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公开(公告)号：CN103322117B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310190333.0
申请日：2013-05-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: F16F15/02
Abstract: 本发明涉及一种实现杜瓦万向稳定的无动力方法及相应的装置，所述的方法特征在于：①基于先减振后稳定的思路利用杜瓦及其载体的重心发生偏离时形成的扭矩阻碍状态的改变，并引入流体控制动态增加回归扭矩，再结合分级阻尼系数调节系统稳定性；②采用类同心球体结构，杜瓦固定于内部球体，所述的球体通过非对称分布的滚动滑轮与不封闭的球形舱体连接，利用重力及其转换动力控制内部球体的旋转，从而在运动状态下无动力实现杜瓦的万向稳定。并提供了相应的装置，所述的方法可有效地提高稳定装置的响应速度，并减弱甚至消除稳定过程中的振荡。所述的方法及装置实现简单、成本低。
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公开(公告)号：CN102483444B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN200980161327.4
申请日：2009-09-09
Applicant: 于利希研究中心有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
CPC classification number: G01R33/0356
Abstract: 本发明涉及一种SQUID自举电路(SBC)，其包括互相耦合的dc-SQUID和反馈线圈。SQUID和线圈串联连接。反馈线圈可以由超导体或常规金属制成，也可以集成在SQUID芯片上，或邻近SQUID分开地布置。SQUID和线圈一起形成新型的称为SBC的双端子器件。本发明集合了APF和NC的优势，避免了其缺陷。有了这种新设计，SQUID的电流-Ф或电压-Ф特性将是非对称性的，且等效动态电阻也将改变。
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公开(公告)号：CN104377299A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410414568.8
申请日：2014-08-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种无磁屏蔽环境下抑制磁场干扰的SQUID器件的结构，其特征在于在约瑟夫森结的周围制作一圈超导壁，超导壁包围了约瑟夫森结，超导壁起到一个微型磁屏蔽的作用，使外加磁场对约瑟夫森结的干扰得到抑制。超导壁的高度远大于约瑟夫森结的绝缘层厚度。在SQUID的核心结构约瑟夫森结周围制作了一圈基于超导薄膜材料的超导壁，这圈超导壁可以有效的屏蔽外界磁场进入到约瑟夫森结中，从而有效的防止了外界磁场对约瑟夫森结的影响，提高SQUID参数的稳定性。
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公开(公告)号：CN103901362A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410139130.3
申请日：2014-04-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035 , G01V3/40
Abstract: 本发明涉及一种基于多通道SQUID磁传感器的三轴磁探测模块，其特征在于所述的三轴磁场探测模块，三个方向相互正交，分别对应空间的XYZ方向，对每一个方向的磁场测量由多个通道超导SQUID磁传感器器件完成；多个通道超导SQUID传感器构成串联阵列或通过改变连接次序构成并联阵列。串联阵列可以提高测量的灵敏度，并联阵列可以提高测量的信噪比和工作效率。变化模块中每个组件的连接方法，可以构造出不同结构的探测模块，以满足实际应用对探测模块的不同要求，提高探测系统的灵活性和效率。
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公开(公告)号：CN102426343B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201110254091.8
申请日：2011-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明涉及一种基于SQUID偏置电压反转的读出电路及低频噪声的抑制方法，其特征在于通过偏置反转电路，实现偏置反转，从而抑制低频噪声的产生，具体是所述的读出电路是由SBC构型SQUID低温部分和偏置反转读出电路两部分构成。抑制方法主要过程包括：(1)放大器输入偏置电压调整；(2)交流方法偏置电压加在；(3)磁通相位调整与直流磁通补偿；(4)载波消除；(5)积分反馈输出。本发明所涉及的电路结构相对简单，便于多通道集成，可广泛应用于生物磁、物探等低频测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103322117A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310190333.0
