公开(公告)号：CN104866156B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201510322056.3

申请日：2015-06-12

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 刘庆彬 ,  李佳 ,  何泽召 ,  蔚翠 ,  冯志红

IPC: G06F3/044

Abstract: 本发明公开了一种蓝宝石基板石墨烯表面式电容屏及制备方法，涉及电容式触摸屏的层状结构技术领域。包括从上至下依次包括盖板层、OCA光学胶层、石墨烯导电层和蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上外延生长单层或多层石墨烯导电层，所述石墨烯导电层四周设有金属铜电极，且与石墨烯贴合，所述金属铜电极连接有电极引线，所述金属铜电极通过电极引线能与控制芯片连接。本发明将蓝宝石和石墨烯合理的结合，提高了触摸屏表面的耐磨性，石墨烯的应用简化了制作工艺，提高了透光率，降低了制作成本。

公开(公告)号：CN109119474A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201810935833.5

申请日：2018-08-16

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 王元刚 ,  冯志红 ,  吕元杰 ,  房玉龙 ,  周幸叶 ,  宋旭波 ,  谭鑫 ,  蔚翠

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明提供了一种常关型场效应晶体管，属于半导体器件领域，包括衬底、设于所述衬底上侧的至少两个相互间隔设置的二维材料层、设于所述二维材料层上侧的源电极、设于所述二维材料层上侧且与所述源电极间隔设置的漏电极、设于所述二维材料层上侧且位于所述源电极和所述漏电极之间的阻挡层及设于所述阻挡层上侧的至少一个栅电极；相邻两个所述二维材料层之间形成二维材料断层区，所述二维材料断层区的至少一侧边缘向外凸出于所述栅电极在所述二维材料层所在平面上的投影区域的侧边缘。本发明提供的常关型场效应晶体管在保证晶体管能够夹断，实现常关的同时，还不牺牲器件本身的迁移率和电子饱和速度，器件性能没有损失。

公开(公告)号：CN108987525A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810578809.0

申请日：2018-06-07

Applicant: 华南理工大学 ,  中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 周长见 ,  吕喆 ,  冯志红 ,  蔚翠

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种MSM光电探测器及其制作方法，该MSM光电探测器包括衬底以及设置在衬底上的二维半导体材料薄片和两个金属电极，所述二维半导体材料薄片的厚度均匀且具有不对称的几何结构，所述两个金属电极相对地设置在二维半导体材料薄片的两个边缘上，且两个金属电极与二维半导体材料薄片的接触长度不同。本发明的MSM光电探测器具有自驱动的功能、较低的探测极限以及较高可靠性，而且本探测器结构优良，制作工艺简单，生产成本低，可广泛应用于半导体行业中。

公开(公告)号：CN108892132A

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201810836852.2

申请日：2018-07-26

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 高学栋 ,  冯志红 ,  蔚翠 ,  刘庆彬 ,  何泽召 ,  周闯杰 ,  郭建超

IPC: C01B32/186

Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种制备石墨烯的辅助装置、石墨烯及其制备方法，该方法包括：在衬底上表面放置制备石墨烯的辅助装置，并将所述衬底放置于化学气相沉积设备的腔体中，其中，所述辅助装置包括支撑体；缓冲层，设在所述支撑体的上表面，所述缓冲层设有若干个贯穿所述缓冲层的孔洞，所述支撑体与所述衬底接触；将所述腔体的温度加热至预设温度，并排出所述腔体内的空气；在所述腔体中通入碳源，并将所述腔体的温度维持在所述预设温度；经预设时间后，停止通入碳源，在所述腔体中通入保护气体，并降低所述腔体的温度。本发明能够降低石墨烯形核密度，且不会降低石墨烯的生长速度。

公开(公告)号：CN107731915A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710948663.X

申请日：2017-10-12

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 王晶晶 ,  冯志红 ,  蔚翠 ,  周闯杰 ,  刘庆彬 ,  何泽召

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/66045

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及利用突变异质结形成金刚石p型导电沟道的方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。所述方法包括：在衬底上形成高阻金刚石层；在所述高阻金刚石层的上表面形成具有受主特性的一层或多层异质单质或化合物，在所述金刚石与受主层的界面处形成一个异质结，在所述金刚石的一侧近结10nm-20nm处形成二维空穴气，利用二维空穴气作为p型导电沟道。所述方法可使p型金刚石材料沟道内的载流子浓度和迁移率在0℃-1000℃范围内保持稳定，进而实现金刚石器件在高温环境下正常工作。

公开(公告)号：CN107601473A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710933876.5

申请日：2017-09-30

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 刘庆彬 ,  蔚翠 ,  何泽召 ,  王晶晶 ,  郭建超 ,  周闯杰 ,  冯志红

