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公开(公告)号：CN101667391B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200910171390.8
申请日：2009-08-31
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G09G3/325 , G09G2300/0426 , G09G2300/0439 , G09G2300/0814 , G09G2300/0852 , G09G2310/0251 , G09G2310/0262 , G09G2320/0223
Abstract: 本发明公开了一种像素电路、发光显示装置及其驱动方法。一种像素电路至少包括发光元件和薄膜晶体管，薄膜晶体管将根据发光元件的亮度-电流特性控制灰度级的第一电流供应给发光元件，其中，薄膜晶体管具有背栅电极，包括至少驱动时段和写入时段，在驱动时段中，薄膜晶体管将第一电流供应给发光元件，在写入时段中，为了使第一电流在驱动时段期间通过薄膜晶体管，在驱动时段之前，第二电流被写入薄膜晶体管，以及通过改变在驱动时段和写入时段中被施加到背栅电极的电压，使得对薄膜晶体管的栅极电压的电流能力不同。
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公开(公告)号：CN101681928B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200880017424.1
申请日：2008-05-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78618
Abstract: 基板上至少有栅极电极、栅绝缘膜、氧化物半导体层、第一绝缘膜、源和漏极电极及第二绝缘膜的薄膜晶体管的制造方法，包括：基板上形成栅极电极；栅极电极上形成栅绝缘膜；栅绝缘膜上形成含非晶氧化物的半导体层；构图栅绝缘膜；构图氧化物半导体层；在不含氧化气体的气氛中在氧化物半导体层上形成第一绝缘膜而减小氧化物半导体层的电阻；构图第一绝缘膜并在源和漏极电极与氧化物半导体层间形成接触孔；经接触孔在氧化物半导体层中形成源和漏极电极层；经接触孔形成源和漏极电极并使第一绝缘膜暴露；构图暴露的第一绝缘膜并使氧化物半导体层的沟道区暴露；在含氧化气体的气氛中含氧化物半导体层的沟道区的表面上形成第二绝缘膜而增加沟道区的电阻。
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公开(公告)号：CN102593188A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210057047.2
申请日：2008-05-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1233
Abstract: 本发明涉及反相器。所述反相器包括形成在基板上的多个氧化物半导体薄膜晶体管，其中，所述多个氧化物半导体薄膜晶体管之中的每一个包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素，至少两个氧化物半导体薄膜晶体管的沟道层的厚度互不相同，以及所述两个氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压互不相同。
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公开(公告)号：CN101809748B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880108322.0
申请日：2008-09-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78618 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 提供一种制造场效应晶体管的方法。场效应晶体管在基板上包括源电极、漏电极、氧化物半导体层、绝缘层和栅电极。所述方法包括在氧化物半导体层上形成绝缘层之后，通过在包含水分的气氛中退火增大氧化物半导体层的电导率的退火步骤。退火步骤的蒸汽压高于退火温度下大气中的饱和蒸汽压。
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公开(公告)号：CN101681927B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200880015916.7
申请日：2008-05-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1233
Abstract: 为了提供可被容易地制造的增强-耗尽(E/D)反相器，在本发明中，提供包含在同一基板上形成的、沟道层包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素的氧化物半导体的反相器的制造方法，该反相器是具有多个薄膜晶体管的E/D反相器，该制造方法的特征在于包括以下步骤：形成第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管的沟道层的厚度互不相同；以及对于第一晶体管和第二晶体管的沟道层中的至少一个执行热处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101506986B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200780031168.7
申请日：2007-07-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管的制造方法，所述薄膜晶体管包含有源层，所述有源层包含非晶氧化物半导体膜，所述非晶氧化物半导体膜包括In和Zn中的至少一种元素，所述制造方法包含如下步骤序列：第一步骤，形成所述非晶氧化物半导体膜；第二步骤，在氧化气氛中对所述非晶氧化物半导体膜进行退火；以及第三步骤，在所述非晶氧化物半导体膜上形成绝缘氧化物层。其特征在于：在氧化气氛中使用溅射来形成所述绝缘氧化物层。
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公开(公告)号：CN101669208B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200880013223.4
申请日：2008-04-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/24
CPC classification number: H01L29/247 , H01L29/66969 , H01L29/78693
Abstract: 一种非晶氧化物半导体，含有按InxGayZnz的原子比从In、Ga和Zn中选择的至少一种元素，其中，所述非晶氧化物半导体的密度M由以下关系式(1)表示：M≥0.94×(7.121x+5.941y+5.675z)/(x+y+z) (1)其中：0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，且x+y+z≠0。
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公开(公告)号：CN101960571A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980107330.8
申请日：2009-03-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78633
Abstract: 在至少包括半导体的半导体元件的处理方法中，通过用波长比半导体的吸收边波长长的光照射半导体，改变半导体元件的阈值电压。半导体中的隙内状态的面密度为1013cm-2eV-1或更小。带隙可为2eV或更大。半导体可包括从由In、Ga、Zn和Sn构成的组中选择的至少一种。半导体可以是从由非晶In-Ga-Zn-O(IGZO)、非晶In-Zn-O(IZO)和非晶Zn-Sn-O(ZTO)构成的组中选择的一种。光照射可在半导体元件中引起阈值电压偏移，该阈值电压偏移具有与由制造工艺历史、时间相关变化、电应力或热应力导致的阈值电压偏移相反的符号。
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公开(公告)号：CN101809748A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880108322.0
申请日：2008-09-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78618 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 提供一种制造场效应晶体管的方法。场效应晶体管在基板上包括源电极、漏电极、氧化物半导体层、绝缘层和栅电极。所述方法包括在氧化物半导体层上形成绝缘层之后，通过在包含水分的气氛中退火增大氧化物半导体层的电导率的退火步骤。退火步骤的蒸汽压高于退火温度下大气中的饱和蒸汽压。
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公开(公告)号：CN101681928A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880017424.1
申请日：2008-05-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78618
Abstract: 基板上至少有栅极电极、栅绝缘膜、氧化物半导体层、第一绝缘膜、源和漏极电极及第二绝缘膜的薄膜晶体管的制造方法，包括：基板上形成栅极电极；栅极电极上形成栅绝缘膜；栅绝缘膜上形成含非晶氧化物的半导体层；构图栅绝缘膜；构图氧化物半导体层；在不含氧化气体的气氛中在氧化物半导体层上形成第一绝缘膜而减小氧化物半导体层的电阻；构图第一绝缘膜并在源和漏极电极与氧化物半导体层间形成接触孔；经接触孔在氧化物半导体层中形成源和漏极电极层；经接触孔形成源和漏极电极并使第一绝缘膜暴露；构图暴露的第一绝缘膜并使氧化物半导体层的沟道区暴露；在含氧化气体的气氛中含氧化物半导体层的沟道区的表面上形成第二绝缘膜而增加沟道区的电阻。
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