申请日：2013-05-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: F16F15/02
Abstract: 本发明涉及一种实现杜瓦万向稳定的无动力方法及相应的装置，所述的方法特征在于：①基于先减振后稳定的思路利用杜瓦及其载体的重心发生偏离时形成的扭矩阻碍状态的改变，并引入流体控制动态增加回归扭矩，再结合分级阻尼系数调节系统稳定性；②采用类同心球体结构，杜瓦固定于内部球体，所述的球体通过非对称分布的滚动滑轮与不封闭的球形舱体连接，利用重力及其转换动力控制内部球体的旋转，从而在运动状态下无动力实现杜瓦的万向稳定。并提供了相应的装置，所述的方法可有效地提高稳定装置的响应速度，并减弱甚至消除稳定过程中的振荡。所述的方法及装置实现简单、成本低。
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公开(公告)号：CN103220047A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310153611.5
申请日：2013-04-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于超导SQUID阵列的低频透地通信系统及方法，其特征在于所述的系统依次由低频信号发射、无线传输大地信道以及基于超导SQUID阵列的信号接收和分析构成，其中基于超导SQUID阵列的信号接收集成了多个超导SQUID器件集成与SQUID阵列匹配的读出电路以及为超导SQUID阵列提供低温环境的杜瓦构成。所述的系统使用时需考虑①多通道串扰解决方法以及微弱信号处理方法。本发明在上述基础上能提高信号接收的信噪比和信号接收的准确性，降低通信误码率。
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公开(公告)号：CN110133379A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910506053.3
申请日：2019-06-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R27/26 , G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种约瑟夫森结寄生电感的测量方法，包括：提供第一测试结构，得到第一电感；提供第二测试结构，得到第二电感；提供第三测试结构，得到第三电感；提供第四测试结构，得到第四电感；基于第一测试结构及第二测试结构中导线的电感之和与第三测试结构及第四测试结构中导线的电感之和相同，计算得到单个约瑟夫森结的寄生电感。本发明采用SQUID电压-磁通调制技术获取各测试结构的电感，再基于各测试结构之间的差异计算得到单个约瑟夫森结的寄生电感，是一种直接测量电感的方法，相比间接法将提升寄生电感的测量效率和准确性，为在超导数字电路设计中减小寄生电感影响提供依据。
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公开(公告)号：CN109597004A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811611264.5
申请日：2018-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035 , G01R33/00
Abstract: 本发明提供一种超导量子干涉器件及制备方法，包括：欠阻尼SQUID及串联电阻，欠阻尼SQUID与串联电阻串联，欠阻尼SQUID及串联电阻串联后的两端连接偏置电压。依次沉积第一超导材料层、第一绝缘材料层及第二超导材料层，并刻蚀形成超导环路及底电极结构；刻蚀第二超导材料层以形成约瑟夫森结；沉积并刻蚀第二绝缘材料层，于约瑟夫森结顶部形成电极开口；沉积并刻蚀电阻材料层形成旁路电阻及串联电阻；沉积并刻蚀第三超导材料层顶电极。本发明将欠阻尼SQUID与电阻串联在一起构成Series Resistance SQUID器件，在电压偏置模式下工作，具有噪声更低、灵敏度更高的特点；而且其制备工艺与普通SQUID制备工艺相同，不增加制备难度。
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公开(公告)号：CN105449094B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201511018443.4
申请日：2015-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种氮化铌薄膜的制备方法、SQUID器件及其制备方法，包括：在衬底上采用磁控溅射方式依次外延生长第一氮化铌材料层、第一绝缘材料层、第二氮化铌材料层的三层薄膜结构；通过刻蚀形成底电极图形；形成约瑟夫森结；沉积第二绝缘材料层；制备旁路电阻；沉积第三氮化铌材料层，并形成顶电极。该SQUID器件包括：衬底，制备于所述衬底上的超导环，制备于所述衬底上并嵌于所述超导环的环路上的约瑟夫森结，所述约瑟夫森结包括底电极、绝缘材料层和对电极。本发明提供一种制备高质量氮化铌薄膜的方法，并在此基础上制备出基于氮化铌/氮化铝/氮化铌约瑟夫森结的SQUID器件，使得SQUID器件可以在高于4.2K的温度下工作，降低了超导SQUID器件的制冷成本。
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