公开(公告)号：CN109941991A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201910327755.5

申请日：2019-04-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭沛 ,  田仲政 ,  李慕禅 ,  王紫东 ,  于学敏 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: C01B32/186

Abstract: 本发明提出一种可在绝缘衬底表面制备石墨烯的方法，在材料学、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明设计了一种堆叠的三明治结构，即缓冲层/吸收层-金属箔片－目标衬底，提出利用此结构在化学气相沉积(CVD)过程中使石墨烯生长与转移相继进行，并将金属箔片表面生长的石墨烯直接在高温原位转移至蓝宝石和二氧化硅等绝缘衬底表面。其过程是：石墨烯首先生长在铜片或铜镍合金片表面，随后铜片或铜镍合金片逐渐软化并贴合于缓冲层表面，金属原子可有效的扩散穿过缓冲层到达吸收层，从而与吸收体反应而被消耗掉，而原本生长在铜片或铜镍合金片表面的石墨烯会直接原位“落在”绝缘衬底表面，即实现了在直接在绝缘衬底表面制备石墨烯薄膜的目标。

公开(公告)号：CN105762090B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201610137360.5

申请日：2016-03-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 贾越辉 ,  彭沛 ,  王紫东 ,  田仲政 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: H01L21/66 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯器件表面气体分子吸附过程的监测方法，该方法主要通过监测石墨烯器件的转移特性，尤其是狄拉克点位置，实时监控器件中石墨烯表面的气体吸附动态过程，即从清洁石墨烯表面至分子饱和吸附的全过程，并可较为精确地测量该过程所需时间。

公开(公告)号：CN105819429A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610136419.9

申请日：2016-03-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 贾越辉 ,  王紫东 ,  彭沛 ,  龚欣 ,  田仲政 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: C01B31/04

CPC classification number: C01P2002/80 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04

Abstract: 本发明公开了一种无褶皱石墨烯的制备方法，该方法利用控制铜金属催化剂的晶体学取向，获得整体或局部为低指数面(如：(001)取向)的铜箔，经化学气相沉积(CVD)生长石墨烯后，可获得表面没有台阶的石墨烯/铜箔样品，去除铜衬底并转移到其它绝缘衬底后获得无褶皱的石墨烯样品。此方法可以得到无褶皱单层石墨烯样品，其面积大小取决于铜箔上低指数晶面的尺寸，此技术为研制石墨烯器件提供高质量的石墨烯薄膜材料。

公开(公告)号：CN105703045A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201410708592.2

申请日：2014-11-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦樵风 ,  王紫东 ,  贾越辉 ,  彭沛 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: H01P1/22

Abstract: 本发明公开了一种微波衰减器，属于微波无源器件技术领域。该微波衰减器包括衬底、电介质层、金属导线、金属地线与薄膜电阻，所述薄膜电阻为单层石墨烯。本发明所提出的微波衰减器结构体积小，易于集成，工作频带宽，既可作为固定衰减器又可作为可变衰减器，也可实现电控或光控可变衰减器。

公开(公告)号：CN105699702A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201410709646.7

申请日：2014-11-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 王锴成 ,  贾越辉 ,  王紫东 ,  彭沛 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: G01Q60/24 ,  G01N21/66

Abstract: 本发明公开了一种基于光谱仪和导电原子力显微镜的石墨烯与金属表面间距测量方法，该方法利用石墨烯-金属结在特定电压下可以在大气环境中发光的现象，以光谱仪配合导电原子力显微镜，实现控制探针移动，测量相应电压，提取到ΔEF的平均值，根据ΔEF和d的对应关系，得到发光点处石墨烯与金属表面间距d，最后得到样品的间距分布图。

公开(公告)号：CN102701144B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201210213819.7

申请日：2012-06-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 魏子钧 ,  叶天扬 ,  胡保东 ,  傅云义 ,  黄如 ,  张兴

