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公开(公告)号：CN104347530B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201410366853.7
申请日：2014-07-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/561 , H01L23/3121 , H01L24/97 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , Y10T428/265 , Y10T428/31504 , Y10T428/31511 , Y10T428/31663 , Y10T428/31721 , Y10T428/31855 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种可制造外观及激光标记性良好的半导体装置的制造的带半导体密封用基体材料的密封材料、及其半导体装置和半导体装置的制造方法。所述带半导体密封用基体材料的密封材料用于将装载有半导体元件的半导体元件装载基板的元件装载面、或形成有半导体元件的半导体元件形成晶片的元件形成面一起密封，其特征在于，具有基体材料、形成于该基体材料一侧表面且包含未固化乃至半固化的热固性树脂的密封树脂层、以及形成于所述基体材料的另一侧表面的表面树脂层。
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公开(公告)号：CN103311135A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310080256.3
申请日：2013-03-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/56
CPC classification number: H01L21/565 , H01L21/561 , H01L23/293 , H01L23/3128 , H01L24/97 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/97 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/85
Abstract: 本发明的目的在于提供即使密封大型基板也能抑制密封后基板的翘曲和裂缝的半导体装置的制造方法。本发明提供了半导体装置的制造方法，其使用具有上金属模具和下金属模具的成型金属模具，其具有：配置工序，将半导体元件搭载基板配置在加热至室温～200℃的前述成型金属模具的前述上金属模具和前述下金属模具中的一个金属模具上，并将半导体元件非搭载基板配置在另一个金属模具上；一体化工序，利用配置有前述半导体元件搭载基板和前述半导体元件非搭载基板的前述成型金属模具，使热固化性树脂成型，使前述半导体元件搭载基板和前述半导体元件非搭载基板一体化；单颗化工序，将该经一体化的基板从前述成型金属模具中取出，并切割，来进行单颗化。
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公开(公告)号：CN103247579B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201310049748.6
申请日：2013-02-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/561 , B32B5/00 , B32B7/02 , B32B27/00 , H01L21/78 , H01L23/293 , H01L23/31 , H01L23/3135 , H01L24/32 , H01L24/97 , H01L2224/29099 , H01L2224/32225 , H01L2924/10253 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , Y10T428/24942 , Y10T428/26 , Y10T428/269 , Y10T428/31504 , Y10T428/31511 , Y10T428/31663 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是一种密封材料积层复合体，其特征在于，用于总括密封承载有半导体元件的基板的半导体元件承载面、或形成有半导体元件的晶片的半导体元件形成面；并且，包括支持晶片、及由被形成于该支持晶片的一面上的未固化的热固化性树脂所构成的未固化树脂层。这样一来，可以提供一种密封材料积层复合体，所述密封材料积层复合体即使在密封通用性非常高、大直径或薄型的基板/晶片的情况，也能够抑制基板/晶片的翘曲、及半导体元件的剥离，并能够以晶片级总括密封承载有半导体元件的基板的半导体元件承载面、或形成有半导体元件的晶片的半导体元件形成面，且密封后的耐热性和耐湿性等优异。
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公开(公告)号：CN103715105B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201310464823.5
申请日：2013-10-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/56 , H01L21/561 , H01L23/28 , H01L23/3128 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体装置的制造方法，其不需要以往的对由填充材料所导致的翘曲采取应对方法、及根据密封层形成时的不良元件数量来调整树脂填充量，可制造翘曲得以减少、且耐热性和耐湿性优异的半导体装置。为解决该问题，本发明提供一种半导体装置的制造方法，具有：树脂填充步骤，将比形成密封层所需要的量更多的热固化性树脂填充于第1模槽内，充满该第1模槽的内部，并且将剩余的前述热固化性树脂排出至第1模槽的外部；一体化步骤，一边对上模具和下模具进行加压一边将热固化性树脂成型，并将搭载半导体元件的基板、不搭载半导体元件的基板、及密封层一体化；及，单片化步骤，从成型模具中取出一体化后的基板，通过切割进行单片化。
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公开(公告)号：CN103715105A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310464823.5
申请日：2013-10-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/56 , H01L21/561 , H01L23/28 , H01L23/3128 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体装置的制造方法，其不需要以往的对由填充材料所导致的翘曲采取应对方法、及根据密封层形成时的不良元件数量来调整树脂填充量，可制造翘曲得以减少、且耐热性和耐湿性优异的半导体装置。为解决该问题，本发明提供一种半导体装置的制造方法，具有：树脂填充步骤，将比形成密封层所需要的量更多的热固化性树脂填充于第1模槽内，充满该第1模槽的内部，并且将剩余的前述热固化性树脂排出至第1模槽的外部；一体化步骤，一边对上模具和下模具进行加压一边将热固化性树脂成型，并将搭载半导体元件的基板、不搭载半导体元件的基板、及密封层一体化；及，单片化步骤，从成型模具中取出一体化后的基板，通过切割进行单片化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107706159A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710842002.9
