-
公开(公告)号：CN104022163A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410246415.7
申请日：2014-06-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/16
CPC classification number: H01L29/872 , H01L23/298 , H01L23/3738
Abstract: 本发明公开了一种散热改进型GaAs基太赫兹倍频肖特基二极管，涉及太赫兹频段肖特基二极管技术领域，包括半绝缘GaAs衬底、半绝缘GaAs衬底上的重掺杂GaAs层、重掺杂GaAs层上的低掺杂GaAs层、二氧化硅层、欧姆接触金属层和钝化层，其特征在于所述钝化层均为金刚石。采用高热导率的金刚石作为太赫兹肖特基倍频二极管的钝化层，大大改善了肖特基二极管的散热性能，提高了肖特基二极管的倍频效率。
-
公开(公告)号：CN103400864A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310328082.8
申请日：2013-07-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/08 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了一种基于极化掺杂的GaN横向肖特基二极管，属于半导体器件领域。本发明自下而上包括衬底、缓冲层和GaN层，在GaN层上设有渐变组分AlGaN层、与渐变组分AlGaN层横向结构形成的欧姆接触金属层和肖特基接触金属层，所述渐变组分AlGaN层的Al组分非均匀分布。该二极管与普通HEMT材料结构的二极管相比，有源区采用渐变组分AlGaN，减弱了由于电子聚集引起的可靠性问题；与硅掺杂形成N-/N+高低浓度结构的GaN肖特基二极管相比，本发明的串联电阻较小；与GaAs肖特基二极管相比，在同等肖特基结面积的情况下，可以承受更大的输入功率，且散热性能增强；与普通HEMT材料结构的二极管相比，本发明电容的非线性更强，更加适合作为变容器件，且器件结构简单，易于实现。
-
公开(公告)号：CN117347307A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311279691.9
申请日：2023-09-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01N21/3581 , G01N21/3577
Abstract: 本发明提供一种太赫兹检测装置及检测方法。本发明可通过太赫兹芯片的片上微带谐振单元接收太赫兹信号实现谐振。穿过侧壁通孔置于矩形波导内部的待测溶液，对片上微带谐振单元谐振频率产生扰动。待测溶液的不同浓度改变谐振区域的空间电磁场，在不同空间电磁场下，片上微带谐振单元的谐振频率不同。本发明实施例可基于待测溶液的浓度大小对谐振频率的影响大小确定待测溶液浓度。相对于现有谐振腔检测方式，一方面，片上微带谐振单元的谐振频率提升不受谐振单元尺寸限制，可在提升工作频率的同时应用于大尺寸的溶液浓度检测。另一方面，片上微带谐振单元的谐振频率提高，可提升检测工作频率、提升溶液浓度检测的检测灵敏度。
-
公开(公告)号：CN117309800A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311132086.9
申请日：2023-09-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01N21/3581 , G01N21/01
Abstract: 本发明提供一种溶液浓度测量系统及测量发明。该溶液浓度测量系统包括：第一端口、第二端口、谐振单元、溶液导管和太赫兹矢量网络分析仪；第一端口和第二端口，设置于衬底上；第一端口和第二端口均与谐振单元连接；谐振单元为环状结构，设置于衬底上；环状结构内的衬底上设有通孔；溶液导管穿过通孔，用于存放待检测溶液；太赫兹矢量网络分析仪的第一端用于与第一端口连接，第二端用于与第二端口连接，或者，太赫兹矢量网络分析仪的第一端用于与第二端口连接，第二端用于与第一端口连接。本发明能够可以实现更小浓度梯度溶液的测量，提高溶液浓度的检测精度和速度。
-
公开(公告)号：CN105845742B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201610347861.6
申请日：2016-05-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L23/49
Abstract: 本发明公开了一种梁式引线太赫兹肖特基二极管，涉及肖特基二极管技术领域。所述二极管包括太赫兹肖特基二极管本体，所述太赫兹肖特基二极管本体上设有阳极和阴极，所述阳极和阴极的外侧面各设有一条向所述二极管本体外侧延伸的梁式引线，且所述梁式引线延伸至所述二极管本体的外侧部分的长度不同。所述二极管在阳极和阴极上伸出不同长度的金属条，在二极管应用于倒装焊接时，从背面看的时候，通过梁式引线长度的不同，区别二极管的阳极和阴极，降低了倒装焊的工艺难度，提高了二极管倒装焊接的可辨识性和可使用性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110729968B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201910837970.X