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种刻蚀多层石墨烯的方法，可用于实现多层石墨烯中不同层内同步刻蚀。本发明利用金属纳米颗粒对石墨烯的催化刻蚀作用来实现多层石墨烯的同步刻蚀，对不同层石墨烯进行刻蚀，且各层的刻蚀图形互不影响，并可以对多层石墨烯中的若干层进行选择性地刻蚀。刻蚀形成原子尺度光滑平整、手性一致的石墨烯边缘。

公开(公告)号：CN102709155B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201210112738.8

申请日：2012-04-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 周梦杰 ,  李晨 ,  魏芹芹 ,  魏子钧 ,  任黎明 ,  傅云义 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种金属电感的制备方法，属于无线通讯器件领域。该方法利用石墨烯独特的晶体结构和物理特性，通过在电感线圈的金属上包裹一层石墨烯，提高了线圈的抗电迁移能力以及寿命，减少整体铜互连线因电迁移现象所致的性能退化，避免金属电感在制备及使用过程中被氧化。同时因石墨烯具有优良的热传导性能，缓解了电感线圈因局部温度过高而发生的熔断或者是介质击穿的现象。

公开(公告)号：CN103224232A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310143368.9

申请日：2013-04-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 李晨 ,  郭剑 ,  周梦杰 ,  胡保东 ,  赵华波 ,  魏子钧 ,  任黎明 ,  傅云义 ,  黄如 ,  张兴

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯纳米孔洞的制备方法，属于薄膜材料微纳加工领域领域。该方法采用化学气象沉积法(CVD)在金属铜薄膜上制备石墨烯，利用石墨烯表面本征的缺陷结构制备石墨烯纳米孔洞，其孔径大小可为几纳米至数百纳米。该石墨烯纳米孔洞具有精度高、孔洞深度在单原子水平、便于化学修饰、可导电、使用寿命长、成本低廉等诸多优点。本发明将在单分子检测、电化学操控、生物识别等领域具有较大应用。

公开(公告)号：CN103224231A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310143181.9

申请日：2013-04-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 李晨 ,  周梦杰 ,  胡保东 ,  赵华波 ,  魏子钧 ,  任黎明 ,  傅云义 ,  黄如 ,  张兴

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯薄膜的转移方法，属于材料加工领域。该方法针对化学气相沉积法(CVD)在镍等金属薄膜上制备的石墨烯，利用稀酸溶液与金属衬底发生反应生成的氢气气泡分离石墨烯层和金属衬底。该方法无需在石墨烯上层覆盖PMMA等聚合物转移载体，因此不会引入聚合物污染物，并可大幅减少石墨烯表面的破损，且剥离过程是由于通过酸性溶液与金属薄膜之间直接的化学反应，可实现金属薄膜上、下表面的石墨烯同时与金属薄膜分离，效率高，无需外接电源、无需利用电化学反应。操作工艺简便，不涉及有害化学物质。并可以多次重复使用金属衬底，大幅降低成本。本发明在大规模制备石墨烯的工业领域中具有较大应用价值。

公开(公告)号：CN103208685A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310126329.8

申请日：2013-04-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 李晨 ,  赵华波 ,  胡保东 ,  周梦杰 ,  魏子钧 ,  郭剑 ,  张亮 ,  任黎明 ,  傅云义 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01R13/03 ,  H01R43/16 ,  C23C16/44 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明公开了一种耐腐蚀石墨烯电极及其制备方法和应用，属于电子器件领域。该耐腐蚀石墨烯电极是利用化学气相沉积法在铜或镍等金属电极的表面覆盖石墨烯层，形成石墨烯-金属复合结构作为电极。由于石墨烯具有良好的结构特、电学和热学特性，该石墨烯-金属复合结构具有较强的抗氧化、抗腐蚀能力，导电性良好，机械强度高，耐磨损等特点。同时制备工艺简单，成本低廉，是替代贵金属插座、插头及电极的理想材料。