公开(公告)号：CN103840136B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201310594381.6

申请日：2013-11-21

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 吉川博树

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/58 ,  H01M4/13 ,  C01B33/32 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明的目的在于提供一种蓄电器件用负极材料及其制造方法，所述蓄电器件用负极材料使用初次充放电效率及大气中的稳定性优异的Si系材料。此外，还提供包含这种负极材料的蓄电器件用电极及蓄电器件以及它们的制造方法。本发明提供一种蓄电器件用负极材料的制造方法，于存在溶剂的情况下，将可吸藏、放出锂离子的Si系材料和锂金属混炼混合，并在该混炼混合后实施热处理来形成硅酸锂，从而制造预掺杂锂的负极材料。

公开(公告)号：CN107112532A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580070794.1

申请日：2015-11-13

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 粟野英和 ,  加茂博道 ,  广瀬贵一 ,  吉川博树

IPC: H01M4/58 ,  C01B25/45 ,  C01B25/455 ,  H01G11/46 ,  H01M4/36 ,  H01M10/052

Abstract: 本发明是一种锂磷系复合氧化物碳复合体，其用于电化学器件的正极活性物质，且是所述锂磷系复合氧化物的表面覆盖有碳而成，所述锂磷系复合氧化物碳复合体的特征在于：以相对于锂磷系复合氧化物碳复合体的质量比计，使锂磷系复合氧化物碳复合体分散于超纯水中而成的溶出液中所溶出的氟离子，是500ppm以上且15000ppm以下；锂磷系复合氧化物的组成，是由通式(1)所表示：Li1‑xFe1‑zMzPO4‑aFa，其中，‑0.1≤x＜1，0≤z≤1，0≤a≤4…(1)，式(1)中，M表示由Mn、Ni、Co、V、Cr、Al、Nb、Ti、Cu、Zn所组成的群组中选出的1种以上的金属元素。由此，提供一种锂磷系复合氧化物碳复合体，其即便使用包含三价的原料，在用作电化学器件的正极活性物质时，也可得到高的充放电容量。

公开(公告)号：CN102453862B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201110322364.8

申请日：2011-10-21

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 金子英雄 ,  稻月判臣 ,  吉川博树

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  G03F1/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/564 ,  G03F1/54

Abstract: 本发明涉及溅射用靶材、含硅膜的形成方法和光掩模坯。本发明提供了在溅射过程期间不易产生粒子且形成低缺陷(高品质)含硅膜的硅靶材。将室温下的比电阻为20Ω·cm以上的硅靶材用于形成该含硅膜。所述硅靶材可以为多晶或非晶的。然而，当所述硅靶材为单晶时，可以获得更稳定的放电状态。另外，其中通过FZ方法生长晶体的单晶硅是作为高纯硅靶材的优选材料，因为其氧含量低。另外，具有n型导电性且含有施主杂质的靶材是优选的，从而获得稳定的放电特性。可以将根据本发明的仅一种或多种硅靶材用于含硅膜的溅射成膜。

公开(公告)号：CN106537663A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580038214.0

申请日：2015-06-19

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 高桥广太 ,  广瀬贵一 ,  古屋昌浩 ,  加茂博道 ,  吉川博树

IPC: H01M4/48 ,  H01M4/13 ,  H01M4/133 ,  H01M4/36

Abstract: 本发明是一种非水电解质二次电池用负极材料，其具有负极活性物质颗粒，所述负极材料的特征在于，负极活性物质颗粒由用SiOx表示的硅化合物以及碳覆盖层构成，其中，0.5≤x≤1.6，所述碳覆盖层覆盖该硅化合物表面且由碳成分构成，负极活性物质颗粒包含具有鳞石英结构的SiO2成分，且在X射线衍射中，在21.825°附近获得的衍射峰的半值宽度2θ为0.15°以下。由此，本发明提供一种非水电解质二次电池用负极材料，其能够增加电池容量并提高循环特性和初始充放电特性。

公开(公告)号：CN105932268A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610108508.2

申请日：2016-02-26

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 加茂博道 ,  藤崎健太 ,  松野拓史 ,  广瀬贵一 ,  吉川博树

IPC: H01M4/48 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525 ,  H01M4/13

CPC classification number: H01M4/366 ,  H01M4/134 ,  H01M4/386 ,  H01M4/48 ,  H01M4/485 ,  H01M4/583 ,  H01M4/587 ,  H01M4/625 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525 ,  H01M2220/20 ,  H01M2220/30 ,  Y02T10/7011 ,  H01M4/13

Abstract: 本发明提供一种可以增加电池容量并提高循环特性和电池初始效率的非水电解质二次电池用负极活性物质。为此，本发明的非水电解质二次电池用负极活性物质具有负极活性物质颗粒，所述负极活性物质颗粒含有硅化合物SiOx，且0.5≤x≤1.6，所述非水电解质二次电池用负极活性物质的特征在于，负极活性物质颗粒，在至少部分表面上具有碳被膜；碳被膜，将所述碳被膜从所述负极活性物质颗粒离析并测量的由多点BET法测得的比表面积为5m2/g以上且1000m2/g以下；并且，碳被膜，将碳被膜从负极活性物质颗粒离析并测量而得的压缩电阻率在压缩至1.0g/cm3的密度时为1.0×10－3Ω·cm以上且1.0Ω·cm以下。

