公开(公告)号：CN111615741A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201980008674.7

申请日：2019-03-01

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大关正彬 ,  五十岚健作 ,  阿部达夫

IPC: H01L21/304 ,  B24B1/00 ,  B24B37/04 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明为一种硅晶圆的制造方法，在粗研磨步骤与精研磨步骤之间具有干式蚀刻步骤，其特征在于，在所述干式蚀刻步骤中，以0.3μm/min以下的蚀刻速率对所述粗研磨步骤后的硅晶圆进行干式蚀刻。由此，提供一种即使减少研磨步骤也能抑制表面缺陷的增加并且改善平坦度的硅晶圆的制造方法。

公开(公告)号：CN103608904B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201280029741.1

申请日：2012-05-11

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿部达夫 ,  椛泽均

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052

Abstract: 本发明是一种具有至少一次以HF清洗、臭氧水清洗、HF清洗的顺序进行的清洗工序的半导体晶片的清洗方法，该方法的特征是在该半导体晶片的清洗方法中最后进行的HF清洗中，以在上述半导体晶片表面上保留一部份厚度而不会去除通过上述臭氧水清洗而在上述半导体晶片表面形成的氧化膜全部的方式进行清洗。由此，在半导体晶片的清洗中，提供一种能够同时降低半导体晶片表面中的金属杂质水平和粒子水平的半导体晶片的清洗方法。