申请日：2013-02-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明是一种密封材料积层复合体，其用于总括密封承载有半导体元件的基板的半导体元件承载面、或形成有半导体元件的晶片的半导体元件形成面，其特征在于，由支持晶片及未固化树脂层构成；该支持晶片由硅构成，该未固化树脂层由被形成于该支持晶片的一面上的未固化的热固化性树脂构成。由此，可以提供一种密封材料积层复合体，所述密封材料积层复合体即使在密封通用性非常高、大直径或薄型的基板/晶片的情况，也能够抑制基板/晶片的翘曲、及半导体元件的剥离，并能够以晶片级总括密封承载有半导体元件的基板的半导体元件承载面、或形成有半导体元件的晶片的半导体元件形成面，且密封后的耐热性和耐湿性等优异。
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公开(公告)号：CN102543900B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110461259.2
申请日：2011-12-26
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/293 , H01L24/97 , H01L2924/10253 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , Y10T442/2041 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是一种用以将搭载了半导体元件的基板的半导体元件搭载面、或是形成了半导体元件的晶片的半导体元件形成面一并封装的含纤维树脂基板，其中，具有：树脂含浸纤维基材，其是使热固化性树脂含浸于纤维基材中，并使热固化性树脂半固化或固化而成；及未固化树脂层，其是由被形成于所述树脂含浸纤维基材的单面上的未固化的热固化性树脂所构成。本发明提供的含纤维树脂基板，通用性非常高，即便在封装大口径晶片或金属等大口径基板时，晶片的翘曲、半导体元件从基板上的剥离也能够受到抑制，能够将搭载了半导体元件的基板的半导体元件搭载面、或是形成了半导体元件的晶片的半导体元件形成面一并进行晶片级封装，并且封装后的耐热性或耐湿性优异。
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公开(公告)号：CN104377173A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410389197.2
申请日：2014-08-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2224/85 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够制造半导体装置的制造方法及半导体载置，不需考虑由于使用现有填料而造成的弯曲，不需根据在形成密封层时不合格元件数量调节树脂填充量，在减少复杂工序的同时，制造弯曲少，耐热性、耐湿性优越的半导体装置。该制造方法具有：树脂载置工序，将比形成密封层所需量更多量的热固性树脂载置在不搭载半导体元件的基板上；配置工序，将第一内腔内温度从室温加热至200℃，将半导体元件搭载基板配置在成形模具的上模具和下模具中的一方模具，将载置有热固性树脂的不搭载半导体元件的基板配置在另一方模具；树脂排出工序，对上模具和下模具进行加压将剩余热固性树脂排出到第一内腔外部；一体化工序，一边对上模具和下模具进行加压，一边使热固性树脂成形使半导体元件搭载基板、不搭载半导体元件的基板和密封层一体化。
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公开(公告)号：CN104347530A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410366853.7
申请日：2014-07-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/561 , H01L23/3121 , H01L24/97 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , Y10T428/265 , Y10T428/31504 , Y10T428/31511 , Y10T428/31663 , Y10T428/31721 , Y10T428/31855 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种可制造外观及激光标记性良好的半导体装置的制造的带半导体密封用基体材料的密封材料、及其半导体装置和半导体装置的制造方法。所述带半导体密封用基体材料的密封材料用于将装载有半导体元件的半导体元件装载基板的元件装载面、或形成有半导体元件的半导体元件形成晶片的元件形成面一起密封，其特征在于，具有基体材料、形成于该基体材料一侧表面且包含未固化乃至半固化的热固性树脂的密封树脂层、以及形成于所述基体材料的另一侧表面的表面树脂层。
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公开(公告)号：CN103247579A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310049748.6
申请日：2013-02-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/561 , B32B5/00 , B32B7/02 , B32B27/00 , H01L21/78 , H01L23/293 , H01L23/31 , H01L23/3135 , H01L24/32 , H01L24/97 , H01L2224/29099 , H01L2224/32225 , H01L2924/10253 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , Y10T428/24942 , Y10T428/26 , Y10T428/269 , Y10T428/31504 , Y10T428/31511 , Y10T428/31663 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是一种密封材料积层复合体，其特征在于，用于总括密封承载有半导体元件的基板的半导体元件承载面、或形成有半导体元件的晶片的半导体元件形成面；并且，包括支持晶片、及由被形成于该支持晶片的一面上的未固化的热固化性树脂所构成的未固化树脂层。这样一来，可以提供一种密封材料积层复合体，所述密封材料积层复合体即使在密封通用性非常高、大直径或薄型的基板/晶片的情况，也能够抑制基板/晶片的翘曲、及半导体元件的剥离，并能够以晶片级总括密封承载有半导体元件的基板的半导体元件承载面、或形成有半导体元件的晶片的半导体元件形成面，且密封后的耐热性和耐湿性等优异。
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