公开(公告)号：CN105895892A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610086168.8

申请日：2016-02-15

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 加茂博道 ,  藤崎健太 ,  松野拓史 ,  广瀬贵一 ,  吉川博树

IPC: H01M4/485 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01M4/366 ,  H01M4/364 ,  H01M4/386 ,  H01M4/483 ,  H01M4/485 ,  H01M4/587 ,  H01M4/625 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/021 ,  H01M2004/027 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明的目的在于提供一种非水电解质二次电池用负极活性物质，其能够使电池容量增加，并且提高循环特性、电池初始效率。为了解决上述课题，本发明提供一种非水电解质二次电池用负极活性物质，其具有含硅化合物(SiOx：0.5≤x≤1.6)的负极活性物质颗粒，其中，负极活性物质颗粒的至少部分表面具有碳被膜，在将碳被膜从负极活性物质颗粒离析并测量的X射线衍射光谱中，2θ＝25.5°的峰的半值全宽为1.5°以上且4.5°以下，并且在将碳被膜从负极活性物质颗粒离析并测量的拉曼光谱中，在1330cm?1与1580cm?1处具有散射峰，散射峰的强度比I1330/I1580满足0.7＜I1330/I1580＜2.0。

公开(公告)号：CN105264698A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201480030526.2

申请日：2014-05-01

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  加茂博道

IPC: H01M4/587 ,  H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/48

CPC classification number: H01M4/386 ,  C01B33/113 ,  C01B33/18 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/40 ,  H01M4/364 ,  H01M4/366 ,  H01M4/485 ,  H01M4/587 ,  H01M4/625 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525 ,  H01M2220/30

Abstract: 本发明是一种负极活性物质，其是非水电解质二次电池用的负极活性物质，由含硅材料及碳类材料的混合物组成，可以掺杂锂以及脱掺杂，所述含硅材料中包含的硅的微晶尺寸在X射线衍射中，根据归属于Si(220)的衍射峰的半值全宽、并利用谢乐公式求出的值为10nm以下。由此，提供一种负极活性物质，在将含硅材料与碳类材料作为非水电解质二次电池的负极活性物质混合使用时，能够在充放电时维持含硅材料的高利用率。

公开(公告)号：CN101968605B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201010270048.6

申请日：2010-05-14

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 五十岚慎一 ,  稻月判臣 ,  金子英雄 ,  吉川博树 ,  木名濑良纪

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/80

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/14 ,  G03F1/30 ,  G03F1/32 ,  G03F1/80 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明披露了一种对形成于衬底上的加工层的干蚀刻方法，包括步骤：在形成于衬底上的加工层上形成硬掩模层，在该硬掩模层上形成抗蚀剂图形，通过使用该抗蚀剂图形而实施的第一干蚀刻将该抗蚀剂图形转移至所述硬掩模层，并且通过使用以上转移至所述硬掩模层得到的硬掩模图形而实施的第二干蚀刻对所述加工层进行图形化，其中通过所述第一干蚀刻对所述硬掩模层进行图形化后，在所述第一干蚀刻已经实施过的蚀刻装置中，通过改变干蚀刻气体中副成分的浓度而不改变干蚀刻气体中主成分的浓度，利用所述第二干蚀刻对所述加工层进行图形化。

公开(公告)号：CN102534502A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110455404.6

申请日：2011-12-06

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  稻月判臣 ,  金子英雄

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/34

CPC classification number: H01J37/3426 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明提供溅射膜形成用硅靶和形成含硅薄膜的方法。提供了一种溅射膜形成用硅靶，其使得能够在溅射膜形成期间通过抑制粉尘产生而形成高品质的含硅薄膜。n型硅靶材10和金属背衬板20通过结合层40而彼此附着。在所述硅靶材10在所述结合材料40侧的表面上设置有由功函数比所述硅靶材10小的材料制成的导电层30。即，所述硅靶材10通过所述导电层30和所述结合层40而附着至所述金属背衬板20。在单晶硅的情况下，n型硅的功函数通常为4.05eV。所述导电层30的材料的功函数需要小于4.05eV。

公开(公告)号：CN101852983A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010158156.4

申请日：2010-03-31

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 稻月判臣 ,  金子英雄 ,  吉川博树

IPC: G03F1/00

CPC classification number: G03F1/84 ,  G03F7/70783

Abstract: 公开了一种用于检查和判定光掩模坯或其中间体的方法。通过下述步骤来检查衬底上有膜的光掩模坯：(A)测量具有待检查应力的膜的光掩模坯的表面形貌，(B)从所述光掩模坯去除所述膜以提供经处理的衬底，(C)测量去除所述膜之后经处理的衬底的表面形貌，以及(D)比较光掩模坯或中间体的表面形貌和经处理的衬底的表面形貌，由此评估膜中的应力。