公开(公告)号：CN102569070A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210075130.2

申请日：2012-03-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程新红 ,  曹铎 ,  贾婷婷 ,  王中健 ,  徐大伟 ,  夏超 ,  宋朝瑞 ,  俞跃辉

IPC: H01L21/334

Abstract: 本发明提供一种MIS电容的制作方法，于SOI衬底中刻蚀出硅岛，采用HF去除硅岛表面的氧化层，可以有效地降低薄膜界面层厚度。利用等离子体原子层沉积方法，采用原位O2，NH3等离子体在Si表面生长一层很薄的氮氧化合物钝化层，以抑制界面层的生长。接着使用等离子体生长方式生长HfLaO介质薄膜，并原位对所述HfLaO介质薄膜进行氧等离子体后处理，减少薄膜中的氧空位。采用氯苯溶液对光刻胶进行处理，可以修饰掉光刻胶边缘的毛刺使得后面的金属举离工艺更简单而精确。采用本方法制备的MIS电容有利于减少附加界面层的数量、减薄的界面层厚度和降低界面层的粗糙度，有利于抑制衬底和薄膜之间的元素扩散及减小等效栅氧厚度，有效的提高MIS电容的电学性能。

公开(公告)号：CN101916727B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201010220370.8

申请日：2010-07-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程新红 ,  王中健 ,  俞跃辉 ,  何大伟 ,  徐大伟 ,  夏超

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681

Abstract: 本发明提供的SOI高压功率器件的制备方法，其首先在SOI基板表面的部分区域形成第一氧化层，再去除所述第一氧化层以便形成凹陷区，然后在凹陷区形成第二氧化层，以便使第二氧化层的表面与SOI基板表面保持平齐，再在已形成第二氧化层的结构上进行包括光刻、掺杂在内的处理以分别形成作为高压功率器件漏极和源极的P型区域和N型区域、以及作为栅极的栅极区域，随后在已形成P型区域和N型区域的结构的漂移区上方淀积第三氧化层，使第三氧化层和第二氧化层的厚度之和与SOI基板中的氧化夹层的厚度接近一致，最后再生成分别与P型区域、N型区域及栅极区域相接触的各金属子区域，由此形成耐高压的高压功率器件。

公开(公告)号：CN103745996B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201310744626.9

申请日：2013-12-31

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 魏星 ,  夏超 ,  狄增峰 ,  方子韦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种带有部分绝缘埋层的横向功率器件，包括支撑衬底、位于所述支撑衬底表面的绝缘埋层和位于所述绝缘埋层表面的有源层；所述绝缘埋层包括一掺杂窗口；所述支撑衬底包括第一掺杂埋层和第二掺杂埋层，所述第一掺杂埋层位于漏区的下方，所述第二掺杂埋层位于源区下方，所述第二掺杂埋层到所述绝缘埋层的距离大于所述第一掺杂埋层到所述绝缘埋层的距离。为实现上述带有部分绝缘埋层的横向功率器件，本发明同时提供一种制作方法，采用两次离子注入在支撑衬底内形成双埋层，在所述支撑衬底表面刻蚀以形成掺杂窗口。本发明的优点在于，提高了器件的击穿电压，并且能够通过掺杂窗口将产生的热量从衬底散出，加快热量耗散，提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN103745996A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201310744626.9

申请日：2013-12-31

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 魏星 ,  夏超 ,  狄增峰 ,  方子韦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/66681

Abstract: 本发明提供一种带有部分绝缘埋层的横向功率器件，包括支撑衬底、位于所述支撑衬底表面的绝缘埋层和位于所述绝缘埋层表面的有源层；所述绝缘埋层包括一掺杂窗口；所述支撑衬底包括第一掺杂埋层和第二掺杂埋层，所述第一掺杂埋层位于漏区的下方，所述第二掺杂埋层位于源区下方，所述第二掺杂埋层到所述绝缘埋层的距离大于所述第一掺杂埋层到所述绝缘埋层的距离。为实现上述带有部分绝缘埋层的横向功率器件，本发明同时提供一种制作方法，采用两次离子注入在支撑衬底内形成双埋层，在所述支撑衬底表面刻蚀以形成掺杂窗口。本发明的优点在于，提高了器件的击穿电压，并且能够通过掺杂窗口将产生的热量从衬底散出，加快热量耗散，提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN103745995A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201310744620.1

申请日：2013-12-31

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 魏星 ,  夏超 ,  狄增峰 ,  方子韦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/063 ,  H01L29/66681

Abstract: 本发明提供一种具有超结结构的横向功率器件及制作方法，所述具有超结结构的横向功率器件包括支撑衬底、位于所述支撑衬底表面的锗硅层、位于所述锗硅层表面的绝缘埋层和位于所述绝缘埋层表面的有源层；所述有源层包括栅区、分别位于所述栅区两侧的源区和漏区以及位于所述栅区和所述漏区之间的漂移区；所述漂移区包括以横向交替接触方式设置的多个具有第一导电类型的掺杂区和多个具有第二导电类型的掺杂区。本发明的优点在于，绝缘埋层下方的锗硅层的存在将极大的抑制衬底辅助耗尽效应，避免漂移区电荷失衡而引起提前击穿。