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公开(公告)号：CN111032931A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880052809.5
申请日：2018-08-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 这种含有固体碳的材料的加工体的制造方法包括：准备所述含有固体碳的材料的步骤，所述含有固体碳的材料至少具有由固体碳构成的表面；和加工所述含有固体碳的材料的步骤。加工所述含有固体碳的材料的步骤包括：通过对所述含有固体碳的材料的所述表面中的所述固体碳进行热处理而形成非金刚石碳的子步骤；和去除所述非金刚石碳的至少一部分的子步骤。
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公开(公告)号：CN106884202A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201610991581.9
申请日：2013-06-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及金刚石单晶和单晶金刚石工具。根据本发明的金刚石单晶是利用化学气相合成法合成的，且对波长为350nm的光具有25cm‑1以上且80cm‑1以下的吸收系数。根据本发明的单晶金刚石工具包含由金刚石单晶制成的刀尖，其中所述金刚石单晶是利用化学气相合成法合成的，且对波长为350nm的光具有25cm‑1以上且80cm‑1以下的吸收系数。根据本发明的金刚石单晶和单晶金刚石工具具有高硬度和高韧性、在工具的制造中易于加工、具有与包含天然金刚石或高温高压合成Ib型金刚石的工具的耐破裂或耐碎裂性相等或更高的耐破裂或耐碎裂性、且在切削时具有长寿命和高抗断裂性。
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公开(公告)号：CN106574393A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580039728.8
申请日：2015-07-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04 , B23B27/14 , B23B27/20 , B24B53/047 , C23C16/27
Abstract: 在单晶金刚石(20)的晶体生长主表面(20m)的X射线形貌照片中，晶体缺陷点(20dp)的组聚集而存在，各个晶体缺陷点(20dp)是到达所述晶体生长主表面(20m)的晶体缺陷线(20dq)的前端点，所述晶体缺陷线(20dq)表示其中存在晶体缺陷(20d)的线。此外，在所述单晶金刚石(20)中，平行存在多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)。在所述多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)中，晶体缺陷点(20dp)的组聚集并在相对于一个任意规定方向成30°以内的角的方向上以线状延伸。由此，提供一种单晶金刚石，所述单晶金刚石适合用于切削工具、抛光工具、光学部件、电子部件、半导体材料等。
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公开(公告)号：CN104395508B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201380034864.9
申请日：2013-06-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/186 , B23B27/148 , B23B2226/31 , C30B25/20 , C30B29/04 , C30B30/00 , C30B31/22 , Y10T407/24 , Y10T428/30
Abstract: 根据本发明的金刚石单晶是利用化学气相合成法合成且对波长为350nm的光具有25cm-1以上且80cm-1以下的吸收系数的金刚石单晶。根据本发明的制造金刚石单晶的方法包括：将碳以外的离子注入至金刚石单晶籽晶基板的主面中，从而降低波长为800nm的光的透射率，所述主面相对于{100}面具有7°以下的偏角，并在气相中含碳分子的数目NC对氢分子的数目NH的比NC/NH为10％以上且40％以下，气相中氮分子的数目NN对含碳分子的数目NC的比NN/NC为0.1％以上且10％以下，且籽晶基板温度T为850℃以上且小于1000℃的合成条件下，利用化学气相合成法在所述籽晶基板的离子注入后的主面上均相外延生长金刚石单晶。
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公开(公告)号：CN101361154A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200780001460.4
申请日：2007-09-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J37/065 , H01J37/073 , H01J2201/30407 , H01J2201/30411 , H01J2201/30419 , H01J2201/30457 , H01J2237/06341 , H01J2237/26 , H01J2237/3137 , H01J2237/3146 , H01J2237/31749 , H01J2237/3175
Abstract: 一种金刚石电子源和制造该金刚石电子源的方法，在该金刚石电子源中，作为在电子显微镜或其他电子束装置中使用的电子发射点，单个尖锐末端形成在其尺寸使在微加工工序中难以进行抗蚀剂涂布的柱状金刚石单晶的一端。研磨柱状金刚石单晶(10)的一端，以形成光滑平面(11)，并且在光滑平面(11)上形成陶瓷层(12)。使用聚焦离子束装置，在陶瓷层(12)上沉积具有指定形状的薄膜层(14)，并在此之后使用薄膜层(14)作为掩模通过蚀刻来图案化陶瓷层(12)。使用得到的陶瓷掩模以通过干法蚀刻在柱状金刚石单晶(10)的一端处形成单个尖锐末端。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1934671A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580009107.1
申请日：2005-03-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: B81C1/00111 , H01J9/025 , H01J2329/0415 , H01J2329/0447 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供一种碳系材料突起构造的形成方法。该碳系材料突起构造的形成方法包括：在金刚石基板(10)上涂布抗蚀剂(11)的工序；在该涂布好的抗蚀剂(11)上依照规定的配置规则开设孔(12)，以使该孔(12)的壁(12b)从开口部(12a)朝向里侧形成倒锥形的方式加工的工序；从开口部(12a)侧开始蒸镀掩模材料，在孔(12)的内部形成掩模蒸镀物(14)的工序；将蒸镀于抗蚀剂(11)上的掩模材料(13)与抗蚀剂(11)一起提离的工序；将掩模蒸镀物(14)作为掩模而蚀刻金刚石基板(10)，形成碳系材料突起的工序。
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公开(公告)号：CN1495822A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03158649.X
申请日：2003-09-19
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 财团法人精细陶瓷中心
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J2201/30457
Abstract: 根据本发明所述的一种电子发射元件，包括：基板、以及由金刚石制成的并从该基板突出的多个凸起。每个凸起包括柱形部分，所述柱形部分的侧面相对于基板表面倾斜大约90度，而且设置在具有末端部分的柱形部分上。导电层设置在每一柱形部分的上部，而且与导电层电连接的阴极薄膜形成在柱形部分的侧面。
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公开(公告)号：CN114729469B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202080081826.9
申请日：2020-08-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种包含氮的合成单晶金刚石，在X射线吸收精细结构光谱中，3/4值全宽为3eV以上的能量405±1eV处的峰的强度I405与能量412±2eV处的峰的强度I412的比I405/I412低于1.5。
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公开(公告)号：CN114655953B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202210130434.8
申请日：2015-08-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供：一种制造金刚石的方法，所述方法能够在短时间内将所述金刚石与基板分离并且使得所述基板和所述金刚石各自的分离表面平坦；一种通过所述制造金刚石的方法获得的金刚石；和使用所述金刚石的金刚石复合基板、金刚石接合基板和工具。本发明的通过气相合成法制造金刚石的方法包括如下步骤：准备包含金刚石籽晶的基板；通过气相合成法在所述基板的主表面上形成光吸收层；通过气相合成法在所述光吸收层的主表面上生长金刚石层；和通过从所述金刚石层和所述基板中的至少一者的主表面施加光以使所述光吸收层吸收光并造成所述光吸收层破碎，从而将所述金刚石层与所述基板分离。
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公开(公告)号：CN117099008A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202280025980.3
申请日：2022-03-29
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 日新电机株式会社
IPC: G01R33/20
Abstract: 本发明的金刚石光磁传感器(100)包含：金刚石(102)，其具有带电子自旋的色心；传输电路(106)，其传输电磁波；以及照射部，其将由传输电路(106)传输的电磁波照射到金刚石(102)，传输电路(106)包含阻抗转换器(108)，该阻抗转换器(108)用于使输出电磁波的电磁波源(110)的阻抗从照射部观察时变低或变高，照射部包含谐振器(104)。
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