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公开(公告)号：CN1210771C
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN01819060.X
申请日：2001-10-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76819 , H01L21/31051
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，对形成了具有台阶差的层的基板的表面供给具有流动性的物质，在形成了流动性膜后，利用具有平坦的按压面的按压构件将流动性膜按压到基板上，使流动性膜的表面平坦化。在该状态下，通过加热流动性膜使该流动性膜固化，形成具有平坦的表面的被固化了的膜。
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公开(公告)号：CN1574220A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410007839.4
申请日：2004-03-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/30 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0395 , G03F7/2041
Abstract: 一种图案形成方法，在形成由含基础聚合物、照射光线后能产生酸的酸发生剂、和内酯的化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(102)后，在向抗蚀膜(102)提供边循环边暂时被储存在溶液储备部中的水(103)的状态下，向抗蚀膜(102)选择性地照射曝光光(104)，以进行图案曝光。对已进行图案曝光的抗蚀膜(102)实施后烘焙之后，利用碱性显影液进行显影，就可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成的具有良好形状的抗蚀图案(105)。根据本发明，可以改善通过浸渍光刻法得到的抗蚀图案的形状。
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公开(公告)号：CN1574219A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200310120571.0
申请日：2003-12-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03G13/283 , G03F7/2041 , G03G13/286 , Y10S430/162
Abstract: 本发明公开了一种图案形成方法。其目的在于：使通过浸渍光刻而得到的抗蚀图案的形状良好。形成含有吸湿性化合物的抗蚀膜102之后，在将水103供向该抗蚀膜102上的状态下选择曝光光104照射抗蚀膜102而进行图案曝光。对已进行了图案曝光的抗蚀膜102进行显像处理而形成抗蚀图案105。
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公开(公告)号：CN1549303A
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN03157733.4
申请日：2003-08-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/30
CPC classification number: G03F7/2043 , G03F7/0045 , G03F7/2041 , Y10S438/948 , Y10S438/949
Abstract: 本发明提供一种图形形成方法，在形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(101)后，在抗蚀膜(102)上以供给暂时贮存在溶液贮存部中的含有triphenylsulphoniumnonaflate并且不断循环的水(103)的状态，在抗蚀膜(102)上选择性照射曝光光(104)进行图形曝光。对于进行图形曝光后的抗蚀膜(102)，一旦在进行二次加热后通过碱性显影液显影，则可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成并具有良好剖面形状的抗蚀图形(105)。根据本发明的图形形成方法，可以使通过浸渍光刻得到的抗蚀图形的剖面形状优良。
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公开(公告)号：CN1523449A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN200410003604.8
申请日：2004-02-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G03F7/201 , G03F7/0382 , G03F7/0392
Abstract: 一种图案形成方法，首先形成碱溶性聚合物中由保护基保护起来的聚合物比例在50％以上的化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(11)。然后对抗蚀膜(11)照射NA为0.92的KrF准分子激光(12)(含有对于抗蚀膜(11)以布鲁斯特角入射的光成分的曝光光)，进行图案曝光之后，利用碱性显影液显影，从而形成抗蚀图14。根据本发明，尽管使用含有对抗蚀膜以布鲁斯特角入射的光成分的曝光光形成图案，也可得到表面形状良好抗蚀图。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1476053A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03147506.X
申请日：2003-07-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , Y10S430/115 , Y10S430/12
Abstract: 一种图案形成材料，是由具有在酸的存在下对显影液的溶解性发生变化的聚合物、照射曝光用光时产生酸的酸发生剂、照射曝光用光时产生碱的碱发生剂的化学放大型抗蚀材料构成。照射曝光能相等的极紫外线或具有比极紫外线长的波段的长波段的光作为曝光用光时，碱发生剂的感光度在照射长波段光时比照射极紫外线时更高。根据本发明的图案形成材料，使得到的抗蚀图的截面形状质量得到提高。
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公开(公告)号：CN100426460C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200410102204.2
申请日：2004-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种使通过化学收缩法得到的抗蚀图形具有良好形状的图形形成方法。首先，对形成在基板上的由含有羧基的抗蚀剂构成的抗蚀膜，照射借助掩膜的曝光光以进行曝光。接着，对曝光的抗蚀膜进行显影，从而从抗蚀膜形成抗蚀图形。接着，在将第1抗蚀图形的表面暴露于添加有还原剂的溶液中之后，在第1抗蚀图形上形成含有与构成第1抗蚀图形的羧基发生交联的交联剂的水溶性膜。接着，加热水溶性膜，使水溶性膜以及第1抗蚀图形中的在该第1抗蚀图形的侧面上连接的部分相互发生交联反应，随后，通过除去水溶性膜的未反应部分，从所述第1抗蚀图形形成其侧面上残留有水溶性膜的第2抗蚀图形。
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公开(公告)号：CN1295750C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200310120571.0
申请日：2003-12-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03G13/283 , G03F7/2041 , G03G13/286 , Y10S430/162
Abstract: 本发明公开了一种图案形成方法。其目的在于：使通过浸渍光刻而得到的抗蚀图案的形状良好。形成含有吸湿性化合物的抗蚀膜102之后，在将水103供向该抗蚀膜102上的状态下选择曝光光104照射抗蚀膜102而进行图案曝光。对已进行了图案曝光的抗蚀膜102进行显像处理而形成抗蚀图案105。
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公开(公告)号：CN1285100C
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200310120570.6
申请日：2003-12-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/2041
Abstract: 本发明公开了一种图案形成方法，其目的在于：使通过浸渍光刻所得到的抗蚀图案的形状良好。由化学放大型抗蚀材料形成抗蚀膜102以后，再在含有碱性化合物的浸渍溶液103供到抗蚀膜102上的状态下，用曝光光104有选择地去照射抗蚀膜102而进行图案曝光。若对已经进行了图案曝光的抗蚀膜102进行了后烘烤(post bake)以后，再通过碱性显像液进行显像，就能由抗蚀膜102的未曝光部分102b得到形状良好的抗蚀图案105。
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公开(公告)号：CN1828425A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610006772.1
申请日：2004-02-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/201 , G03F7/0382 , G03F7/0392
Abstract: 一种图案形成方法，首先形成碱溶性聚合物中由保护基保护起来的聚合物比例在50％以上的化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(11)。然后对抗蚀膜(11)照射NA为0.92的KrF准分子激光(12)(含有对于抗蚀膜(11)以布鲁斯特角入射的光成分的曝光光)，进行图案曝光之后，利用碱性显影液显影，从而形成抗蚀图14。根据本发明，尽管使用含有对抗蚀膜以布鲁斯特角入射的光成分的曝光光形成图案，也可得到表面形状良好抗蚀图。
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