申请日：2019-09-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/14
Abstract: 本发明提供了一种太赫兹倍频器，属于太赫兹器件领域，包括金属外壳、设于金属外壳内腔中的电路基板、设于电路基板上且依次连接的输入波导结构、滤波电路结构、第一匹配电路结构、倍频芯片、第二匹配电路结构及输出波导结构，金属外壳上与电路基板对应的第二类压点处设有第二热膨胀适配层，第二热膨胀适配层包括与金属外壳一体设置的适配基板及设于适配基板上且开口方向平行于电路基板板面的多个适配通孔，适配基板还与电路基板连接。本发明提供的太赫兹倍频器通过多空板状结构能有效释放电路基板与金属外壳之间的应力，可以有效改善电路基板与金属外壳之间的热膨胀失配，进而使电路基板的使用稳定性得到有效提升。
-
公开(公告)号：CN115832022A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202310004350.4
申请日：2023-01-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/417 , H01L21/329 , H01L29/872 , H01L27/08 , H01L21/77
Abstract: 本发明提供一种倍频二极管芯片结构及其制备方法。该结构包括：衬底；设置在衬底上的N+氮化镓层；沿第一方向，设置在衬底上，分别位于N+氮化镓层两侧的第一、第二阳极焊盘；沿第二方向，设置在衬底上，分别位于N+氮化镓层两侧的共阴极焊盘；沿第二方向，设置在N+氮化镓层上，且分别位于N+氮化镓层两侧的阴极金属，阴极金属通过阴极空气桥与共阴极焊盘对应连接；沿第一方向，设置在N+氮化镓层上的第一N‑氮化镓层和第二N‑氮化镓层；分别设置在第一、第二N‑氮化镓层上的第一、第二阳极金属；第一、第二阳极金属分别通过第一、第二阳极空气桥与第一、第二阳极焊盘对应连接。本发明能够降低寄生电阻，提升倍频器的转换效率。
-
公开(公告)号：CN112289865B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202011084999.4
申请日：2020-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/47
Abstract: 本发明提供了一种可偏置混频肖特基二极管结构及半导体器件，属于半导体器件技术领域，包括第一金属电极、和第二金属电极，所述第二金属电极分隔为上分电极和下分电极，第一肖特基结连接在所述第一金属电极和所述上分电极之间，第二肖特基结反向并联在所述第一金属电极和所述下分电极之间。本发明提供的可偏置混频肖特基二极管结构，采用两个肖特基结反向并联的形式，肖特基结一端与同一个金属电极连接，另一端连接两个不相连的金属电极，这样可以对二极管进行偏置，从而降低混频器对本振功率的需求，降低本振源的难度。
-
公开(公告)号：CN107017902B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201710370212.2
申请日：2017-05-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS工艺的220GHz接收机，涉及太赫兹技术领域。所述接收机包括通过MEMS工艺制作的Si基镀金盒体和位于所述盒体内的接收机电路，所述Si基镀金盒体包括位于内侧的Si壳体和位于Si壳体外侧的金属镀层。所述接收机的盒体为采用MEMS工艺实现的Si盒体，通过镀金实现和金属相同的功能，质量轻，大大降低了接收机的重量，且采用MEMS工艺，系统集成度更高。
-
公开(公告)号：CN109638085A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811477123.9
申请日：2018-12-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/88 , H01L29/06 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/882 , H01L29/0684 , H01L29/66219
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaAs基共振隧穿二极管及其制备方法，GaAs基共振隧穿二极管包括：GaAs衬底；所述GaAs衬底上表面设有组分渐变的InAlAs缓冲层；所述缓冲层上表面设有重掺杂In0.53Ga0.47As集电极外延层；所述集电极外延层的集电极区的上表面设有集电极，除集电极区以外区域的上表面设有非掺杂In0.53Ga0.47As第一隔离层；所述第一隔离层的上表面设有量子肼层；所述量子肼层的上表面设有非掺杂In0.53Ga0.47As第二隔离层；所述第二隔离层的上表面设有重掺杂In0.53Ga0.47As发射极外延层；所述发射极外延层上表面设有发射极，所述发射极通过空气桥与焊盘连接。本发明能够生长高质量的InGaAs外延层，从而提高共振隧穿二极管的性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
136
records
(took 0.035 seconds)
