高纯度MoAlB陶瓷粉体及致密块体的制备方法

    公开(公告)号:CN107512912A

    公开(公告)日:2017-12-26

    申请号:CN201710815613.4

    申请日:2017-09-08

    Abstract: 本发明公开了高纯度MoAlB粉体和致密块体的制备方法。制备MoAlB粉体的方法为:以Mo粉、Al粉和B粉为原料,按Mo:Al:B=1:(1.1~1.3):1的摩尔比配料,在球磨机中干混5~24小时,将混料在压片机上进行压坯后,将坯体放入无压炉中,氩气气氛下,以10~50℃/min的速率将炉温升至1000~1300℃,保温10~120min,随后降至室温,得到高纯度MoAlB材料。将所得MoAlB材料在球磨机中粉碎,过不同目数的筛子,可制得不同粒径的MoAlB粉体。制备MoAlB致密块体的方法为:以Mo粉、Al粉和B粉为原料,按Mo:Al:B=1:(1.1~1.3):1的摩尔比配料,将上述配料在球磨机上干混5~24小时,将混料放入热压炉中,氩气气氛下,以10~50℃/min的速率将炉温升至1000~1300℃,加压10~40MPa,保温10~120min,然后降至室温,得到高纯度致密MoAlB块体材料。

    定向织构化Ti<base:Sub>2</base:Sub>AlC‑Mg基复合材料及其热挤压制备方法

    公开(公告)号:CN107043903A

    公开(公告)日:2017-08-15

    申请号:CN201710232832.X

    申请日:2017-04-11

    CPC classification number: C22F1/06 C22C23/00 C22C29/067 C22C32/0052

    Abstract: 本发明公布了一种定向织构化Ti2AlC‑Mg基复合材料及其热挤压制备方法。该材料的制备方法包括热处理和热挤压两步:第一步,将粉末冶金或搅拌铸造制备的Ti2AlC‑Mg基复合材料在400‑450℃热处理10‑36h使Mg合金均匀固溶化。第二步,在250‑320℃,以不同的挤压比和0.5‑20mm/s的速率制备出定向织构化Ti2AlC/Mg基复合材料。该材料的显微结构为六方晶体陶瓷相Ti2AlC取位发生重新排列,Ti2AlC(0001)基面沿挤压方向定向分布在Mg合金基体中,并且该行为促进了Mg基合金的定向织构化。该复合材料具有高强度、高阻尼、高耐磨等各向异性的显著特点,可广泛用于航天、军工、交通运输、机械制造等领域的关键器件。

    一种无压烧结-加压致密化制备钛铝碳颗粒增强锌铝基复合材料的方法

    公开(公告)号:CN104099488B

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201410355654.6

    申请日:2014-07-24

    Abstract: 本发明公开了一种钛铝碳(Ti3AlC2)颗粒增强锌铝基复合材料的无压烧结-加压致密化制备方法,即“烧结-致密化两步法”。本方法将钛铝碳和锌铝合金的混合粉末在较高的温度烧结后,再在较低的温度进行加压致密化。在较高的温度进行烧结可明显改善钛铝碳增强相与锌铝合金基体之间的界面结合力,而在较低的温度进行加压致密化可避免加压导致锌铝合金液的挤出。采用本发明的方法所制备的钛铝碳颗粒增强锌铝基复合材料组织均匀、致密,缺陷少,基体与增强相之间结合紧密,具有良好的物理性能和力学性能。

    纤维增强铜基复合材料接触线

    公开(公告)号:CN105244070A

    公开(公告)日:2016-01-13

    申请号:CN201510696148.8

    申请日:2015-10-23

    Abstract: 本发明实施例提供了一种纤维增强铜基复合材料接触线,主要包括:增强芯和铜合金基体,铜合金基体通过复合挤压均匀地包覆在所述增强芯的表面,以高导电性的铜合金为基体,以铜丝和碳纤维束的编织芯或铜与碳纤维束的复合芯为增强芯,基体通过挤压工艺均匀地包覆在增强芯表面,得到结构和性能满足铁标要求的纤维增强铜基复合材料接触线。复合材料接触线在保证优良导电性的同时,可以增加线路最大悬挂张力、降低接触线的重量、提升列车最高运行速度和提高接触线整体安全系数。

    原位置换反应热压制备SiC/Ti3SiC2材料的方法

    公开(公告)号:CN101269966A

    公开(公告)日:2008-09-24

    申请号:CN200810105375.9

    申请日:2008-04-29

    Abstract: 一种原位置换反应合成SiC/Ti3SiC2复合材料及其热压制备方法,以Si粉和TiC粉为原料,Al为反应助剂,按Si∶TiC∶Al=2∶3∶(0.2~1)的摩尔比配料,干混10小时后,将混好的配料放入石墨模具内,将石墨模具置于热压炉中,在氩气保护气氛下,以20~50℃/分钟的升温速率将炉温升至1350~1550℃,同时对模具中的粉料施加20~40MPa的压力,保温1~4小时,得到SiC/Ti3SiC2块体复合材料。该方法具有:合成SiC/Ti3SiC2复合材料成本低,不含TiC杂质相,形成的SiC颗粒细小,在基体内分布均匀。所用设备简单,工艺参数稳定,适用于规模化生产。

    一种Ti3C2/Cu-Al金属陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN100348759C

    公开(公告)日:2007-11-14

    申请号:CN200510012150.5

    申请日:2005-07-12

    Abstract: 一种Ti3C2/Cu-Al金属陶瓷材料及其制备方法,该材料中Ti3C2=3.825~62wt%,Cu=27.82~95.54wt%,Al=0.63~10.12wt%,抗弯强度为750~985MPa,最大变形率为1.7~8.5%,可广泛用于制造机械、电工、化工、运载工具的关键器件;该材料的制备方法,是将Ti3AlC2粉和纯铜粉按Ti3AlC2=5~81wt%、Cu=19~95wt%的比例配料;球磨混料,干燥,140~180MPa冷压成形;1100~1180℃常压烧结,氩气保护,保温20~30min;即得到本发明的一种Ti3C2/Cu-Al金属陶瓷材料。

    一种低温合成碳化锡钛的方法

    公开(公告)号:CN1331759C

    公开(公告)日:2007-08-15

    申请号:CN200610065240.5

    申请日:2006-03-21

    Abstract: 一种低温合成碳化锡钛粉体的方法,将C粉按球料比10∶1~100∶1放入球磨罐中进行高能球磨。球磨罐抽真空,真空度小于1Pa;球磨机转速为150~300r/min,研磨球为玛瑙球。在室温下,经4~15h的球磨得到亚微米或纳米级的超细C粉。将超细C粉、Ti粉和Sn粉按Ti∶Sn∶C=2∶(0.8~1.2)∶(0.7~1)的摩尔比配料并在混料机上混5~10h;将混好的料以50~100MPa压力压成块,置高温炉中。在真空或氩气气氛下,以10~40℃/min的升温速率将炉温升至550~850℃,保温5~30min,即合成Ti2SnC粉体。该方法具有:合成时间短,温度低,温度范围宽,成本低,适于规模化生产。

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