-
公开(公告)号：CN108642139A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810490109.6
申请日：2018-05-21
Applicant: 东南大学
IPC: C12Q1/6834 , C12Q1/48 , C12N15/11
Abstract: 本发明公开了一种端粒酶活性检测方法，包括：利用CHAPS法提取待测细胞中的端粒酶；利用捕获探针和端粒酶进行延伸反应，反应产物与信号探针溶液进行杂交反应；用超分辨成像技术对杂交反应产物进行检测。本发明采用超分辨成像技术能够检测到低浓度端粒酶形成的微弱信号，实现了更高灵敏度的端粒酶活性检测；采用Cy5染料修饰的端粒互补序列DNA作为信号探针，获得更高分辨率的图像及更低的检测限；避免了PCR反应过程以及信号扩增过程，大大简化了端粒酶活性检测步骤，同时也提高了检测结果的可靠性。
-
公开(公告)号：CN105771763B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201610124749.6
申请日：2016-03-07
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种射流破坏高浓度梯度微流混合芯片，包括相互连通的中央通道、侧通道和混合通道，以及与混合通道一体成型或连通的出口通道；所述混合通道中设置有多行周期性排列的弧边三角形结构，以使流体发生分裂、复合及混沌对流；所述弧边三角形结构的两条弧边为两个等直径的相切圆的圆弧部，另一边为两个等直径的相切圆的切线。本发明的结构破坏了射流，使得被稀释物质浓度大幅度降低，并且被稀释物质均匀分布在通道内，无需跟踪射流，大大降低了检测难度，提高了实验可靠性。同时，本发明制作工艺简单，仅需一次平面光刻就可形成混合区结构，无需多次曝光、对准工艺，简化了制作流程。
-
公开(公告)号：CN108346687A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810004329.3
申请日：2018-01-03
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/0684 , H01L29/7787
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，该晶体管由下至上依次包括衬底(101)、GaN或AlN缓冲层(102)、GaN沟道层(103)、AlxGa1-xN势垒层(104)、覆盖在AlxGa1-xN势垒层(104)之上的绝缘层(106)、设置在绝缘层(106)之上的栅极电极(107)、设置在GaN沟道层(103)之上的源极电极(108)和漏极电极(105)以及在源极电极(108)外侧的B掺杂区(110)和在漏极电极(105)外侧的A掺杂区(109)，其中0
-
公开(公告)号：CN108313977A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810052748.4
申请日：2018-01-19
Applicant: 东南大学
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明公开了一种可扩展的套管型微流控芯片的制备方法，包括以下步骤：S1：将与通道尺寸匹配的预置物放入PDMS预聚物中，加热聚合PDMS，裁成PDMS块；S2：将预置物移除，留出放置通道的管槽，管槽具有两个管口；S3：使用倒角打磨后的点胶针筒，在PDMS块垂直于管槽的方向上开通孔；S4：将PDMS块开孔的两面分别与基底和顶层键合，其中顶层预置有加样孔；S5：从管槽的一个管口插入内径均匀的毛细玻璃管，从管槽的另一个管口插入预拉尖的毛细玻璃管，完成单级套管型微流控芯片的制作；S6：复用所述毛细玻璃管，重复步骤S5，形成多级套管结构。本发明有效降低了套管型微流控芯片制作的操作难度和经济成本。
-
公开(公告)号：CN108034419A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711307716.6
申请日：2017-12-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种水溶性全无机钙钛矿量子点及其制备方法，所述的水溶性全无机钙钛矿量子点为胶束状结构，其内层为全无机钙钛矿量子点，其外层为双亲性磷脂，内外层之间通过亲水和疏水相互作用相连接，其制备方法如下：1)制备全无机钙钛矿量子点甲苯溶液，2)将全无机钙钛矿量子点甲苯溶液与双亲性磷脂氯仿溶液混合均匀，去除有机溶剂后溶解于超纯水中，得到水溶性全无机钙钛矿量子点。本发明利用生物相容性的磷脂，将油溶性全无机钙钛矿量子点分散在水中，并实现了全无机钙钛矿量子点在水中10天以上的荧光发射，克服了由于钙钛矿量子点在水中容易水解引起的生物成像限制。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104966769B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201510283134.3