IPC: C01B32/186

Abstract: 本发明公开了一种制备均匀一致的石墨烯材料的改进的化学气相沉积法，涉及石墨烯材料的制备技术领域。选择半绝缘SiC衬底，清洗干燥后放入CVD设备中，抽真空；再去除SiC衬底表面吸附气体；通入氢气，氢气流量1-60L/min，去除SiC衬底表面损伤层和划痕；成核阶段：通入氩气，氩气分压比例控制在70％以上；通入气态碳源，流量0.001-10L/min，气态碳源与氢气流量之比为0.001％-50％；生长阶段：氢气分压比例控制在70％以上；通入气态氮源，流量0.001-2L/min；成核温度和生长温度在1100-1900℃之间，保持气体压力50-1000mbar，成核阶段持续时间1-10min，生长阶段持续时间10-100min，在SiC衬底表面得到1-5层P型掺杂的石墨烯。该方法有助于制备表面形貌平坦，均匀一致的石墨烯材料。

公开(公告)号：CN103903987B

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201410113118.5

申请日：2014-03-25

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 李佳 ,  冯志红 ,  蔚翠 ,  刘庆彬

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明公开了一种基于自对准的悬浮石墨烯晶体管制造方法，涉及半导体器件的制造方法技术领域。所述方法在于：在衬底上形成金属薄膜，在金属薄膜上形成石墨烯材料再在石墨烯材料上形成金属薄膜，利用光刻胶图形，去除未被光刻胶覆盖的地方的两层金属以及石墨烯层；形成设计的源、栅和漏的金属电极，并在源漏之间形成所需要的栅光刻胶图形，腐蚀掉暴漏出来的金属以及石墨烯材料下面的金属，形成器件沟道的悬浮，在暴漏出来的石墨烯表面形成种子层，在种子层上形成栅介质，然后在栅介质上形成栅金属，最终形成悬浮石墨烯晶体管。所述方法简单易行，可有效的避免器件加工工艺对石墨烯的污染，避免衬底对沟道区石墨烯的散射，提高石墨烯晶体管的性能。

公开(公告)号：CN103280394B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310183856.2

申请日：2013-05-17

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 王晶晶 ,  冯志红 ,  何泽召 ,  蔚翠

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种在金刚石表面制作稳定耐高温氢端基导电沟道的方法，包括以下步骤：一、在衬底上形成高阻金刚石层；二、在高阻金刚石层的上表面经处理形成氢端基金刚石；三、将上述样品置于含有极性分子的气体、溶液或溶胶中处理，使氢端基金刚石中的氢端基充分吸附含有极性分子的气体、溶液或溶胶中的极性分子或官能团，从而在氢端基金刚石下表面10-20nm处形成p型导电沟道，在氢端基金刚石的上表面形成极性分子吸附层；四、将上述样品取出后常温淀积介质阻挡层。所述方法可使p型金刚石材料沟道内的载流子浓度和迁移率在20℃-500℃范围内保持稳定，进而实现金刚石器件在高温环境下正常工作。

公开(公告)号：CN103295912B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201310189470.2

申请日：2013-05-21

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 李佳 ,  冯志红 ,  蔚翠 ,  刘庆彬 ,  何泽召 ,  王晶晶

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66045 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/7781

Abstract: 本发明公开了一种基于自对准技术的石墨烯晶体管制造方法，涉及半导体器件的制造方法技术领域。在衬底上形成石墨烯材料，在石墨烯材料上形成一层金属薄膜，利用平版印刷术形成所需要的光刻胶图形，去除未被光刻胶覆盖的地方的金属，去除未被光刻胶覆盖的地方的石墨烯，形成设计的石墨烯晶体管有源区。形成设计的源、栅和漏的金属电极，源和漏的金属电极与有源区的金属相连，并在源漏之间利用平版印刷术形成所需要的栅光刻胶图形，腐蚀掉暴漏出来的金属，在暴漏出来的石墨烯表面形成种子层，在种子层上形成栅介质，然后在栅介质上形成栅金属，最终形成石墨烯晶体管。所述方法减小栅源和栅漏之间的间距，从而提高石墨烯晶体管的性能。

公开(公告)号：CN104867818A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510153852.9

申请日：2015-04-02

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 芦伟立 ,  冯志红 ,  李佳 ,  刘庆彬 ,  蔚翠

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/0445 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明公开了一种减少碳化硅外延材料缺陷的方法，涉及半导体器件技术领域；包括如下步骤：（1）衬底准备：选取碳化硅衬底，对其进行标准清洗待用；（2）初步外延生长：在碳化硅衬底上用化学气相沉积法进行初步外延生长较薄外延层；（3）原位退火：切断外延生长源，对设备反应室抽真空，在1650℃～2000℃条件下，对步骤（2）外延后的样品进行退火处理；（4）再外延生长：对步骤（3）退火后的样品，进行再外延生长，至所需厚度。本发明能够显著减小外延层中的残余应力，有效减少衬底传播外延层中缺陷，获取缺陷密度小的高质量碳化硅外延材料。