公开(公告)号：CN117099008A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202280025980.3

申请日：2022-03-29

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  日新电机株式会社

Inventor： 出口洋成 ,  辰巳夏生 ,  林司 ,  西林良树

IPC: G01R33/20

Abstract: 本发明的金刚石光磁传感器(100)包含：金刚石(102)，其具有带电子自旋的色心；传输电路(106)，其传输电磁波；以及照射部，其将由传输电路(106)传输的电磁波照射到金刚石(102)，传输电路(106)包含阻抗转换器(108)，该阻抗转换器(108)用于使输出电磁波的电磁波源(110)的阻抗从照射部观察时变低或变高，照射部包含谐振器(104)。

公开(公告)号：CN116997688A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202280019664.5

申请日：2022-02-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 角谷均 ,  西林良树 ,  左亦康 ,  李真和 ,  寺本三记 ,  小林丰

IPC: C30B29/04

Abstract: 一种单晶金刚石，其中，所述单晶金刚石的每单位厚度的相位差的平均为10nm/mm以下，所述相位差的标准偏差为5nm/mm以下。

公开(公告)号：CN114729469A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202080081826.9

申请日：2020-08-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西林良树 ,  寺本三记 ,  小林豊 ,  角谷均 ,  佐藤一成 ,  豊岛辽

IPC: C30B29/04

Abstract: 一种包含氮的合成单晶金刚石，在X射线吸收精细结构光谱中，3/4值全宽为3eV以上的能量405±1eV处的峰的强度I405与能量412±2eV处的峰的强度I412的比I405/I412低于1.5。

公开(公告)号：CN112351843A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201980042095.4

申请日：2019-06-25

Applicant: 住友电工硬质合金株式会社 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 野原拓也 ,  植田晓彦 ,  小林豊 ,  西林良树

IPC: B21C3/02 ,  C01B32/25 ,  C23C16/27 ,  C30B29/04

Abstract: 具有贯通孔的工具设置有基材和由基材保持的金刚石部件，其中，如果金刚石部件的沿贯通孔的中心线的长度为L1，并且与以所述中心线为其法线的截面的由外缘包围的区域面积相等的圆的直径的最大值为M1，那么L1和M1之间的比值L1/M1至少等于0.8。

公开(公告)号：CN107112205B

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201680005889.X

申请日：2016-01-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西林良树 ,  仲前一男

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265

Abstract: 根据本发明的制造半导体衬底的方法包括：制备包括半导体材料的籽晶衬底(1)的步骤，在籽晶衬底(1)上执行离子注入的步骤，由此离子注入层(2)形成为距离籽晶衬底(1)的主表面的表面一定深度；利用气相合成方法在籽晶衬底(1)的主表面上生长半导体层(3)的步骤；以及通过利用光(4)照射半导体层(3)和/或籽晶衬底(1)的主表面的表面的步骤，由此分离包括籽晶衬底的至少一部分(1a)和半导体层(3)的半导体衬底(5)。

公开(公告)号：CN107109690B

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201580059054.8

申请日：2015-10-29

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  住友电工硬质合金株式会社

Inventor： 西林良树 ,  植田晓彦 ,  小林丰

IPC: C30B29/04 ,  C23C16/27

Abstract: 一种单晶金刚石材料，具有对于波长大于或等于410nm且小于或等于750nm的任何波长的光的小于或等于15％的透过率，并且是根据光学评估的电绝缘体和根据电气评估的电绝缘体中的至少任何一个。光学评估的准则可以是波长为10.6μm光的透过率大于或等于1％的。电气评估的标准可以是平均电阻率大于或等于1×106Ωcm。因此，提供了在可见光区域的整个区域中具有低透过率且呈现黑色的单晶金刚石材料。

公开(公告)号：CN107107206A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580059052.9

申请日：2015-10-29

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  住友电工硬质合金株式会社

Inventor： 西林良树 ,  植田晓彦 ,  小林丰

IPC: B23B27/20 ,  B23B27/14 ,  C23C14/06 ,  C23C14/14 ,  C23C16/06 ,  C23C16/27 ,  C23C16/32 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明公开了一种复合金刚石体(10)，所述复合金刚石体(10)包含金刚石基材(11)和设置在所述金刚石基材(11)上的稳定层(12)。所述稳定层(12)可以具有0.001μm以上且小于10μm的厚度，并且可以包含多层。复合金刚石工具(1)包含所述复合金刚石体(10)。因此，提供了耐磨性高的复合金刚石体和复合金刚石工具，其甚至可应用于与金刚石反应而造成金刚石磨损的工件的镜面平坦化加工。

公开(公告)号：CN104603335A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201480002248.X

申请日：2014-04-02

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  住友电工硬质合金株式会社

Inventor： 西林良树 ,  植田晓彦 ,  角谷均 ,  小林丰 ,  关裕一郎 ,  高桥利也

IPC: C30B29/04 ,  C01B31/06

CPC classification number: C30B29/04 ,  C30B25/00 ,  C30B25/105

Abstract: 单晶金刚石(10)为引入了缺陷部(11)的单晶金刚石。所述缺陷部(11)能够通过在利用圆偏振光照射单晶金刚石(10)时产生的相位差而被检测。在单晶金刚石(10)中，在以具有1mm边长的正方形的形状形成的测定区域(M)内测定的相位差的平均值的最大值为30nm以上。

公开(公告)号：CN104508191A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201480001980.5

申请日：2014-04-16

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  住友电工硬质合金株式会社

Inventor： 西林良树 ,  植田晓彦 ,  角谷均 ,  小林丰 ,  关裕一郎 ,  高桥利也

IPC: C30B29/04 ,  C23C16/27 ,  C01B31/06

Abstract: 一种单晶金刚石(10)具有表面(10a)。在所述单晶金刚石(10)中，在所述表面(10a)中限定有测定区域(20)，测定区域(20)包含显示单晶金刚石(10)中最高透光率的部分和显示单晶金刚石(10)中最低透光率的部分，测定区域(20)具有连续排列且各自具有长度为0.2mm的边的多个正方形区域(20a)，且对所述多个正方形区域(20a)中的每个正方形区域中的透光率的平均值进行测定，其中假设将在一个正方形区域(20a)中的透光率的平均值定义为T1，且将在与所述一个正方形区域(20a)相邻的另一个正方形区域(20a)中的透光率的平均值定义为T2，在整个所述测定区域满足((T1-T2)/((T1+T2)/2)×100)/0.2≤20(％/mm)的关系。

公开(公告)号：CN101400833B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN200780008725.3

申请日：2007-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 植田晓彦 ,  目黑贵一 ,  山本喜之 ,  西林良树 ,  今井贵浩

IPC: C30B29/04

Abstract: 本发明提供一种在磷原子/碳原子比为3％以上的条件下，在{111}单晶衬底的主表面上生长在300K下具有300Ωcm以下的电阻率的低电阻掺磷外延薄膜的方法，其特征在于主表面具有0.50°以上的倾斜角。根据本发明的具有低电阻掺磷金刚石外延薄膜的金刚石单晶的特征在于，薄膜表面相对于{111}面具有0.50°以上的倾斜角，以及在300K下低电阻掺磷金刚石外延薄膜的电阻率是300Ωcm以下。