申请日：2015-05-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种具有双光子晶体结构的量子点发光二极管，其自下而上依次包括衬底101，空穴注入层102，在空穴注入层102设置的反射型光子晶体即光子晶体一103，空穴传输层104，量子点有源区105，在电子传输层107设置的缺陷型光子晶体即光子晶体二106，电子传输层107，电子注入层108。本发明的有益效果为：显著提高LED的光提取效率；提高LED的内量子效率，最终也有利于提高LED的发光功率和亮度。
-
公开(公告)号：CN107746072A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201710877955.9
申请日：2017-09-25
Applicant: 东南大学
IPC: C01G21/16
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿微米环阵列的制备方法，所述的钙钛矿微米环阵列为全无机CsPbX3钙钛矿微米环阵列或者全无机CsPb(BrnA1-n)3钙钛矿微米环阵列，其中X表示Cl离子、Br离子或I离子中的一种，A表示Cl离子或I离子中的一种，0＜n＜3，该制备方法包括以下步骤：1)制备胶体单层模板：将聚苯乙烯微球悬浮液旋涂在基底上，待水蒸发完后，得到胶体单层模板；2)制备钙钛矿微米环阵列：将钙钛矿前驱体溶液旋涂在胶体单层模板上，待干燥后用甲苯浸泡以除去聚苯乙烯微球，最后加热得到钙钛矿微米环阵列。该方法操作简单、操作工艺难度低，且钙钛矿微米环的大小、钙钙钛矿微米环阵列的发光波长均可调。
-
公开(公告)号：CN105388637B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201510953020.5
申请日：2015-12-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于介质沉积型表面等离子波导的SOI基MZI型1×2热光开关，包括一个硅脊型直波导，作为SOI基1×2热光开关与外接单模光纤的接口；一个拉锥型的硅脊型波导Y分支，作为1×2热光开关的3‑dB光学分束器，用于将输入光波等量的分成两束；六个S形硅脊型弯曲波导，分别用于Y分支与两侧调制臂以及调制臂与定向耦合器的连接，并且将经过定向耦合器调制后的光输出；两个介质沉积型表面等离子波导，位于1×2热光开关的两侧调制臂上，用于MZI结构的相位调制；一个硅脊型波导的定向耦合器，用于对相位调制后的两束光进行多模干涉，将相位调制转化为强度调制。本发明具有响应快、集成化程度高、开关功耗低等特性。
-
公开(公告)号：CN105355736B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201510770220.7
申请日：2015-11-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种具有量子点p区结构的紫外发光二极管(UV‑LED)，自下而上依次包括：衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN量子阱有源区、AlzGa1‑zN电子阻挡层，GaN或低Al组分AlqGa1‑qN量子点p型层和氧化铟锡(ITO)导电层，其中z>y>x>q，在ITO导电层和n区上分别引出p型和n型欧姆电极。由于采用GaN或低Al组分AlqGa1‑qN量子点作为p区材料，易实现Mg掺杂和激活；又因为量子点相较于高维材料具有更大的禁带宽度，可以避免其对紫外出射光的吸收，因此该结构可以从而提高UV‑LED的外量子效率和发光功率。
-
公开(公告)号：CN107286931A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710584724.9
申请日：2017-07-18
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种以甲胺铅溴钙钛矿量子点制备钙钛矿量子点荧光环的方法，该方法包括如下步骤：步骤一、将载玻片进行清洗，先倒入食人鱼溶液(浓硫酸和30％过氧化氢按7:3)煮沸，再依次倒入乙醇溶液和去离子水溶液，各超声清洗15-30分钟，取出用氮气吹干；步骤二、将甲胺铅溴钙钛矿量子点的二甲基甲酰胺DMF溶液溶于甲苯中配置成甲胺铅溴钙钛矿量子点甲苯溶液；步骤三、用移液枪将甲胺铅溴钙钛矿量子点甲苯溶液滴在所述的载玻片上，然后在室温下等待甲胺铅溴钙钛矿量子点甲苯溶液干燥，干燥后得到钙钛矿量子点荧光环。本发明基于甲胺铅溴钙钛矿量子点制备钙钛矿量子点荧光环，实现了甲胺铅溴钙钛矿量子点的自组装，首创了甲胺铅溴钙钛矿量子点荧光环的制备方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
572
records
(took 0.033 seconds)
