-11-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 一种大电致应变的无铅BNT‑BT基体系,属于无铅铁电陶瓷材料领域。化学通式(1‑x)(Bi1/2Na1/2)TiO3‑xBaTiO3‑yBa(Zn1/3Nb2/3)O3,x=0.06‑0.09,0
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公开(公告)号:CN108101537A
公开(公告)日:2018-06-01
申请号:CN201711408744.7
申请日:2017-12-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/493 , H02N2/18
Abstract: 一种纳米压电陶瓷能量收集材料及其制备方法,属于压电陶瓷材料领域。该陶瓷材料的基体化学组成为0.2Pb(Zn1/3Nb2/3)O3–0.8Pb(Zr1/2Ti1/2)O3,并在其中掺杂基体材料质量0.5wt.%MnO2,晶粒尺寸在纳米级。以Pb3O4、ZnO、Nb2O5、ZrO2、TiO2和MnO2为原料,采用湿磨、烘干、高能球磨、放电等离子烧结、线切割、退火等步骤。本发明应用于压电能量收集器件,可以在实现器件微型化的同时,有效地实现将环境中废弃机械能的回收再利用,具有显著的研究意义。
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公开(公告)号:CN104979189B
公开(公告)日:2017-12-08
申请号:CN201510366328.X
申请日:2015-06-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/3065
Abstract: 一种基于基底晶向调控制备规则图形的等离子体刻蚀方法属于微电子器件、薄膜、材料加工领域。其特征在于:刻蚀装置包括真空腔体、升温装置与等离子发生系统。通过温度场与等离子能量梯度调控实现基底刻蚀作用;真空度低于10Pa后,通入氮气在N2,气氛中升温到900‐1100℃,通入氢气,打开射频电源,将射频功率调到40‐150W,电离N2和H2,对基底进行刻蚀,此时气压为30‐100Pa,持续0.5‐2个小时;刻蚀结束后,关闭射频与停止通入氢气,冷却到室温。本发明无需使用任何模板,直接在衬底上刻蚀出具有规则取向的图案,并且图案的形貌和方向可以通过衬底的晶面取向调控。本发明在微电子器件制造、微纳米材料制备等方面具有重要意义。
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公开(公告)号:CN104078528B
公开(公告)日:2016-10-19
申请号:CN201310097882.3
申请日:2013-03-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/074 , H01L31/0352 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种ZnO/α‑Si纳米径向异质结太阳电池及其制备方法,属于太阳电池领域。对石英玻璃进行清洗,在石英玻璃上生长单层AZO薄膜;在AZO薄膜上生长ZnO籽晶层;采用水热法在ZnO籽晶层衬底上生长ZnO纳米柱;在ZnO纳米柱上生长P型α‑Si;AZO薄膜上磁控溅射沉积Ag前电极,在P型α‑Si上印刷Al背电极;烧结完成电池制备。这种电池具有较低的反射率和良好电极接触,透明导电电极具有高的透过率和电导率,可以有效提高电池的效率。
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