环氧树脂组合物以及半导体装置

    公开(公告)号:CN1908065A

    公开(公告)日:2007-02-07

    申请号:CN200610109111.1

    申请日:2006-08-03

    Abstract: 本发明涉及环氧树脂组合物以及用该组合物的固化物密封的半导体装置,该环氧树脂组合物是提供在密封半导体时抑制铜布线的腐蚀、移动或在铝和金的接合部产生金属间化合物的固化物的可靠性优异的环氧树脂组合物。该环氧树脂组合物含有(A)环氧树脂、(B)酚醛树脂固化剂、(C)无机填充剂、(D)固化促进剂、(E)增粘剂、(F)金属氧化物,其中作为(F)金属氧化物中的(a)镁·铝类离子交换体、(b)水滑石类离子交换体以及(c)稀土类氧化物的组合比例相对于(A)环氧树脂和(B)固化剂的总量100质量份为(a)∶(b)∶(c)=0.5~20质量份∶0.5~20质量份∶0.01~10质量份。

    具有频率依赖性小的介电特性的树脂基板

    公开(公告)号:CN114980495A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210162577.7

    申请日:2022-02-22

    Abstract: 本发明提供一种树脂基板,其在高频区域内具有低损耗因子且具有频率依赖性小的介电特性。该树脂基板包含有机树脂与石英玻璃布,其特征在于,所述有机树脂在10GHz下测定的损耗因子为0.0002~0.0020且40GHz/10GHz比为0.4~0.9;所述石英玻璃布在10GHz下测定的损耗因子为0.0001~0.0015且40GHz/10GHz比为1.2~2.0;所述树脂基板在10GHz下的损耗因子为0.0001~0.0020且40GHz/10GHz比为0.8~1.2。

    毫米波用高速通信低介电基板
    47.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114828394A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210080122.0

    申请日:2022-01-24

    Abstract: 本发明提供一种毫米波用高速通信低介电基板,其包含石英玻璃布与低介电树脂,即使该基板的各线路上下的树脂或石英玻璃布的分布不均,线路间也无传输时间差、能够传输稳定且质量良好的信号,且降低了因构件导致的损耗因子差、减少了传输损耗。所述毫米波用高速通信低介电基板包含石英玻璃布与有机树脂,该基板的特征在于,所述石英玻璃布的损耗因子在10GHz下为0.0001~0.0015、介电常数在10GHz下为3.0~3.8,所述有机树脂的损耗因子在所述石英玻璃布的10GHz下的损耗因子的80%~150%的范围内,且所述有机树脂的介电常数在所述石英玻璃布的介电常数的50%~110%的范围内。

    氟化物红色荧光体及其基质晶体的制造方法

    公开(公告)号:CN110295042A

    公开(公告)日:2019-10-01

    申请号:CN201910167749.8

    申请日:2019-03-06

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够在不使用氟化氢等有毒物质的情况下制造的氟化物红色荧光体及其基质晶体的制造方法。氟化物红色荧光体的基质晶体的制造方法的特征在于,包括如下工序:作为钾源和氟源准备氟化钾的工序,作为硅源准备聚硅氮烷、TEOS、SiO2、硅酸钾中的至少一种的工序,准备弱碱性、中性或酸性的溶液的工序,将所述钾源和氟源、所述硅源以及所述溶液进行混合的工序,以及使所述混合物反应而析出K2SiF6的工序。并且,在准备所述溶液的工序中,使用由除HF和KHF2以外的化合物制备的酸性、中性或弱碱性的溶液。

    半导体装置的制造方法和半导体装置

    公开(公告)号:CN104377173A

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201410389197.2

    申请日:2014-08-08

    Abstract: 本发明提供一种能够制造半导体装置的制造方法及半导体载置,不需考虑由于使用现有填料而造成的弯曲,不需根据在形成密封层时不合格元件数量调节树脂填充量,在减少复杂工序的同时,制造弯曲少,耐热性、耐湿性优越的半导体装置。该制造方法具有:树脂载置工序,将比形成密封层所需量更多量的热固性树脂载置在不搭载半导体元件的基板上;配置工序,将第一内腔内温度从室温加热至200℃,将半导体元件搭载基板配置在成形模具的上模具和下模具中的一方模具,将载置有热固性树脂的不搭载半导体元件的基板配置在另一方模具;树脂排出工序,对上模具和下模具进行加压将剩余热固性树脂排出到第一内腔外部;一体化工序,一边对上模具和下模具进行加压,一边使热固性树脂成形使半导体元件搭载基板、不搭载半导体元件的基板和密封层一体化。

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