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公开(公告)号：CN101692461A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910093547.X
申请日：2009-09-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/43 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L29/861 , H01L21/329 , C23C14/14
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体纳米材料的纳电子器件及其制备方法。采用低功函数的金属钇作为接触电极材料，通过微加工技术使金属钇直接与一维半导体纳米材料的导带形成欧姆接触，由此可得到高性能的电子型场效应晶体管和其他以半导体纳米材料为基的纳电子器件，包括二极管、生物及化学传感器件等。本发明大大降低了n型器件和电路的加工成本，提高了器件的性能，对推动纳电子器件的实用化进程具有非常重要的意义，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101498051A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910077130.4
申请日：2009-01-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化锌纳米线阵列的制备方法，属于纳米材料制备领域。本发明制备方法通过在弱碱性电解液中以金属锌作为阳极，以惰性电极作为阴极进行阳极氧化；阳极氧化后，对阳极获得的锌盐纳米线阵列进行高温退火处理而制备氧化锌纳米线阵列。优选地，还可在阳极氧化前对金属锌阳极进行清洗和/或电化学抛光处理，还可在电解液中加入表面活性剂。本发明制备的氧化锌纳米线阵列所需材料廉价，环境友好，所用设备和步骤简单，制备周期短，易于大规模合成，并且此种方法所制备的纳米线是由氧化锌纳米晶组装而成，具有较高的长径比和比表面积，以及良好的电学性能。
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公开(公告)号：CN101354388A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810119277.0
申请日：2008-09-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种测量准一维纳米材料赛贝克系数的方法和系统，使两个横截面尺度为微米级的线状过渡电极分别与两个厘米级的块状金属电极相接触，然后利用纳米探针系统使单根的待测准一维纳米材料连接两个过渡电极，改变两个块状金属电极之间的温度差，同时测量该两电极的温度差和对应的电势差，即可获得准一维纳米材料的赛贝克系数。相应的测试系统包括实验平台、变温装置和数据采集及处理装置三部分。本发明通过微米级过渡电极解决了厘米级电极到纳米级待测样品的接触过渡问题，利用纳米探针系统安装纳米材料，而不是随机撒在电极两侧，提高了实验的成功率、可控性与可靠性，所提供的测量系统具有结构简单、成本低、易推广等优点。
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公开(公告)号：CN101299024A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810106087.5
申请日：2008-05-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于光纤和纳米操纵器的纳米材料光学表征方法及其系统，属于纳米材料光学表征和纳光电子器件测试领域。本发明的方法为通过光纤探头和纳米操纵器结合实现将纳米材料的发光从发光局域导入光分析仪器，或者将光源发光导入纳米材料局域的方法，本发明的系统包括显微镜、光分析仪和/或光源、纳米操纵器、光纤探头、样品台和/或探针；本发明的方法具有角度分辨能力；该系统对选定的微区进行光激励或光分析，占用空间小、具有较大的灵活性；同时该系统可以与多种显微、表征手段结合形成纳米材料和器件的综合测试平台。
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公开(公告)号：CN100411866C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510011678.0
申请日：2005-04-30
Applicant: 北京大学
IPC: B32B5/08
Abstract: 本发明提供了一种碳纤维复合单根碳纳米管，由碳纳米管、锥状碳纤维和基底组成，其特征在于，所述的碳纳米管垂直生长于基底上，并包裹在锥状碳纤维中，同时在锥状碳纤维的顶端探出形成针尖状。本发明还提供了制备所述的碳纤维复合单根碳纳米管的方法，包括步骤：(1)将基底清洗干净；(2)将过渡金属催化剂附着在基底表面；(3)将基底置于可抽真空的加热设备中作为电极之一，并与另一电极接触；(4)将加热设备抽真空后，缓慢通入还原气体与碳源气体的混合气；(5)当加热设备达到一定压强时，在两电极之间加电流，使基底温度达到1600℃至2400℃范围内某一值并保持30至120秒，然后切断电源；(6)继续通入还原气体，直到基底冷却。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101136408A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710121804.7
申请日：2007-09-14
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提出了一种简单的完全不采用掺杂在一维半导体纳米材料上实现高性能CMOS电路的制备和集成的方法。本发明的CMOS电路中的p型场效应晶体管是通过控制高功函数的金属电极直接与碳纳米管或其它一维半导体纳米材料的价带交换电子来实现的，n型场效应晶体管是通过控制低功函数的金属电极直接与碳纳米管或其它一维半导体纳米材料的导带交换电子来实现的。在此基础上，本发明提出了采用背栅和顶栅两种器件结构分别实现反相器、与非门、或非门以及全加器等基本逻辑单元和更为复杂的逻辑电路。本发明大大降低了CMOS电路制作的工艺复杂性和成本，提高了器件性能的均匀性，为规模集成纳米电路提供了全新的设计思路和有效的实施方法。
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公开(公告)号：CN1689961A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200410009050.2
申请日：2004-04-27
Applicant: 北京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明公开了一种解理纳米线的方法，包括：将欲解理的纳米线放于清洁的基底上，再将基底连同纳米线放入装有纳米探针操纵系统的扫描电子显微镜的样品室中；纳米探针操纵系统上装有解理纳米线用的针尖；对扫描电子显微镜样品室抽真空，真空达到扫描电子显微镜使用要求后，开启电子束及电子束加速电压，在用扫描电镜观察的同时移动样品找到要解理的纳米线，然后移动纳米探针的针尖到要解理的纳米线边上；调整好针尖和纳米线的相互位置后使纳米探针向着纳米线前进一大步，从而给纳米线施加一个冲击力，把纳米线解理。解理的纳米线连上光源或激发电源构成纳米激光器。本发明解理纳米线的方法简便，可控制解理部位，从而控制纳米激光器的谐振腔的长度。
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公开(公告)号：CN1606117A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410009818.6
申请日：2004-11-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种提高碳纳米管阴极发射效率的方法，属于碳纳米管应用领域。该方法利用石墨片边缘结构可提高碳纳米管阴极发射效率，通过在单根碳纳米管、碳纳米管阵列或碳纳米管薄膜中通大电流使其断裂或高压放电的处理方法使碳管断口出现石墨片结构，从而提高碳纳米管的阴极发射效率，具体体现为开启电压的降低，场增强因子的增大。上述片状结构不仅可出现在顶端，甚至也可以出现在侧面，由碳管外层管壁劈裂而成，这样使碳管的侧面也成为场发射的有效区域，进一步提高了碳纳米管的阴极发射效率。
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公开(公告)号：CN116846343A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210303271.9
申请日：2022-03-25
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC: H03B19/16
Abstract: 本发明提供基于碳纳米管肖特基二极管的倍频器电路，包括：碳纳米管肖特基二极管器件、低频带通滤波器、高频带通滤波器、输入阻抗匹配网络、输出阻抗匹配网络、射频输入端口和射频输出端口；碳纳米管肖特基二极管位于输入阻抗匹配网络与输出阻抗匹配网络之间；低频带通滤波器位于射频输入端口与输入阻抗匹配网络之间；高频带通滤波器位于射频输出端口与输出阻抗匹配网络之间；输入阻抗匹配网络位于低频带通滤波器与碳纳米管肖特基二极管的输入端口之间；输出阻抗匹配网络位于高频带通滤波器与碳纳米管肖特基二极管的输出端口之间。本发明提供的倍频器电路在高频频段实现更低的倍频损耗，大幅降低了肖特基二极管器件的寄生电容及无源器件的衬底损耗。
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公开(公告)号：CN112881493B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202011226010.9
申请日：2020-11-05
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC: G01N27/414 , C12Q1/6825
Abstract: 本公开提供了场效应晶体管型生物传感器件，包括：生物传感单元，包括沟道区域，修饰有固定的探针分子，固定的探针分子能够与待检测的溶液中的目标分子进行杂交；加热单元，设置在生物传感单元附近，进行加热以改变生物传感单元处的温度；及温度检测单元，用于检测生物传感单元处的温度，加热单元根据温度检测单元所检测的温度值来控制传感单元处的温度，生物传感器件通过被控制的温度来控制固定的探针分子与目标分子的杂交与解杂交，实现生物传感器件多次使用，并且基于探针分子与目标分子杂交后生物传感单元所产生的电学信号来实现对目标分子的快速高灵敏度检测。还提供了生物传感器件制备方法、生物分子检测方法、及生物分子检测系统。
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